＜正＞金属碘酸盐由于含有处于不对称配位环境的碘（V）离子可形成丰富奇特的结构,其中不少化合物是潜在的新型倍频材料。本课题组采用水热合成方法得到了一系列新型碘酸盐倍频晶体。将d0过渡金属复合到碘酸盐中得到了BaNbO（IO3）5、NaVO2（IO3）2（H2O）、K（VO）2O2（IO3）3、Tl（VO）2O2（IO3）3和Zn2（VO4）（IO3）,它们的倍频系数分别为14 x KDP、20 x KDP、3.6 x KTP、1.2 x KTP和6 x KDP。利用两种孤对电子的复合得到了PbPt（IO3）6（H2O）、Ln3Pb3（IO3）13（μ-O）（Ln=La,Ce,Pr,Nd）。PbPt（IO3）6（H2O）的倍频系数为KDP的8
固态Sn S的带隙在1.3 e V左右,可以作为p型半导体用于光伏材料的吸收端,具有廉价和无毒的特征,但是由于转换效率低,需要对其进行化学或物理的改性修饰。我们用第一性原理研究了Sn S纳米管的几何结构、能带和化学参杂后的电子结构的变化...
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固态Sn S的带隙在1.3 e V左右,可以作为p型半导体用于光伏材料的吸收端,具有廉价和无毒的特征,但是由于转换效率低,需要对其进行化学或物理的改性修饰。我们用第一性原理研究了Sn S纳米管的几何结构、能带和化学参杂后的电子结构的变化。我们计算了不同对称性和不同尺度的Sn S管,结果表明沿固体Sn S晶胞c轴方向卷曲而成的(0,n)型管其扭曲能量最小,而沿b轴方向卷曲的(n,0)管扭曲能量最大,(n,n)管的扭曲能量介于前两者之间,(0,n)管的扭曲能量和相同直径的碳纳米管扭曲能量接近。第一性原理计算表明(0,n)管是间接带隙,(n,0)是直接带隙。随着管的半径增大,这三种管的带隙都逐渐增大,趋向于固态Sn S的带隙。在(0,n)管的外部参入第五主族元素导致其带隙显著减小,参N、P和As时其带隙分别为0.48、0.11和0.10 e V,同时由间接带隙半导体转换成直接带隙半导体。参Sb和Bi时则成为导体。
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