检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体技术 2017年第11期42卷 813-819页

作者：陈新伟于海洋徐华超福建省信息处理与智能控制重点实验室福州市机器人技术应用联合实验室福州350108 南开大学电子信息与光学工程学院天津300350

采用VIS 0.40μm BCD工艺,设计并实现了一种带有修调技术的应用于温度补偿晶体振荡器(TCXO)的新型五次方电压发生器电路,该五次方电压发生器电路主要由五次方电压产生电路与修调电路两部分构成。其中,五次方电压产生电路采用曲线拟合技... 详细信息

采用VIS 0.40μm BCD工艺,设计并实现了一种带有修调技术的应用于温度补偿晶体振荡器(TCXO)的新型五次方电压发生器电路,该五次方电压发生器电路主要由五次方电压产生电路与修调电路两部分构成。其中,五次方电压产生电路采用曲线拟合技术,相较于传统的乘法器级联结构具有更高的精度;新型修调电路用来改变五次方电压发生器的系数,采用双路开关技术提高了修调结果的精度。仿真结果显示,该五次方电压发生器的最大拟合误差为1.2%。测试结果显示,采用该新型五次方电压发生器电路设计的TCXO,其频率-温度稳定度达到(±0.45)×10^(-6),相位噪声为-135 d Bc/Hz@1 kHz,芯片面积为2 782μm×2 432μm。

关键词：五次方电压发生器温度补偿晶体振荡器(TCXO) 修调电路频率-温度稳定度相位噪声

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一款应用于物联网芯片的皮安级CMOS电压基准源

引用

电子技术应用 2019年第11期45卷 42-46页

作者：周爽陈新伟黔东南民族职业技术学院物联网技术系贵州凯里556000 福建省信息处理与智能控制重点实验室福州市机器人技术应用联合实验室福建福州350108

设计了一种应用于物联网芯片的极低功耗电压基准源。由于漏致势垒降低(Drain-Induced Barrier Lowering,DIBL)效应,栅致漏极泄漏(Gate-Induced Drain Leakage,GIDL)效应及栅-漏电容馈通效应的影响,传统的基于MOS管漏电流的皮安级电压基... 详细信息

设计了一种应用于物联网芯片的极低功耗电压基准源。由于漏致势垒降低(Drain-Induced Barrier Lowering,DIBL)效应,栅致漏极泄漏(Gate-Induced Drain Leakage,GIDL)效应及栅-漏电容馈通效应的影响,传统的基于MOS管漏电流的皮安级电压基准源虽然可以实现较低的温度系数,但是线性调整率及电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio,PSRR)过低,大大限制了其在具有高电源噪声的物联网芯片中的应用。在传统的双MOS管电压基准源基础上,基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种新型的自稳压五MOS管电压基准源。Spectre仿真结果显示,0~120℃范围内,该自稳压五MOS管电压基准源的平均温度系数为39.2 ppm/℃;电源电压1.0~2.0 V范围内,该电压基准源的线性调整率为33.4 ppm/V;负载电容3 pF情况下,该电压基准的PSRR性能为-9 dB@0.01 Hz及-62 dB@100 Hz。另外,在该0.18μm CMOS工艺下,该电压基准的电流消耗仅为59 pA@27℃,版图面积仅为5 400μm^2。

关键词：电压基准线性调整率 PSRR 物联网

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