检索结果-内蒙古大学图书馆

红外与毫米波学报 2013年第3期32卷 248-253页

作者：周云吕坚廖宝斌蒋亚东电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054

针对非制冷红外探测器系统,设计了一种无需衬底温度稳定器——热电制冷器(TEC)的读出电路(ROIC)结构.首先分析了衬底温度对微测辐射热计的特性的影响,利用ROIC对衬底温度变化引起的微测辐射热计的特性的变化进行补偿,实现ROIC的输出信... 详细信息

针对非制冷红外探测器系统,设计了一种无需衬底温度稳定器——热电制冷器(TEC)的读出电路(ROIC)结构.首先分析了衬底温度对微测辐射热计的特性的影响,利用ROIC对衬底温度变化引起的微测辐射热计的特性的变化进行补偿,实现ROIC的输出信号与衬底无关.该ROIC已在0.5μm CMOS工艺下成功流片,并应用了到阵列大小为320×240的非制冷微测辐射热计焦平面上.测试结果表明:在衬底温度变化20 K时,ROIC输出信号仅变化2 mV,实现了去除TEC后衬底温度补偿的功能,有效地降低了系统功耗.该ROIC在低功耗,小体积的非制冷红外探测器上有着广泛的应用.

关键词：非制冷微测辐射热计热电制冷器(TEC) 读出电路(ROIC)

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开关DC-DC变换器的自适应占空比跨周期控制方法

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电子与信息学报 2014年第9期36卷 2265-2271页

作者：李航标张波罗萍甄少伟廖鹏飞李肇基电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

针对脉冲跨周期调制(PSM)开关DC-DC变换器输出电压纹波较大的问题,该文提出一种新型的自适应占空比跨周期(ADPS)控制方法。在ADPS控制的变换器中,轻载下,每个周期变换器控制脉冲的占空比与该周期开始时输出电压与参考电压误差的平方根... 详细信息

针对脉冲跨周期调制(PSM)开关DC-DC变换器输出电压纹波较大的问题,该文提出一种新型的自适应占空比跨周期(ADPS)控制方法。在ADPS控制的变换器中,轻载下,每个周期变换器控制脉冲的占空比与该周期开始时输出电压与参考电压误差的平方根近似成正比:负载越轻,变换器的输出电压纹波越小。研究表明,ADPS控制的DC-DC变换器不仅具有比PSM控制的变换器更低的输出电压纹波,同时具有优异的鲁棒性和瞬态响应能力。

关键词： DC-DC变换器集成电路控制技术自适应占空比跨周期电流断续模式输出电压纹波

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基于脉冲跨周期调制的DC-DC变换器自适应电压调节技术

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电子与信息学报 2017年第1期39卷 213-220页

作者：王东俊罗萍彭宣霖甄少伟贺雅娟电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

为实现减小数字电路的供电电压来降低其能量消耗的目的,该文提出基于脉冲跨周期调制(PSM)的DCDC变换器自适应电压调节(AVS)技术。AVS技术通过追踪和探测关键路径复制(CPR)的延迟时间自适应地调节数字电路的供电电压。同时,具有自适应占... 详细信息

为实现减小数字电路的供电电压来降低其能量消耗的目的,该文提出基于脉冲跨周期调制(PSM)的DCDC变换器自适应电压调节(AVS)技术。AVS技术通过追踪和探测关键路径复制(CPR)的延迟时间自适应地调节数字电路的供电电压。同时,具有自适应占空比的PSM调制模式(APSM)被用来改善轻负载下变换器输出电压的纹波和效率。实验结果显示,当负载工作频率在30~150 MHz范围内变化时,输出电压在0.6~1.5 V之间稳定输出。和传统的固定工作电压相比,该文设计的DC-DC变换器最大可节省83%的能耗。

关键词： DC-DC变换器自适应电压调节:脉冲跨周期调制关键路径复制自适应占空比

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基于环形栅和半环形栅N沟道金属氧化物半导体晶体管的总剂量辐射效应研究

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物理学报 2012年第1期61卷 318-323页

作者：范雪李威李平张斌谢小东王刚胡滨翟亚红电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

在商用0.35μm互补金属氧化物半导体工艺上制备了两种栅氧化层厚度(t_(ox))的条形栅、环形栅和半环形栅N沟道金属氧化物半导体(n-channel metal oxide semiconductor,简记为NMOS)晶体管,并进行了2000 Gy(Si)的总剂量辐射效应实验.实验... 详细信息

在商用0.35μm互补金属氧化物半导体工艺上制备了两种栅氧化层厚度(t_(ox))的条形栅、环形栅和半环形栅N沟道金属氧化物半导体(n-channel metal oxide semiconductor,简记为NMOS)晶体管,并进行了2000 Gy(Si)的总剂量辐射效应实验.实验结果显示,栅氧厚度对阈值电压漂移的影响大于栅氧厚度的3次方.对于t_(ox)为11 nm的低压NMOS晶体管,通过环形栅或半环形栅的加固方式能将其抗总剂量辐射能力从300 Gy(Si)提高到2000 Gy(Si)以上;而对于t_(ox)为26 nm的高压NMOS晶体管,通过环栅或半环栅的加固方式,则只能在低于1000 Gy(Si)的总剂量下,一定程度地抑制截止漏电流的增加.作为两种不同的版图加固方式,环形栅和半环形栅对同一t_(ox)的NMOS器件加固效果类似,环形栅的加固效果略优于半环形栅.对于上述实验结果,进行了理论分析并阐释了产生这些现象的原因.

关键词：环形栅半环形栅总剂量辐射效应

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ZrO_2掺杂对钡硼硅系微晶玻璃性能的影响

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硅酸盐学报 2013年第12期41卷 1650-1655页

作者：唐波李波电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

采用固相法制备具有高热膨胀系数的BaO–B2O3–SiO2系微晶玻璃。通过对微晶玻璃复合材料的热、力和电学性能以及扫描电子显微镜、X射线衍射和差热分析,研究了ZrO2掺杂对钡硼硅系微晶玻璃各项性能的影响。结果表明:随ZrO2掺杂含量的增加... 详细信息

采用固相法制备具有高热膨胀系数的BaO–B2O3–SiO2系微晶玻璃。通过对微晶玻璃复合材料的热、力和电学性能以及扫描电子显微镜、X射线衍射和差热分析,研究了ZrO2掺杂对钡硼硅系微晶玻璃各项性能的影响。结果表明:随ZrO2掺杂含量的增加,微观上微晶玻璃中方石英晶相含量明显减少,石英晶相含量显著增加;宏观上,微晶玻璃的抗弯强度及其相对介电常数逐渐增加,热膨胀系数随之略微减小,但可在一定范围内通过调整微晶玻璃高的热膨胀系数,使热膨胀系数随温度的变化更趋于线性化,优化微晶玻璃的热学性能。在950℃烧结温度条件下,ZrO2掺杂量为5%(质量分数)时得到的微晶玻璃抗弯强度最大(181 MPa),具有较高的热膨胀系数(14.21×10–6/℃),较低的相对介电常数(6.4)及介电损耗(0.4%),可以满足微晶玻璃低温共烧陶瓷(LTCC)封装材料要求。

关键词：钡硼硅方石英石英热膨胀系数抗弯强度相对介电常数

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宽禁带功率半导体器件技术

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电子科技大学学报 2009年第5期38卷 618-623页

作者：张波邓小川陈万军李肇基电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。... 详细信息

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。该文总结了宽禁带SiC和GaN功率半导体器件研发的最新进展,包括各种功率二极管和功率晶体管。同时对宽禁带SiC和GaN功率半导体器件发展所面临的市场和技术挑战进行了分析与概述,并对其发展前景进行了展望。

关键词：氮化镓功率器件碳化硅宽禁带半导体

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氧化石墨制备温度对石墨烯结构及其锂离子电池性能的影响

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物理学报 2012年第15期61卷 401-406页

作者：黄乐旭陈远富李萍剑黄然贺加瑞王泽高郝昕刘竞博张万里李言荣电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

采用改进的Hummers法,以石墨粉为原料制备氧化石墨,然后使用微波还原法制备石墨烯,最后以石墨烯作为负极材料组装锂离子电池.系统的研究了高温氧化阶段中温度对氧化石墨的氧化程度、石墨烯的还原程度和比表面积以及锂离子电池性能的影响... 详细信息

采用改进的Hummers法,以石墨粉为原料制备氧化石墨,然后使用微波还原法制备石墨烯,最后以石墨烯作为负极材料组装锂离子电池.系统的研究了高温氧化阶段中温度对氧化石墨的氧化程度、石墨烯的还原程度和比表面积以及锂离子电池性能的影响.利用场发射扫描电镜(FESEM)、X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射仪(XRD)、BET测量仪对氧化石墨和石墨烯的微观结构及比表面积等进行测试和表征.XRD,XPS及电化学测试的结果显示当高温阶段氧化温度为90℃时,氧化石墨的氧化程度最高,相应的石墨烯也具有最高的还原程度和最大的比表面积423.2 m^2/g,同时石墨烯锂离子电池也具有更好的性能:首次放电比容量为1555.5 mAh/g,充电容量为1024.6 mAh/g,其循环放电比容量达到600 mAh/g.

关键词：氧化石墨石墨烯结构锂离子电池电化学性能

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介电可调薄膜材料及压控微波器件研究

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电子科技大学学报 2009年第5期38卷 609-617页

作者：蒋书文李汝冠王鲁豫刘兴钊李言荣电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

利用介电可调薄膜材料的调谐特性研制的介质压控微波器件高频特性好、功率容量大、响应速度快,还有易集成、功耗小、成本低、可靠性高的特点,相比半导体管、铁氧体以及MEMS器件有明显的优势。该文系统介绍了近年来国内外介电可调薄膜材... 详细信息

利用介电可调薄膜材料的调谐特性研制的介质压控微波器件高频特性好、功率容量大、响应速度快,还有易集成、功耗小、成本低、可靠性高的特点,相比半导体管、铁氧体以及MEMS器件有明显的优势。该文系统介绍了近年来国内外介电可调薄膜材料及压控微波器件的研究进展,并结合作者的工作评述了介电可调薄膜材料和压控微波器件的应用情况。除研究最为集中的钛酸锶钡BaxSr1-xTiO3(BST)材料,还介绍了具有较高调谐率的铋基焦绿石铌酸铋镁Bi1.5MgNb1.5O7(BMN)薄膜材料,该材料介电损耗低(约0.002),介电常数适中(约86),温度系数小,是一种极具发展前景的微波介电可调材料。

关键词：钛酸锶钡BST薄膜铌酸铋镁BMN薄膜介电可调薄膜材料压控微波器件

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基于四硫富瓦烯衍生物导电LB膜研究概况

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有机化学 2009年第8期29卷 1298-1304页

作者：陈艳娜贾春阳万中全张家强电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

四硫富瓦烯(TTF)是具有可逆氧化还原性质的强电子给体,由其衍生物制备的导电Langmuir-Blodgett(LB)膜可应用于分子材料及分子电子器件方面的研究.简要综述了近年来具有代表性的基于TTF衍生物的导电LB膜及其可能用途.

关键词：四硫富瓦烯电子给体 LB膜分子材料分子电子器件

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PSM调制的新型电流极限比较器

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电工技术学报 2009年第3期24卷 153-158页

作者：刘永根罗萍张波李肇基电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

新型电流极限比较器由电流检测电路和电流比较电路两个部分组成。电流检测电路不仅能检测电感电流的大小,还能将检测电流精确引出,省去了脉冲前沿消隐电路;电流比较电路用电流镜网络代替传统的电阻网络,用电流比较器代替传统的电压比较... 详细信息

新型电流极限比较器由电流检测电路和电流比较电路两个部分组成。电流检测电路不仅能检测电感电流的大小,还能将检测电流精确引出,省去了脉冲前沿消隐电路;电流比较电路用电流镜网络代替传统的电阻网络,用电流比较器代替传统的电压比较器,能大大减小芯片面积,具有低功耗和高速的特性。采用电源或地作为开关,省去了占较大芯片面积的开关管。仿真结果表明,整个电路具有非常好的性能,容差分析电路的精度在1%以内,适于大批量生产,具有较大的实用价值。

关键词： PSM调制电流极限比较电流检测电流比较

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