检索结果-内蒙古大学图书馆

240nm Si_(0.8)Ge_(0.2)虚衬底的应变Si沟道PMOSFET

电子科技大学学报 2007年第1期36卷 126-128页

作者：李竞春韩春周谦张静徐婉静电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054 中电集团24所模拟集成电路国家重点实验室重庆南岸区400060

针对应变SiPMOSFET的弛豫SiGe虚拟衬底厚度大的问题(>1μm),采用了低温Si技术试制出240nm厚虚衬底的应变Si沟道PMOSFET。器件显示出良好的直流特性,其跨导和空穴迁移率比传统Si器件分别提高了30%和50%。器件性能可与采用1μm以上SiG... 详细信息

针对应变SiPMOSFET的弛豫SiGe虚拟衬底厚度大的问题(>1μm),采用了低温Si技术试制出240nm厚虚衬底的应变Si沟道PMOSFET。器件显示出良好的直流特性,其跨导和空穴迁移率比传统Si器件分别提高了30%和50%。器件性能可与采用1μm以上SiGe虚衬底的PMOSFET器件相比拟。

关键词： SiGe 应变Si 低温Si PMOSFET

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新型热电材料综述

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电子科技大学学报 2017年第1期46卷 133-150页

作者：王超张蕊杜欣张晨贵栾春红姜晶胡强王军喜杜志游李天笑马铁中严冬尹志尧电子科技大学微电子与固体电子学院成都611731 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都611731 广东省中科宏微半导体设备有限公司广州510530 中国科学院半导体研究所北京海淀区100083 中微半导体设备(上海)有限公司上海浦东区201201 北京智朗芯光科技有限公司北京昌平区102206

热电材料能够实现热能和电能之间的相互转化,利用温度差进行发电是一种潜在的能源利用的方法,另外利用电学对热量的转化,可以进行温度的精确控制,在传感器和集成电路中有着广阔的应用前景。该文综述了近年来几类热电材料的种类、发展历... 详细信息

热电材料能够实现热能和电能之间的相互转化,利用温度差进行发电是一种潜在的能源利用的方法,另外利用电学对热量的转化,可以进行温度的精确控制,在传感器和集成电路中有着广阔的应用前景。该文综述了近年来几类热电材料的种类、发展历程和研究现状,包括碲化物、硫族层状化合物、氧化物、笼合物,Half-Heusler材料,方钴矿材料、Zintl相热电材料以及铜硫族类材料。另外,对热电材料的应用做了一些归纳总结,希望能扩展热电器件的应用,实现未来的规模产业化。

关键词：新型热电材料功率因子 seebeck系数热电器件热电性能

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高介BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响

高介BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：周建军张继华陈堂胜任春江焦刚李忠辉陈辰杨传仁单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京 210016 电子科技大学微电了与同体电子学院成都 610054 电子科技大学微电了与固体电子学院成都 610054

采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/AlGaN/GaN MIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试,以及与同样厚度SiN MIS结构对比分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响。... 详细信息

采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/AlGaN/GaN MIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试,以及与同样厚度SiN MIS结构对比分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响。使用高介电BST材料作为栅绝缘层可以改善器件的线性特性和跨导特性,提高器件栅的正向工作电压,并有效降低AlGaN/GaN HEMT器件的夹断电压。同时,由于只引入很薄一层高介电材料作为栅绝缘层,器件的高频特性没有硅著降低,BST/AlGaN/GaN MIS HEMT器件的电流增益截止频率达到了23GHz。

关键词： GaN HEMT器件高介BST材料 MIS结构磁控溅射栅绝缘层

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高频开关电源单端反激变压器的原理与设计方法

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磁性材料及器件 2006年第1期37卷 36-38页

作者：吕利明肖建平钟智勇石玉电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054 中电科技集团29所四川成都610034

针对小功率电源的设计,详细介绍了单端反激变压器中连续电流模式(ContinuousCurrentMode,CCM)和断续电流模式(DiscontinuousCurrentMode,DCM)下变压器的工作原理,论述了采用面积乘积法(AwAe)设计反激式主功率变压器的方法。

关键词：单端反激变压器连续电流模式断续电流模式设计

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椭圆缺陷轮廓的关键面积计算模型

椭圆缺陷轮廓的关键面积计算模型

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2008年(第十届)中国科协年会

作者：王俊平郝跃任春丽西安电了科技大学通信工程学院西安 710071 西安电子科技大学微电子学院西安 710071

在90nm和65nm技术节点,集成电路制造业的投资剧增而随机成品率却在下降低，为了提升随机成品率,关键面积的计算是关键。本文根据集成电路制造中真实缺陷的形状特征,提出椭圆缺陷轮廓引起水平布线导体/垂直布线导体的短路/开路的关键面... 详细信息

在90nm和65nm技术节点,集成电路制造业的投资剧增而随机成品率却在下降低，为了提升随机成品率,关键面积的计算是关键。本文根据集成电路制造中真实缺陷的形状特征,提出椭圆缺陷轮廓引起水平布线导体/垂直布线导体的短路/开路的关键面积计算模型和夹角为θ的椭圆缺陷引起水平布线导体/垂直布线导体的短路/开路的关键面积计算模型。仿真实验表明了该模型比圆模型的精确性。该结果对版图优化设计和成品率精确估计具有重要意义。

关键词：集成电路芯片设计电路制造布线工艺

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一种新型EEPROM的电荷泵设计

一种新型EEPROM的电荷泵设计

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2009四川省电子学会半导体与集成技术专委会学术年会

作者：张雷明赵建明胡凯张国贤电子科技大学微电子与固体电子学院成都 610054 中电第五十八研究所无锡 214035

设计了一种应用于EEPROM的片内电荷泵结构。通过改进振荡器电路和采用双驱动结构，提高了电荷泵的升压速度，增大了电荷泵的驱动能力。HSPICE仿真结果显示：在5V电源电压下，时钟频率高达150MHz。电荷泵在1us内就可以输出16V的高压，并... 详细信息

设计了一种应用于EEPROM的片内电荷泵结构。通过改进振荡器电路和采用双驱动结构，提高了电荷泵的升压速度，增大了电荷泵的驱动能力。HSPICE仿真结果显示：在5V电源电压下，时钟频率高达150MHz。电荷泵在1us内就可以输出16V的高压，并且其输出驱动电流可达30uA，满足既定设计要求，为增人EEPROM的容量和提高数据的擦写速度提供了有利条件。

关键词：电荷泵振荡器电路上升时间驱动电流

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水利水电企业的营销战略

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实验科学与技术 2011年第2期9卷 144-145页

作者：刘勇李颉中国华电集团四川瓦屋山(杰森)电力有限公司成都610017 电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054

水利水电项目作为管理对象具有其整体性。一个水电企业就是一个整体,企业经营管理是指为达到工程项目的双赢目标,追求生产和营销的最大效益。文中以四川瓦屋山水电站为研究对象,结合本身的实践和认识,运用现代企业经营战略理论与分析方... 详细信息

水利水电项目作为管理对象具有其整体性。一个水电企业就是一个整体,企业经营管理是指为达到工程项目的双赢目标,追求生产和营销的最大效益。文中以四川瓦屋山水电站为研究对象,结合本身的实践和认识,运用现代企业经营战略理论与分析方法,对水电企业的营销策略进行了系统的研究。

关键词：水利水电管理发展战略

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关于发展我国军用MCM技术的思考

关于发展我国军用MCM技术的思考

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中国电子学会第十四届电子元件学术年会

作者：杨邦朝徐如清王正义电子科技大学微电子与固体电子学院中电科技集团中电科技集团第四十三研究所

本文主要分析、总结了国内外多芯片组件(MCM)技术发展现状与存在问题,以及今后技术发展重点和主要应用方向。

关键词：多层基板 MCM 混合集成电路多芯片组件低温共烧多层互连中国电子学会 “八五”期间

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瓦屋山水电站长期优化调度模型研究

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实验科学与技术 2011年第1期9卷 15-17页

作者：刘勇李颉中国华电集团四川瓦屋山(杰森)电力有限公司成都610017 电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054

中小型水电站水库合理调度不但是水电站经济效益的一种有力保障,而且是防洪抗汛中确保中下游安全的控制运行方法。通过建立水电站水库优化调度模型,利用优化设计方法,计算源头单一水库的最优调度方案,从而确保水库工程安全,有效利用防... 详细信息

中小型水电站水库合理调度不但是水电站经济效益的一种有力保障,而且是防洪抗汛中确保中下游安全的控制运行方法。通过建立水电站水库优化调度模型,利用优化设计方法,计算源头单一水库的最优调度方案,从而确保水库工程安全,有效利用防洪库容拦蓄洪水,削减洪峰,减免洪水灾害,保证水电站的长期经济发展,充分发挥水库的综合效益。

关键词：瓦屋山水电站优化调度模型研究

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