检索结果-内蒙古大学图书馆

Mn_(3)O_(4)掺杂抗还原X7R纳米BaTiO_(3)基陶瓷的性能研究

功能材料 2025年第3期56卷 3013-3018页

作者：肖蝉吟迟尚超刘叔承张树人唐斌电子科技大学集成电路科学与工程学院成都611731 电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都611731

采用传统固相合成法制备了BaTiO_(3)-SrCO_(3)-MgCO_(3)-xMn_(3)O_(4)-Dy_(2)O_(3)-ZrO_(2)-SiO_(2)(x=0~0.2%(摩尔分数))陶瓷,在1%H_(2)-99%N_(2)混合还原气氛中进行烧结,烧结温度为1320℃。研究了Mn_(3)O_(4)掺杂对纳米BaTiO_(3)基陶瓷的影响,发现掺杂Mn有利于陶瓷介电常数以及绝缘电阻率的提升;陶瓷的容量温度稳定性很大程度取决于Mn的掺杂量,当x=0.05%(摩尔分数)时,得到高介电常数(ε=3267)、良好的绝缘电阻率(ρ_(v)=3.82×10^(11)Ω·cm)和低介质损耗(tanδ=1.03%)的抗还原纳米BaTiO_(3)基陶瓷,温度特性满足EIA X7R(-55~125℃,ΔC/C_(25℃)≤±15%)标准,具有良好的BME-MLCC应用前景。

关键词：纳米钛酸钡抗还原高介电常数温度稳定性

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基于级联多模干涉耦合器的模式选择开关

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光子学报 2025年第3期54卷 154-166页

作者：王曼卓姚振涛孙朝阳张越方记民孙小强吴远大张大明吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室中国科学院大学材料科学与光电技术学院中国科学院半导体研究所光电材料与器件重点实验室

提出并制备了一种由1×3多模干涉（Multimode Interference,MMI）耦合器和3×3 MMI耦合器级联构建的二氧化硅波导模式选择开关，通过热光调制改变输入至3×3 MMI耦合器光信号的相位，可实现一阶模(E10)输入转换为基模(E00)... 详细信息

提出并制备了一种由1×3多模干涉（Multimode Interference,MMI）耦合器和3×3 MMI耦合器级联构建的二氧化硅波导模式选择开关，通过热光调制改变输入至3×3 MMI耦合器光信号的相位，可实现一阶模(E10)输入转换为基模(E00)，并有选择地从目标端口输出；当输入为基模(E00)时，E00可直接由选定端口输出。开关采用光束传播方法（Beam Propagation Method,BPM）进行设计和优化，并且通过标准CMOS技术制备。测试结果表明，一阶模(E10)在两个输出端口间切换时，驱动功耗分别为170 mW和395.3 mW。在1 523～1 556 nm波长范围内，三个输出端口的插入损耗、串扰和消光比分别≤10 dB、≤-15 dB和≥15 dB。开关的上升时间为0.941 8 ms，下降时间为1.042 ms。所提出的模式选择开关在片上信号路由应用中具有良好的潜力。

关键词：光通信多模干涉模分复用模式开关二氧化硅波导

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P-V-L键理论在微波介质陶瓷性能调控中的应用

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无机材料学报 2025年

作者：胡智超杨鸿宇杨鸿程孙成礼杨俊李恩竹电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院西南石油大学新能源与材料学院中国振华集团云科电子有限公司

目前通信技术的飞速发展对介质陶瓷滤波器提出了越来越严苛的要求，如何高效设计新的介质材料以推动其发展意义重大。材料的结构与性能之间的关系对于微波介质陶瓷的合成与设计至关重要。P-V-L 键理论旨在通过计算提供晶体结构参数和基... 详细信息

目前通信技术的飞速发展对介质陶瓷滤波器提出了越来越严苛的要求，如何高效设计新的介质材料以推动其发展意义重大。材料的结构与性能之间的关系对于微波介质陶瓷的合成与设计至关重要。P-V-L 键理论旨在通过计算提供晶体结构参数和基本化学键特征，例如化学键的键离子性、键共价性、键敏感性、晶格能、键能等，这些参数为微波介质陶瓷的改性设计提供了理论基础和指导。近年来，研究人员致力于将P-V-L键理论运用到众多的陶瓷体系，解释微波介质陶瓷结构与性能之间的关系，并以此理论为基础提出新的改性策略，从而获得了优异的微波介电性能。本文详细介绍了P-V-L键理论的基本概念和复杂多晶的二元键合公式，概述了该理论在微波介质陶瓷领域中针对化学键参数和化学键特征的计算方法，同时分析了近年来P-V-L键理论在几类常见微波介质陶瓷体系中的应用，结果表明通过P-V-L 键理论分析可以提供离子掺杂改性体系中的键特征、结构演变和介电性能，这对于微波介质陶瓷的发展和应用方向具有重要意义。

关键词：微波介质陶瓷晶体结构 P-V-L键理论应用综述

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氧化镓肖特基二极管硼离子注入终端技术研究

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人工晶体学报 2025年第3期54卷 524-529页

作者：沈睿郁鑫鑫李忠辉陈端阳赛青林谯兵周立坤董鑫齐红基陈堂胜南京电子器件研究所中国电科碳基电子重点实验室南京210016 固态微波器件与电路全国重点实验室南京210016 中国科学院上海光学精密机械研究所上海201800 杭州富加镓业科技有限公司杭州311421 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室长春130012

β-Ga_(2)O_(3)具有禁带宽度大和击穿场强高等优异的物理特性,被认为是制作新一代大功率、高效率电力电子器件的理想半导体材料。然而,无终端的Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)容易在肖特基电极边缘产生高峰值电场,导致器件过早击穿,... 详细信息

β-Ga_(2)O_(3)具有禁带宽度大和击穿场强高等优异的物理特性,被认为是制作新一代大功率、高效率电力电子器件的理想半导体材料。然而,无终端的Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)容易在肖特基电极边缘产生高峰值电场,导致器件过早击穿,影响其耐压特性。因此,本文提出通过对器件肖特基金属边缘进行硼(B)离子选区注入来构建埋层高阻终端,从而调控电极边缘的电场分布,以达到提升击穿电压的效果。B离子注入的能量和剂量分别为60 keV和7×1014 cm^(-2),通过仿真估算注入深度约为200 nm。采用B离子注入终端后,Ga_(2)O_(3)SBD器件的导通特性未发生明显变化,比导通电阻仍为2.5 mΩ·cm^(2)左右,而击穿电压则从429 V大幅度提升至1402 V,增幅达226%,对应的功率优值从74 MW/cm^(2)提升至767 MW/cm^(2)。通过仿真研究了器件电场分布,发现采用B注入终端后,肖特金属电极边缘的电场峰值得到显著抑制,且随着注入深度的增大而逐步下降。本工作为高性能Ga_(2)O_(3)功率器件终端结构的设计提供了新的研究思路。

关键词： β-Ga_(2)O_(3) 肖特基二极管硼离子注入边缘终端击穿电压

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MOCVD生长的外延层掺杂氧化镓场效应晶体管

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人工晶体学报 2025年第2期54卷 312-318页

作者：郁鑫鑫沈睿于含张钊赛青林陈端阳杨珍妮谯兵周立坤李忠辉董鑫张洪良齐红基陈堂胜南京电子器件研究所中国电科碳基电子重点实验室南京210016 固态微波器件与电路全国重点实验室南京210016 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室长春130012 中国科学院上海光学精密机械研究所上海201800 杭州富加镓业科技有限公司杭州311421 厦门大学化学化工学院厦门361005

本文基于Ga_(2)O_(3)MOCVD外延材料,开展了Ga_(2)O_(3)场效应晶体管的研制和性能研究。为了降低器件的导通电阻,优化了外延层设计,将掺杂浓度提高至1×10^(18) cm^(-3)以上。通过长沟道器件提取的外延层的电子浓度和场效应迁移率分... 详细信息

本文基于Ga_(2)O_(3)MOCVD外延材料,开展了Ga_(2)O_(3)场效应晶体管的研制和性能研究。为了降低器件的导通电阻,优化了外延层设计,将掺杂浓度提高至1×10^(18) cm^(-3)以上。通过长沟道器件提取的外延层的电子浓度和场效应迁移率分别为2×10^(18) cm^(-3)和55 cm^(2)/(V·s),相应的沟道方阻为10.3 kΩ/sq。研制的栅漏间距2和16μm的Ga_(2)O_(3)MOSFET器件的比导通电阻分别为2.3和40.0 mΩ·cm^(2),对应的击穿电压分别达到458和2324 V。为了进一步提升器件的击穿电压,采用p型NiO制备栅电极,研制的Ga_(2)O_(3)JFET器件导通电阻显著增大,但击穿电压分别提升至755和3000 V以上。计算了不同栅漏间距器件的功率优值(P-FOM),发现其随栅漏间距的增加先增大后减小,其中栅漏间距为8μm的Ga_(2)O_(3)MOSFET器件获得了最高的P-FOM,达到了192 MW/cm^(2),表明MOCVD外延技术在Ga_(2)O_(3)功率器件上具有重要的应用前景。

关键词：氧化镓 MOCVD外延掺杂比导通电阻击穿电压功率优值

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有限厚度平面周期结构的快速算法研究

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电波科学学报 2011年第3期26卷 615-619页

作者：车永星侯新宇电子薄膜与集成器件国家重点实验室

给出一种能够快速有效计算有限厚度平面周期结构电磁特性的积分方程矩量法,并对有限厚度的四腿加载单元频率选择表面的电磁特性做了详细的分析和研究。给出了不同金属屏厚度下频率选择表面的反射、传输特性,远场散射特性及表面电场分布... 详细信息

给出一种能够快速有效计算有限厚度平面周期结构电磁特性的积分方程矩量法,并对有限厚度的四腿加载单元频率选择表面的电磁特性做了详细的分析和研究。给出了不同金属屏厚度下频率选择表面的反射、传输特性,远场散射特性及表面电场分布。通过分析可知:在高频谐振情况下,金属屏厚度对其电磁特性具有较明显的影响。文中方法与高频结构仿真器(HFSS)计算所得结果取得了很好的一致性,同时,在计算时效上也得到了提高。

关键词：平面周期结构频率选择表面(FSS) 积分方程一矩量法(IE—MoM) 矢量位格林函数

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钛圆盘阵列增强微测辐射热计太赫兹波吸收特性

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物理学报 2019年第20期68卷 292-300页

作者：牛青辰苟君王军蒋亚东电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室

提出一种集成在微桥结构中的二维亚波长周期钛(Ti)金属圆盘阵列结构,以增强太赫兹微测辐射热计的吸收率.基于严格耦合波分析方法,建立吸收结构模型,研究了不同结构的Ti圆盘阵列及其在微桥阵列结构中的太赫兹波吸收特性.周期Ti圆盘阵列... 详细信息

提出一种集成在微桥结构中的二维亚波长周期钛(Ti)金属圆盘阵列结构,以增强太赫兹微测辐射热计的吸收率.基于严格耦合波分析方法,建立吸收结构模型,研究了不同结构的Ti圆盘阵列及其在微桥阵列结构中的太赫兹波吸收特性.周期Ti圆盘阵列结构降低了金属的表面等离子体频率,在太赫兹波段激发伪表面等离子体激元并实现共振增强吸收.共振吸收频率由周期、直径等Ti圆盘阵列的结构参数决定,圆盘厚度则对太赫兹波吸收率有重要影响,微桥结构中的谐振腔结构可降低共振频率并增强耦合效率.设计的微桥探测结构以较小的Ti圆盘阵列周期(37μm)实现突破衍射极限的太赫兹波约束,在3.5 THz (波长85.7μm)实现接近90%的太赫兹波吸收率,满足太赫兹微测辐射热计小尺寸、高吸收及工艺兼容的要求.

关键词：太赫兹微测辐射热计伪表面等离子体激元严格耦合波分析

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太赫兹波段谐振频率可调的开口谐振环结构

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物理学报 2013年第6期62卷 143-148页

作者：戴雨涵陈小浪赵强张继华陈宏伟杨传仁电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

开口谐振环(SRRs)结构可以激励磁谐振,实现负的磁导率.提出在SRRs两环间隙内引入相对交错的金属短线,并研究了金属短线对谐振频率的影响.结果表明:随着金属短线数目的增多,谐振频率显著降低,同时金属短线的结构参数如长度、宽度及间距... 详细信息

开口谐振环(SRRs)结构可以激励磁谐振,实现负的磁导率.提出在SRRs两环间隙内引入相对交错的金属短线,并研究了金属短线对谐振频率的影响.结果表明:随着金属短线数目的增多,谐振频率显著降低,同时金属短线的结构参数如长度、宽度及间距也会对谐振频率产生影响.最后验证了金属短线的引入对减小器件尺寸有明显作用,且不因介质基底的存在而受到影响.新型磁谐振单元可为今后超材料的设计及实际应用提供新的参考.

关键词：左手材料开口谐振环太赫兹小型化

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Y_(3)Fe_(5)O_(12)-CoFeB自旋波定向耦合器中的自旋波

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物理学报 2021年第18期70卷 305-311页

作者：闫健任志伟钟智勇电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

介绍了一种基于Y_(3)Fe_(5)O_(12)和CoFeB复合结构耦合的新型定向耦合器,并利用微磁学仿真软件Mumax^(3)及其配套工具链分析了自旋波在其中的传播特性.通过在Y_(3)Fe_(5)O_(12)定向耦合器中添加一种高饱和磁化强度材料(CoFeB)来增强耦... 详细信息

介绍了一种基于Y_(3)Fe_(5)O_(12)和CoFeB复合结构耦合的新型定向耦合器,并利用微磁学仿真软件Mumax^(3)及其配套工具链分析了自旋波在其中的传播特性.通过在Y_(3)Fe_(5)O_(12)定向耦合器中添加一种高饱和磁化强度材料(CoFeB)来增强耦合波导的耦合效率,并从器件的尺寸形状、内部等效场以及耦合机理等角度分析了其变化原因.结果表明,相较于传统的定向耦合器,这种复合结构能够极大地降低自旋波在耦合波导间的耦合长度.从应用的角度看,在功能相同的情况下,整个器件的长度可以缩短数倍,具有更好的发展前景.

关键词：自旋波定向耦合器微磁学模拟耦合长度

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Mn_3O_4对LiZn铁氧体磁性能、微结构和电阻率的影响

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无机材料学报 2010年第1期25卷 77-82页

作者：蒋晓娜兰中文余忠庄亚明刘培元电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

按组成Li0.35Zn0.30Fe2.29MnxO4-δ+0.005mol%Bi2O3和Li0.35Zn0.30Fe2.29O4-δ+0.005mol%Bi2O3+x/3mol%Mn3O4(x=0.02～0.08)在920和950℃制备缺铁LiZn铁氧体,分别在原料和预烧料中添加Mn3O4.结果表明:920℃烧结时,在原料中添加适量Mn3O4可提高样品饱和磁化强度Ms和剩磁Br,降低矫顽力Hc,而在预烧料中添加Mn3O4对Ms和Br影响不大,不完全固相反应导致两种样品Hc很高,但在原料中添加Mn3O4的样品Hc相对较低.950℃烧结时,两组样品Hc均大幅下降,但在原料中添加Mn3O4的样品Hc反而相对较高.两种方式添加Mn3O4均可提高电阻率ρ,x=0.06时ρ出现峰值,且在原料中添加Mn3O4的样品ρ较高.

关键词： LiZn铁氧体 Mn3O4 磁性能微结构电阻率

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