检索结果-内蒙古大学图书馆

发光学报 2018年第3期39卷 322-328页

作者：王俊禹豪张继华张小文王红航易子川刘黎明电子科技大学中山学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室广东中山528402 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054 桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室广西桂林541004

采用热蒸发法沉积无毒、稳定、价廉的无机氧化物Mo O_3,将其作为钙钛矿电池的阳极缓冲层。结果表明,Mo O_3阳极缓冲层的引入有利于增强光吸收层到阳极的空穴提取效率,使电池的短路电流密度(J_(sc))和填充因子(FF)均有较大幅度提高,取得... 详细信息

采用热蒸发法沉积无毒、稳定、价廉的无机氧化物Mo O_3,将其作为钙钛矿电池的阳极缓冲层。结果表明,Mo O_3阳极缓冲层的引入有利于增强光吸收层到阳极的空穴提取效率,使电池的短路电流密度(J_(sc))和填充因子(FF)均有较大幅度提高,取得了9.96%的平均光电转换效率(PCE)。此外,实验发现,Mo O_3阳极缓冲层可以阻挡酸性的PEDOT∶PSS对ITO的腐蚀,有利于增强电池的稳定性。

关键词：钙钛矿太阳能电池阳极缓冲层 MoO3 无机氧化物

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空穴阻挡中间层的加入对WOLEDs光谱稳定性的提高

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发光学报 2015年第10期36卷 1145-1149页

作者：刘新辉杨健君于军胜电子科技大学光电信息学院薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054 电子科技大学中山学院电子信息学院薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室广东中山528402

制备了多层结构合成的白光有机电致发光器件(WOLEDs),通过在发光层中加入一层空穴阻挡层TPBi来提高器件的光谱稳定性。当TPBi厚度为2.5 nm时,在电压由8 V升高到12 V的过程中,CIE色坐标的变化量为(0.031,0.006)。器件的电流效率为24.7 cd... 详细信息

制备了多层结构合成的白光有机电致发光器件(WOLEDs),通过在发光层中加入一层空穴阻挡层TPBi来提高器件的光谱稳定性。当TPBi厚度为2.5 nm时,在电压由8 V升高到12 V的过程中,CIE色坐标的变化量为(0.031,0.006)。器件的电流效率为24.7 cd/A,外部量子效率最大为8.2%。相对于没有加入中间层的器件,8 V电压下的色坐标由(0.435,0.472)变为(0.333,0.439)。实验结果表明,在发光层中添加中间层可以改变器件发光的色坐标并提升光谱的稳定性。

关键词： WOLEDs 空穴阻挡层光谱稳定性

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二硫化钨纳米片制备及其钙钛矿太阳能电池空穴传输层应用

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发光学报 2020年第2期41卷 168-174页

作者：王红航王云祥杨健君易子川徐凯张小文刘黎明电子科技大学中山学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分实验室广东中山528402 桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室广西桂林541004

开发新型无机空穴传输层材料是钙钛矿电池实现商业应用的重要挑战之一。本文开展了二硫化钨纳米片制备及其钙钛矿太阳能电池空穴传输层应用研究。采用液相超声剥离法成功制备了WS 2纳米片,并将其引入钙钛矿太阳能电池中用作空穴传输层... 详细信息

开发新型无机空穴传输层材料是钙钛矿电池实现商业应用的重要挑战之一。本文开展了二硫化钨纳米片制备及其钙钛矿太阳能电池空穴传输层应用研究。采用液相超声剥离法成功制备了WS 2纳米片,并将其引入钙钛矿太阳能电池中用作空穴传输层。结果表明,当WS 2纳米片溶液浓度为1 mg/mL时,制备的WS 2纳米片空穴传输层具有较合适的厚度,并且后续在其上生长的钙钛矿活性层成膜质量高、结晶性能好,电池取得6.3%的光电转换效率。结果证实WS 2纳米片可作为新型无机空穴传输层材料用于钙钛矿太阳能电池。

关键词：二硫化钨纳米片液相超声剥离法钙钛矿太阳能电池空穴传输层

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基于氧化石墨烯空穴传输层的钙钛矿太阳能电池

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光子学报 2019年第3期48卷 59-65页

作者：王云祥张继华吴艳花王红航易子川张小文刘黎明电子科技大学电子科学与工程学院成都610054 电子科技大学中山学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分实验室广东中山528400 桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室广西桂林541004

采用溶液旋涂法在平面异质结型钙钛矿电池中引入氧化石墨烯(Graphene oxide,GO),制备了GO、GO∶(PEDOT:PSS)复合薄膜和GO/PEDOT∶PSS双层薄膜作为空穴传输层的电池,其光电转换效率分别为1.86%、7.35%、7.69%,基于PEDOT∶PSS空穴传输层... 详细信息

采用溶液旋涂法在平面异质结型钙钛矿电池中引入氧化石墨烯(Graphene oxide,GO),制备了GO、GO∶(PEDOT:PSS)复合薄膜和GO/PEDOT∶PSS双层薄膜作为空穴传输层的电池,其光电转换效率分别为1.86%、7.35%、7.69%,基于PEDOT∶PSS空穴传输层的对照电池的效率为7.38%.主要原因是GO具有绝缘性,作为阳极界面层时,随着GO薄膜厚度增加,器件的串联电阻增大,从而降低了电池的短路电流和效率.为提高GO导电性,并改善其功函数,将GO氨化改性后与PEDOT:PSS组合构成双空穴传输层,所得电池取得了7.69%的较高效率,表明该方式是GO用于钙钛矿电池空穴传输层的有效途径.

关键词：氧化石墨烯钙钛矿太阳能电池溶液旋涂法光电转换效率空穴传输层 PEDOT∶PSS

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固化工艺对树脂基导电胶电性能的影响（英文）

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稀有金属材料与工程 2016年第10期45卷 2524-2528页

作者：熊娜娜李志凌谢辉赵玉珍王悦辉李晶泽电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054 电子科技大学中山学院广东中山528402 清华大学北京100084

以微米银片为导电填料制备了环氧树脂基各向异性导电胶,研究了固化工艺对导电胶电性能的影响。研究结果表明,固化工艺对银粉填量为55%(质量分数)的导电胶影响较大。当固化温度为180oC时,体积电阻率是5.2×10^(-2)?·cm,当固化... 详细信息

以微米银片为导电填料制备了环氧树脂基各向异性导电胶,研究了固化工艺对导电胶电性能的影响。研究结果表明,固化工艺对银粉填量为55%(质量分数)的导电胶影响较大。当固化温度为180oC时,体积电阻率是5.2×10^(-2)?·cm,当固化温度为250oC时,体积电阻率下降到4.5×10^(-3)?·cm.然而,固化温度对高银粉填量的导电胶的影响较小。原位监测65%的各向异性导电胶的固化过程中的电性能,发现固化27 min后体系温度是180oC,此时的电阻是1.99×10~6?,40 min后的电阻是1.39×10~3?,60 min后的电阻是18.8?,冷却时,导电胶的电阻几乎不变化。采用扫描电阻显微镜分析了银粉在树脂基体中的分布,进而讨论了固化温度对体积电阻率的影响机制。

关键词：各向异性导电胶固化体积电阻率银片

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基于MADN空穴传输层的双层结构高效率黄绿光OLED及其阻抗谱分析

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光谱学与光谱分析 2015年第12期35卷 3296-3299页

作者：张小文莫炳杰刘黎明王红航陈二伟许积文王华魏斌桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室广西桂林541004 电子科技大学中山学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室广东中山528402 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室上海200072

以MADN为空穴传输层,主-客掺杂体系[Alq3∶0.7 Wt%rubrene]为发光兼电子传输层,构建了双层结构的高效率黄绿光OLED器件。该器件的黄绿光由主发光体Alq3通过不完全能量转移到客发光体rubrene实现,电致发光峰值位于560nm,1931CIE色坐标为(... 详细信息

以MADN为空穴传输层,主-客掺杂体系[Alq3∶0.7 Wt%rubrene]为发光兼电子传输层,构建了双层结构的高效率黄绿光OLED器件。该器件的黄绿光由主发光体Alq3通过不完全能量转移到客发光体rubrene实现,电致发光峰值位于560nm,1931CIE色坐标为(0.46,0.52),最大发光效率达到了7.63cd·A-1,比相应的NPB做空穴传输层的双层结构器件提高了30%。通过构建以MADN或NPB为空穴传输层的空穴单载流子器件并进行阻抗谱分析,结果表明MADN可以作为一种非常有效的空穴传输层,其空穴迁移性略低于NPB,这恰好弥补了OLED器件中空穴迁移比电子迁移快这一缺陷,为改善OLED发光层中载流子的平衡性创造了条件,从而提高了器件的发光效率。此外,MADN做空穴传输层的双层结构OLED的发光效率与传统三层结构器件(MADN和Alq3分别作为空穴传输层和电子传输层)基本相当,表明了这种双层结构器件在简化器件结构的同时并不以牺牲发光效率为代价,发光层[Alq3∶0.7 Wt%rubrene]兼具有优良的电子传输性能。

关键词： OLED 阻抗谱空穴传输

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多层Ti/Al电极结构对Ga N/AlGaN HEMT欧姆接触特性的影响

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发光学报 2016年第2期37卷 219-223页

作者：于宁王红航刘飞飞杜志娟王岳华宋会会朱彦旭孙捷北京工业大学电控学院光电子技术实验室北京100124 电子科技大学中山学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分实验室广东中山528402

研究了多层Ti/Al结构电极对GaN/AlGaN HEMT欧姆接触特性及表面形态的影响。采用传输线模型对各结构电极的比接触电阻率进行了测量,采用扫描电子显微镜对电极表面形态进行扫描。实验结果显示,在同样的退火条件下,随着Ti/Al层数的增加,比... 详细信息

研究了多层Ti/Al结构电极对GaN/AlGaN HEMT欧姆接触特性及表面形态的影响。采用传输线模型对各结构电极的比接触电阻率进行了测量,采用扫描电子显微镜对电极表面形态进行扫描。实验结果显示,在同样的退火条件下,随着Ti/Al层数的增加,比接触电阻率逐渐减小,表面形态趋于光滑;降低Ti/Al层的厚度会加剧Au向内扩散而增加比接触电阻率,但能稍微改善表面形态;Ti比例过高会影响Ti N的形成导致比接触电阻率增加,但能明显改善表面形态。

关键词：高电子迁移率晶体管欧姆接触退火比接触电阻率

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GaN HEMT器件结构的研究进展

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发光学报 2015年第10期36卷 1178-1187页

作者：于宁王红航刘飞飞杜志娟王岳华宋会会朱彦旭孙捷北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术实验室北京100124 电子科技大学中山学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分实验室广东中山528402

Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)具有大的禁带宽度、高电子饱和速度、异质结界面的高二维电子气浓度、高击穿电压以及高的热导率,这一系列特性使它在高频、高功率、高温等领域得到了广泛的认可。本文首先论述了制约氮化镓高电子迁移率晶... 详细信息

Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)具有大的禁带宽度、高电子饱和速度、异质结界面的高二维电子气浓度、高击穿电压以及高的热导率,这一系列特性使它在高频、高功率、高温等领域得到了广泛的认可。本文首先论述了制约氮化镓高电子迁移率晶体管器件性能提高所遇到的问题及解决方法;然后,着重从优化材料结构设计和器件结构设计的角度,阐述了氮化镓高电子迁移率晶体管器件在高频高功率领域的最新研究进展;最后,讨论了器件进一步发展的方向。

关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓高频结构设计

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不同表面修饰和尺寸的纳米银的荧光增强效应的研究

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光谱学与光谱分析 2014年第12期34卷 3292-3296页

作者：王悦辉熊娜娜周济电子科技大学中山学院化学与生物工程学院广东中山528402 电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054 清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室北京100084

分别以柠檬酸钠(CTS)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为表面修饰剂,采用化学法制备纳米银(分别标记为Ag-CTS和Ag-PVP)。当甲基橙溶液中加入Ag-CTS或Ag-PVP时,S2→S0和S1→S0荧光强度分别明显减弱和增强。不同的是Ag-PVP引起S2→S0和S1→S0荧光强... 详细信息

分别以柠檬酸钠(CTS)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为表面修饰剂,采用化学法制备纳米银(分别标记为Ag-CTS和Ag-PVP)。当甲基橙溶液中加入Ag-CTS或Ag-PVP时,S2→S0和S1→S0荧光强度分别明显减弱和增强。不同的是Ag-PVP引起S2→S0和S1→S0荧光强度减弱和增强的幅度更大,且S2→S0荧光峰出现红移。当甲基橙溶液中加入Ag-CTS时,S1→S0荧光强度随时间延长逐渐增强,而加入Ag-PVP时,S1→S0荧光强度则不随时间而变化。颗粒尺寸较大的片状结构纳米银引起S1→S0荧光强度增强比率较小。甲基橙溶液浓度越低,S1→S0荧光强度增强比率越大。研究结果表明,纳米银表面吸附的不同表面修饰剂通过影响纳米银与甲基橙分子间距离进而影响纳米银的荧光增强效应;纳米银尺寸大小则由于所产生的局域面表面等离子共振特点等差异影响其局域场增强效应。

关键词：纳米银甲基橙荧光增强表面修饰剂

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高均匀性柔性纳米银线透明导电薄膜的制备及其性能研究

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光子学报 2018年第11期47卷 148-153页

作者：胥靖杨健君钟建曾维杨凯强电子科技大学光电科学与工程学院成都610054 电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分实验室广东中山528402 电子科技大学中山学院电子信息学院广东中山528402 电子科技大学电子科学与工程学院(示范性微电子学院) 成都610054

对真空抽滤法进行了改进,制备出高均匀性且只存在极少量纳米银微粒的纳米银线透明导电薄膜.将纳米银线在同一片衬底上依次进行真空抽滤和压制并重复多次,然后对制备的透明导电薄膜的表面形貌以及透光率和方阻的分布进行了讨论.结果表明... 详细信息

对真空抽滤法进行了改进,制备出高均匀性且只存在极少量纳米银微粒的纳米银线透明导电薄膜.将纳米银线在同一片衬底上依次进行真空抽滤和压制并重复多次,然后对制备的透明导电薄膜的表面形貌以及透光率和方阻的分布进行了讨论.结果表明通过三次压制制备出的导电薄膜的透光率约为82.7%,平均方阻为7.47Ω/sq.

关键词：柔性透明导电薄膜纳米银线纳米银粒子真空抽滤方阻透光率

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