检索结果-内蒙古大学图书馆

传感器与微系统 2025年第3期44卷 21-24,28页

作者：王孝铧罗文博赵泽彬赖正刚重庆邮电大学光电工程学院重庆400065 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院重庆401331 成都优蕊光电科技有限公司四川成都611731

构建基于物体不同波段红外辐射特性的目标识别方法,对于提高目标识别准确率和抗干扰能力具有重要作用。本文基于双波段热释电红外传感器构建红外探测系统,通过设置目标温度、传感器—目标距离、扫描速度等参数,研究了滤波方法、识别算... 详细信息

构建基于物体不同波段红外辐射特性的目标识别方法,对于提高目标识别准确率和抗干扰能力具有重要作用。本文基于双波段热释电红外传感器构建红外探测系统,通过设置目标温度、传感器—目标距离、扫描速度等参数,研究了滤波方法、识别算法对识别准确率的影响。结果表明,基于双波段热释电红外传感器的目标识别方法,通过双波段红外辐射特征的提取和处理,可以将目标识别准确率提高至95.7%,在高交会速度条件下可以准确识别目标,在高速目标识别等领域具有重要的应用价值。

关键词：目标识别双波段热释电传感器变分模态分解滤波机器学习

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

负阻态忆阻Hopfield神经网络动力学

引用

电子科技大学学报 2023年第1期52卷 38-43页

作者：刘益安马瑞辰李国于奇刘洋胡绍刚电子科技大学电子科学与工程学院成都611731 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院重庆高新区401332

人类大脑是一个高度复杂且规模庞大的非线性动力学系统,其动力学行为与人类智能活动密切相关。基于忆阻器的人工神经网络不仅可以很好地模拟人脑工作机制,而且其非线性特性可以为神经网络带来更为丰富的动力学行为。为了进一步发挥神经... 详细信息

人类大脑是一个高度复杂且规模庞大的非线性动力学系统,其动力学行为与人类智能活动密切相关。基于忆阻器的人工神经网络不仅可以很好地模拟人脑工作机制,而且其非线性特性可以为神经网络带来更为丰富的动力学行为。为了进一步发挥神经网络的优势,引入一种新的具有负阻态功能的忆阻器模型,该模型打破了原有忆阻器的阻态极性限制,为忆阻器扮演神经网络突触仿生器件提供了更加丰富的变化性能。在对忆阻器模型分析的基础上,提出了一种新的忆阻Hopfield神经网络(HNN),进一步加强了HNN的负反馈功能,使之表现出更加丰富和复杂的动力学行为。实验结果表明,新忆阻HNN拥有较为丰富的动力学行为,具有一定的混沌特性。在不同的忆阻器参数以及权值矩阵取值条件下,观察系统的相位轨迹图、Lyapunov指数的变化情况,并与同类型网络进行对比,进一步证明提出的神经网络的有效性,同时复杂的动力学特性也为在数据处理、图像加密等方面的应用提供了研究支撑。

关键词：动力学 Hopfield神经网络忆阻器负阻态

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

氧分压对a-Ga_(2)O_(3)基日盲紫外光电探测器性能的影响研究

引用

光电工程 2024年第6期51卷 96-104页

作者：杨瑞杨斯铄钱凌轩电子科技大学电子薄膜与集成器件全国重点实验室四川成都611731 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院重庆401332

非晶氧化镓(a-Ga_(2)O_(3))基日盲紫外光电探测器的性能与a-Ga_(2)O_(3)薄膜内的氧空位有关,氧空位的浓度制约着探测器的响应度和响应速度。为了在探测器的响应度和响应速度之间达到平衡,本文通过微调射频磁控溅射过程中的氧分压,调控... 详细信息

非晶氧化镓(a-Ga_(2)O_(3))基日盲紫外光电探测器的性能与a-Ga_(2)O_(3)薄膜内的氧空位有关,氧空位的浓度制约着探测器的响应度和响应速度。为了在探测器的响应度和响应速度之间达到平衡,本文通过微调射频磁控溅射过程中的氧分压,调控薄膜内的氧空位浓度,并在此基础上成功制备金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal,MSM)型日盲紫外探测器。研究结果显示,通过掺入氧气能减少薄膜内的氧空位,改善薄膜的致密度。适当条件的氧分压可以使探测器在维持良好响应度的前提下,同时拥有较快的响应速度,在两种互相制约的特性上达到了平衡。特别地,在3%氧分压条件下制备得到的日盲探测器在254 nm、80μW/cm^(2)的紫外光照射下具有2.6 A/W的响应度以及2.2 s/0.96 s的快速响应速度。

关键词：非晶氧化镓日盲紫外光电探测器响应度射频磁控溅射

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

回字形抗辐射环栅LDMOS建模与验证

引用

微电子学 2023年第6期53卷 1011-1016页

作者：肖洋电子科技大学成都611731 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院重庆400060

介绍了一种回字形抗辐射环栅LDMOS器件。分析了该器件在版图绘制中的结构优势,并结合Sentaurus仿真结果,通过区域划分和类MOS结构拟合阈值电压,给出了该器件的等效宽长比模型和饱和电流模型。在标准商用0.18μm BCD工艺下流片,测试结果... 详细信息

介绍了一种回字形抗辐射环栅LDMOS器件。分析了该器件在版图绘制中的结构优势,并结合Sentaurus仿真结果,通过区域划分和类MOS结构拟合阈值电压,给出了该器件的等效宽长比模型和饱和电流模型。在标准商用0.18μm BCD工艺下流片,测试结果表明,理论模型在一定栅压范围内误差可低于10%。在总剂量测试中,关态泄漏电流随剂量增加变化较小,有一定的抗辐射加固能力。

关键词：总剂量效应 LDMOS 环栅器件等效宽长比模型

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于磁性传感器的低失调温度补偿接口电路设计

引用

电子与信息学报 2024年第4期46卷 1521-1528页

作者：樊华常伟鹏王策李国刘建明李宗霖魏琦冯全源电子科技大学重庆微电子产业技术研究院重庆401331 电子科技大学集成电路科学与工程学院(示范性微电子学院) 成都611731 电子科技大学广东电子信息工程研究院东莞523808 成都华微电子科技股份有限公司成都610041 清华大学精密仪器系北京100084 西南交通大学信息科学与技术学院成都611756

面向磁性传感器在物联网(IoT)技术中的广泛应用,该文基于180 nm CMOS工艺设计了一种具有低失调电压,低温度漂移特性的霍尔传感器接口电路。针对霍尔传感器灵敏度的温度漂移特性,该文设计了一种感温电路并与查表法相结合,调节可编程增益... 详细信息

面向磁性传感器在物联网(IoT)技术中的广泛应用,该文基于180 nm CMOS工艺设计了一种具有低失调电压,低温度漂移特性的霍尔传感器接口电路。针对霍尔传感器灵敏度的温度漂移特性,该文设计了一种感温电路并与查表法相结合,调节可编程增益放大器(PGA)的增益有效地降低了霍尔传感器的温度系数(TC)。在此基础上,通过在信号主通路中使用相关双采样(CDS)技术,极大程度上消除了霍尔传感器的失调电压。仿真结果表明,在–40°C~125°C温度范围内,霍尔传感器的TC从966.4 ppm/°C减小到了58.1 ppm/°C。信号主通路的流片结果表明,霍尔传感器的失调电压从25 mV左右减小到了4 mV左右,霍尔传感器的非线性误差为0.50%。芯片的总面积为0.69 mm^(2)。

关键词：霍尔传感器接口电路温度补偿低失调电压

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

功率集成电路TID加固环栅器件研究现状综述

引用

微电子学 2023年第6期53卷 957-964页

作者：罗萍吴昱操范佳航张致远冯皆凯赵忠电子科技大学电子薄膜与集成器件全国重点实验室成都611731 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院重庆400060

总结了标准工艺下功率集成电路中总剂量辐射(TID)加固环栅MOS器件与环栅功率器件的研究现状,归纳了不同结构形态的环栅器件的性能优劣,推荐8字形环栅MOS器件、华夫饼功率器件及回字形LDMOS器件结构用于功率集成电路的TID加固设计。同时... 详细信息

总结了标准工艺下功率集成电路中总剂量辐射(TID)加固环栅MOS器件与环栅功率器件的研究现状,归纳了不同结构形态的环栅器件的性能优劣,推荐8字形环栅MOS器件、华夫饼功率器件及回字形LDMOS器件结构用于功率集成电路的TID加固设计。同时,阐述了现有环栅MOS器件等效W/L的建模情况,提出保角变换是环栅MOS器件等效W/L精确建模的重要方法,最后还给出了环栅器件建库的基本流程。

关键词：总剂量辐射加固环栅MOS器件环栅功率MOS 等效W/L建模环栅器件建库

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种快速瞬态响应的低压差线性稳压器设计

引用

微电子学 2022年第6期52卷 1009-1015页

作者：邹锐恒邝建军熊进明鑫王卓张波电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院重庆401331

设计了一种应用于片外大电容场景下的具有快速瞬态响应特性的LDO。电路通过采用负载电流采样负反馈的结构构成了一个高带宽的电压缓冲器。该LDO使用具有电容倍增功能的共栅共源补偿结构,在外挂1μF负载电容的条件下,仅需500 fF的片上补... 详细信息

设计了一种应用于片外大电容场景下的具有快速瞬态响应特性的LDO。电路通过采用负载电流采样负反馈的结构构成了一个高带宽的电压缓冲器。该LDO使用具有电容倍增功能的共栅共源补偿结构,在外挂1μF负载电容的条件下,仅需500 fF的片上补偿电容即可保证在全负载范围内的稳定性。此外,通过使用自适应偏置技术,在减小轻载功耗的同时进一步提升了瞬态响应速度。电路采用0.18μm CMOS工艺进行设计与仿真验证。仿真结果表明,在LDO的输入电压为1.2 V、输出电压为1 V时,当负载电流以0.1μs的速度在150 mA和100μA之间切换时,最大电压变化仅为10.7 mV,输出电压恢复时间小于0.7μs。

关键词：低压差线性稳压器快速瞬态响应补偿电容倍增电流负反馈

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种自适应时间常数匹配G_(m)-C电感电流采样方法

引用

微电子学 2022年第5期52卷 810-815页

作者：杨涛甄少伟蒋沈昊程雨凡齐钊周春华罗萍张波电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院重庆401331

提出了一种自适应时间常数匹配G_(m)-C电感电流采样方法。该方法通过比较Buck变换器SW点电压的过零时间与G_(m)-C滤波采样电压的过零时间,判断G_(m)-C时间常数是否与DCR时间常数匹配。使用鉴频鉴相器检测二者过零时间差,并控制双向计数... 详细信息

提出了一种自适应时间常数匹配G_(m)-C电感电流采样方法。该方法通过比较Buck变换器SW点电压的过零时间与G_(m)-C滤波采样电压的过零时间,判断G_(m)-C时间常数是否与DCR时间常数匹配。使用鉴频鉴相器检测二者过零时间差,并控制双向计数器,实现对电容阵列等效容值的调制,最终实现自适应时间常数匹配G_(m)-C电感电流采样。与前序工作相比,该校准过程平滑,并且可以在DC-DC变换器正常工作情况下进行在线调制,能有效适应DC-DC变换器工作中温度、电压、电流等外部条件的变化。

关键词：自适应时间常数匹配 G_(m)-C电感电流采样 Buck变换器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

器件与电路参数对SET波形影响仿真研究

引用

微电子学 2023年第6期53卷 1000-1005页

作者：冯皆凯罗萍吴昱操胡家轩袁子俊电子科技大学电子薄膜与集成器件全国重点实验室成都610054 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院重庆400060

利用Sentaurus TCAD仿真软件,建立并校准了MOSFET仿真模型。分析了NMOS器件在重离子轰击下产生的SET波形。结果表明,轰击位置在漏极且入射角呈120°时,器件具有最大的峰值电流。通过建立MIX、TCAD、SPICE三种反相器模型并施加重离... 详细信息

利用Sentaurus TCAD仿真软件,建立并校准了MOSFET仿真模型。分析了NMOS器件在重离子轰击下产生的SET波形。结果表明,轰击位置在漏极且入射角呈120°时,器件具有最大的峰值电流。通过建立MIX、TCAD、SPICE三种反相器模型并施加重离子轰击,研究了不同模拟方式下电路响应对SET波形的影响,指出了采用双指数电流源在SPICE电路中模拟的不准确性。采用MIX模型探究了器件结构及电路环境对SET波形的影响。结果表明,LET能量、栅极长度、轨电压和负载电容都会对SET波形脉宽及平台电流大小产生显著影响,说明了建立SET模拟波形时须综合考虑这些因素。

关键词：空间辐射重离子单粒子瞬态效应混合模型仿真电路响应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种抗负压和抗共模噪声的全集成GaN电平位移电路

引用

微电子学 2023年第1期53卷 55-60页

作者：张永瑜叶自凯石佳伟秦尧明鑫王卓张波电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院重庆401331

设计了一种基于全集成GaN工艺平台,具有抗负压、抗共模噪声的电平位移电路。相较于传统的电平位移电路,通过电路设计将驱动部分的低电压域同高侧部分电路的低电压域保持一致,实现了抗负压的功能。除此之外,针对半桥驱动开关节点的抬升... 详细信息

设计了一种基于全集成GaN工艺平台,具有抗负压、抗共模噪声的电平位移电路。相较于传统的电平位移电路,通过电路设计将驱动部分的低电压域同高侧部分电路的低电压域保持一致,实现了抗负压的功能。除此之外,针对半桥驱动开关节点的抬升、下降引起内部电容充放电并导致信号逻辑错误的问题,对高侧部分电路进行设计,实现了抗共模噪声的能力。在200 V GaN工艺下,电平位移电路将0~6 V的输入信号转换至200~206 V。仿真结果表明,该电平位移电路的上升传输延时为4.74 ns,下降传输延时为4.11 ns,抗开关节点负压为-4 V,具有100 V/ns共模噪声抑制能力。

关键词：全集成GaN电路电平位移电路抗负压抗共模噪声

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：