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作者

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检索条件"机构=电子科技大学微电子与固体电子学院"
7139 条 记 录,以下是1-10 订阅
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Ar离子注入蓝宝石衬底诱导成核的高质量GaN外延
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无机材料学报 2025年 第1期40卷 91-96页
作者: 安瑕 许晟瑞 陶鸿昌 苏华科 杨赫 许钪 谢磊 贾敬宇 张进成 郝跃 西安电子科技大学微电子学院 西安710071
氮化镓(Ga N)薄膜通常是在异质衬底上获得的,然而异质外延引入的高密度位错限制了其在高性能电子器件和光电器件中的发展。本研究采用Ar离子预处理蓝宝石衬底来实现诱导成核,显著降低了Ga N外延层中的位错密度。优化Ar离子的注入剂量发... 详细信息
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Buck-Boost转换器总剂量辐射效应分析与抗辐射加固设计方法
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北京航空航天大学学报 2025年 第2期51卷 389-396页
作者: 郭仲杰 卢沪 刘楠 吴龙胜 西安理工大学自动化与信息工程学院 西安710048 西安电子科技大学微电子学院 西安710071
DC-DC转换器在总剂量辐射环境下会带来输出电压漂移、线性调整率与负载调整率下降等影响,使得电路的输出稳定性能变差。针对传统基于工艺与版图的抗总剂量辐射效应加固方法会带来成本较高、版图面积过大及普适性较差等问题,提出一种实... 详细信息
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基于自监督对抗学习的多尺度知识蒸馏方法
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控制与决策 2025年 第3期40卷 880-888页
作者: 张建 梁兴柱 张康 林玉娥 夏晨星 安徽理工大学计算机科学与工程学院 安徽淮南232001 西安电子科技大学微电子学院 西安710126
针对离线知识蒸馏中因教师与学生之间规模差距过大,知识难以有效传递,导致学生性能不佳的问题,提出一种基于自监督对抗学习的多尺度知识蒸馏方法(SAMKD),并利用自监督和对抗学习进一步开发中间多尺度特征与网络末端输出特征logits的潜力... 详细信息
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基于位串行卷积神经网络加速器的运动想象脑电信号识别系统
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电子科技大学学报 2025年
作者: 程筱舒 王忆文 娄鸿飞 丁玮然 李平 电子科技大学集成电路科学与工程学院(示范性微电子学院)
准确识别运动想象脑电信号是神经科学和生物医学工程领域的重要挑战。设计了基于位串行卷积神经网络加速器的脑电信号识别系统,充分利用其小体积、低能耗和高实时性的优势。从软件层面,介绍了脑电数据的预处理、特征提取及分类过程,... 详细信息
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基于埋底界面修饰策略制备正式钙钛矿太阳电池
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物理学报 2025年 第2期74卷 245-255页
作者: 商文丽 王立坤 张晓春 岳鑫 李一锋 万政慧 杨华翼 李婷 王辉 辽宁师范大学物理与电子技术学院 大连116029 西安电子科技大学微电子学院 西安710071 中国科学院大连化学物理研究所 大连116023 大连科技学院实验实训中心 大连116025
二氧化锡是正式钙钛矿太阳电池理想的电子传输层材料.二氧化锡与钙钛矿之间的界面缺陷是制约钙钛矿太阳电池转换效率提高的关键因素.因此,本文提出了一种基于埋底界面修饰策略制备正式钙钛矿太阳电池的方法.通过在二氧化锡中掺杂甲基溴... 详细信息
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SbSER:基于外部子图生成的大语言模型分步增强推理框架
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计算机科学与探索 2025年 第2期19卷 367-373页
作者: 冯拓宇 王刚亮 乔子剑 李伟平 张雨松 郭庆浪 北京大学软件与微电子学院 北京100091 中国电子科学研究院 北京100041 西安电子科技大学通信工程学院 西安710126
大语言模型(LLM)自问世以来在各种任务中取得了显著的成功,尤其是在机器翻译、文本生成、问答系统等任务中的卓越表现,它们的应用也迅速扩展到了更多复杂的任务中。尽管LLM在多种任务中展现了强大的能力,但在需要深入推理和逻辑推导的... 详细信息
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超宽禁带氧化镓功率器件新结构及其电热特性研究进展
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人工晶体学报 2025年 第2期54卷 263-275页
作者: 魏雨夕 马昕宇 江泽俊 魏杰 罗小蓉 电子科技大学电子薄膜与集成器件全国重点实验室 成都610054 成都信息工程大学微电子学院 成都610225
氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))具有超宽禁带(E_(g)=4.5~4.9 eV)和高临界击穿场强(E_(br)=8 MV/cm),器件的Baliga优值理论上可达SiC和GaN基器件的4倍和10倍。然而,氧化镓功率器件的耐压仍远低于理论值,且大功率器件及其热稳定性的研究较少;材... 详细信息
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可靠安全通信关键技术导读
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无线电通信技术 2025年 第2期51卷 232-234页
作者: 白宝明 雷菁 辜方林 西安电子科技大学通信工程学院 中国电子学会 国防科技大学电子科学学院
内容导读:可靠安全通信是专用通信技术领域的一个重要热点问题,其核心是要在复杂多样的电磁和地理环境下构建满足特定指标要求的可靠、安全、高速传输链路和网络,以适应无人集群、战术分队等多样化任务平台的区域增强通信需求,支撑平台... 详细信息
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高阈值电压的半环绕式MIS栅极P-GaNHEMT
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半导体技术 2025年 第4期50卷 333-338页
作者: 何晓宁 贾茂 李明志 侯斌 杨凌 马晓华 西安电子科技大学集成电路学部微电子学院 西安710126 陕西省半导体行业协会 西安710065
p-GaNHEMT以阈值电压稳定、导通损耗低、开关频率高和工艺成熟等优势,成为新一代主流功率开关器件。针对其栅控能力与开态损耗优化需求,提出了一种采用半环绕式金属-绝缘体-半导体(MIS)栅结构的p-GaNHEMT。通过采用SiN介质层及栅极金属... 详细信息
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基于特征博弈预处理的多径抑制与高精度测角方法
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雷达学报(中英文) 2025年 第2期14卷 269-279页
作者: 项厚宏 王永良 李雨曦 陈毓锋 王凤玉 曾小路 合肥工业大学计算机与信息学院 合肥230009 空军预警学院 武汉430019 西安电子科技大学杭州研究院 杭州311200 北京邮电大学人工智能学院 北京100876 北京理工大学信息与电子学院 北京100081
米波雷达波束较宽,探测低仰角目标时多径信号严重影响直达信号的显著性,低仰角测角性能较差。针对此问题,该文提出了一种信号级特征博弈的多径抑制与高精度测角方法,构建一组直达信号提取器和直达信号特征检验器,直达信号提取器挖掘出... 详细信息
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