检索结果-内蒙古大学图书馆

真空 2010年第3期47卷 44-47页

作者：田修波吴忠振石经纬李希平巩春志杨士勤哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室等离子体表面技术与设备研究所哈尔滨150001

高功率脉冲磁控溅射技术(HPPMS)由于能够产生较高的离化率而受到人们的重视。为了提高离化率/沉积速率协同效应,基于直流和脉冲耦合叠加技术我们研制了高功率密度复合脉冲磁控溅射电源,并对高功率复合脉冲磁控溅射放电特性进行研究。结... 详细信息

高功率脉冲磁控溅射技术(HPPMS)由于能够产生较高的离化率而受到人们的重视。为了提高离化率/沉积速率协同效应,基于直流和脉冲耦合叠加技术我们研制了高功率密度复合脉冲磁控溅射电源,并对高功率复合脉冲磁控溅射放电特性进行研究。结果表明脉冲峰值电流随脉冲电压的增加而增加,但随着脉冲宽度的增加而减小。在高功率脉冲期间工件上获得的电流可以增加一个数量级以上,表明磁控离化率得到显著增强。

关键词：高功率脉冲复合磁控溅射峰值电流放电特性

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高功率脉冲磁控（HiPIMS）具有常规直流磁控的沉积速率可能吗?

高功率脉冲磁控（HiPIMS）具有常规直流磁控的沉积速率可能吗?

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第十二届海峡两岸薄膜科学与技术研讨会

作者：田修波巩春志张新宇哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室等离子体表面技术与设备研究所

＜正＞～～

关键词：薄膜材料高功率脉冲磁控沉积速率放电模式

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PVD硬质薄膜的膜层质量与稳定性控制因素(Ⅰ):工件偏压

PVD硬质薄膜的膜层质量与稳定性控制因素(Ⅰ):工件偏压

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广东省真空学会第五届会员代表大会暨2014年学术年会

作者：田修波巩春志等离子体表面技术与设备研究所哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室

磁控溅射和阴极弧沉积已经成为目前硬质薄膜制备的主要手段。工业界希望膜层具有较高的质量,如更高的膜基结合力、更好的硬度和耐磨性;同时人们也关心镀膜质量的稳定性。影响膜层质量及其性能稳定性的因素很多,如等离子体源功率、温度... 详细信息

磁控溅射和阴极弧沉积已经成为目前硬质薄膜制备的主要手段。工业界希望膜层具有较高的质量,如更高的膜基结合力、更好的硬度和耐磨性;同时人们也关心镀膜质量的稳定性。影响膜层质量及其性能稳定性的因素很多,如等离子体源功率、温度、工作气压、工件偏压等,操作人员能够改变和优化的也是这些参数,其核心是改变等离子体密度、种类以及淀积到工件上的粒子流密度和能流密度等等。最近一段时间,人们将较多的精力集中在等离子体源的改进提升上,如减少多弧的大

关键词： PVD 硬质薄膜稳定性控制

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高脉冲功率磁控溅射电源及放电特性研究

高脉冲功率磁控溅射电源及放电特性研究

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第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会

作者：田修波吴忠振巩春志杨士勤等离子体表面技术与设备研究所现代焊接生产技术国家重点实验室哈尔滨工业大学

高脉冲功率磁控溅射(HPPMS)技术是最近发展起来的一种新型磁控溅射技术。由于在高功率脉冲期间,溅射粒子离化率很高,有时可达70-80%,因此HPPMS模式制备的膜层致密、性能优良,HPPMS可以被看做为"无大颗粒"的阴极弧技术,受到国... 详细信息

高脉冲功率磁控溅射(HPPMS)技术是最近发展起来的一种新型磁控溅射技术。由于在高功率脉冲期间,溅射粒子离化率很高,有时可达70-80%,因此HPPMS模式制备的膜层致密、性能优良,HPPMS可以被看做为"无大颗粒"的阴极弧技术,受到国外很多

关键词：磁控溅射 HPPMS 放电特性高脉冲

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高功率脉冲磁控溅射技术——灵活的薄膜技术

高功率脉冲磁控溅射技术——灵活的薄膜技术

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TFC’09全国薄膜技术学术研讨会

作者：田修波吴忠振巩春志杨士勤等离子体表面技术与设备研究所现代焊接生产技术国家重点实验室哈尔滨工业大学

高功率脉冲(HPPMS)技术由于较高的溅射粒子离化率而得到人们重视,该技术在欧洲兴起已有多年,国内研究刚刚起步。利用直流功率和脉冲功率的耦合,可以获得高离化率的脉冲时段,通过高功率脉冲的占空比可以调节沉积到基片上原子和离子的比... 详细信息

高功率脉冲(HPPMS)技术由于较高的溅射粒子离化率而得到人们重视,该技术在欧洲兴起已有多年,国内研究刚刚起步。利用直流功率和脉冲功率的耦合,可以获得高离化率的脉冲时段,通过高功率脉冲的占空比可以调节沉积到基片上原子和离子的比例。这样通过改变基片

关键词：高功率脉冲磁控溅射离化率

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电磁场增强的超高密度等离子体激励硬件设计及应用

电磁场增强的超高密度等离子体激励硬件设计及应用

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第四届粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2020年广东省真空学会学术年会

作者：田修波先进焊接与连接国家重点实验室哈尔滨工业大学等离子体表面技术与设备研究所哈尔滨工业大学松山湖材料实验室

真空等离子体镀膜已经几乎遍布各个行业,从个人生活中的眼镜到高科技领域的半导体、航空航天都需要等离子体镀膜。等离子体镀膜的核心工具是等离子体激励系统(包括电源和等离子体源)。等离子体产生基于电场、磁场或磁场电场耦合。为了... 详细信息

真空等离子体镀膜已经几乎遍布各个行业,从个人生活中的眼镜到高科技领域的半导体、航空航天都需要等离子体镀膜。等离子体镀膜的核心工具是等离子体激励系统(包括电源和等离子体源)。等离子体产生基于电场、磁场或磁场电场耦合。为了获得高密度等离子体或瞬间更高密度等离子体一般需要电源和磁场创新设计。本文介绍一些高密度等离子体激励、维持、输运过程中的电、磁耦合效应及其应用,如高电流脉冲电弧的外磁场和自磁场利用、高功率脉冲磁控的内外磁场优化与配合、电场和磁场耦合的电弧斑点控制以及高密度辉光放电等等。希望能对真空镀膜的装备结构设计、工艺优化提供一些有益的借鉴。

关键词：高密度等离子体电磁场增强硬件设计

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高离化脉冲磁控放电与溅射技术

高离化脉冲磁控放电与溅射技术

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薄膜技术高峰论坛暨广东省真空学会学术年会

作者：田修波吴忠振石经纬巩春志杨士勤哈尔滨工业大学材料学院现代焊接生产技术国家重点实验室等离子体表面技术与设备研究所

高离化率脉冲磁控溅射技术(HIPMS)作为一种溅射粒子离化率高、可以沉积致密、高性能薄膜的新技术已经在国外广泛研究,但在国内尚未见研究报道。本文介绍了HIPMS技术放电等离子体的特点,即等离子体密度高、溅射材料离化率高、离子平均电... 详细信息

高离化率脉冲磁控溅射技术(HIPMS)作为一种溅射粒子离化率高、可以沉积致密、高性能薄膜的新技术已经在国外广泛研究,但在国内尚未见研究报道。本文介绍了HIPMS技术放电等离子体的特点,即等离子体密度高、溅射材料离化率高、离子平均电荷数高、成膜离子比例大、离子能量高等。HPPMS技术制备的薄膜由于受到高能离子轰击,更加致密、缺陷少、表面光滑,进而表现出较高的硬度、结合力、耐磨性、耐腐蚀性,以及抗高温氧化性能。最后介绍了我们研究所开发的高离化率复合脉冲磁控溅射电源及HIPMS实际应用的一些成功案例。

关键词：高离化率脉冲磁控溅射离化率离子能量薄膜性能

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新型高沉积速率高离化率脉冲磁控溅射(HiPIMS)电源及膜层高致密性研究

新型高沉积速率高离化率脉冲磁控溅射(HiPIMS)电源及膜层高致密性...

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中国真空学会2016学术年会

作者：田修波巩春志张新宇王雪松哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室黑龙江哈尔滨150001 哈尔滨工业大学等离子体表面技术与设备研究所黑龙江哈尔滨150001

高功率磁控溅射技术具有膜层致密、膜基结合力好以及薄膜均匀等优点,已经得到国际镀膜大公司(如Balzers,cemecon 等)以及学术界的广泛重视,但是其较低的沉积速率成为制约其发展的重要因素.这是因为高功率脉冲磁控溅射利用了高压(0.5～2....

高功率磁控溅射技术具有膜层致密、膜基结合力好以及薄膜均匀等优点,已经得到国际镀膜大公司(如Balzers,cemecon 等)以及学术界的广泛重视,但是其较低的沉积速率成为制约其发展的重要因素.这是因为高功率脉冲磁控溅射利用了高压(0.5～2.0kV)、大电流(100-1000A)脉冲作用在磁控靶上诱导高密度等离子体放电.但由于高的靶电压使得等离子体中的金属离子回吸以及电流中的二次电子比例增多,使得同样功率下HiPIMS 技术的沉积速率降低(比较于常规直流磁控溅射),但是膜层致密性和等离子体化学活性明显增加(高化学计量比).针对传统高功率磁控溅射技术沉积速率的问题,我们研究所在前面几代高功率脉冲电源基础上,提出了一种新型的复合脉冲高功率磁控溅射技术.基于等离子体非线性技术,通过多模式脉冲组合,实现了磁控靶低工作电压下的高电流放电模式,进而降低了靶材回吸作用、获得一种新型的高离化率和高沉积速率磁控溅射技术.以CrN 溅射沉积为例,沉积速率较传统HiPIMS 提高2 倍以上,而且膜层非常致密.本文将重点介绍新研制的HiPIMS 电源特点、放电特性以及高致密化的CrN 膜层结构.

关键词：

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高离化脉冲磁控放电与溅射技术

高离化脉冲磁控放电与溅射技术

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2009年薄膜技术高峰论坛暨广东省真空学会学术年会

作者：田修波吴忠振石经纬巩春志杨士勤哈尔滨工业大学材料学院现代焊接生产技术国家重点实验室等离子体表面技术与设备研究所哈尔滨150001

本文介绍了HIPMS技术放电等离子体的特点,即等离子体密度高、溅射材料离化率高、离子平均电荷数高、成膜离子比例大、离子能量高等.HPPMS技术制备的薄膜由于受到高能离子轰击,更加致密、缺陷少、表面光滑,进而表现出较高的硬度、结合力... 详细信息

本文介绍了HIPMS技术放电等离子体的特点,即等离子体密度高、溅射材料离化率高、离子平均电荷数高、成膜离子比例大、离子能量高等.HPPMS技术制备的薄膜由于受到高能离子轰击,更加致密、缺陷少、表面光滑,进而表现出较高的硬度、结合力、耐磨性、耐腐蚀性,以及抗高温氧化性能.作者以TiN薄膜的沉积为例，利用这种电源极易获得颜色金黄且膜基结合力很高的薄膜，工艺范围很宽，即使对本实验室所使用的小圆形靶，也非常容易得性能优异的膜层。

关键词：薄膜材料制备工艺离子能量化学性能物理性能

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耦合电源技术——真空等离子体表面处理的新希望

耦合电源技术——真空等离子体表面处理的新希望

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第九届真空冶金与表面工程学术会议

作者：田修波等离子体表面技术与设备研究所现代焊接生产技术国家重点实验室材料科学与工程学院哈尔滨工业大学

等离子体表面技术已经得到了越来越广泛的应用,真空等离子体表面技术也得到了长足发展。无论是真空获得、等离子体产生与控制,还是自动化过程控制以及应用电源技术,每一个技术的进步都为真空镀膜的水平提升提供了基础和平台。为了获得... 详细信息

等离子体表面技术已经得到了越来越广泛的应用,真空等离子体表面技术也得到了长足发展。无论是真空获得、等离子体产生与控制,还是自动化过程控制以及应用电源技术,每一个技术的进步都为真空镀膜的水平提升提供了基础和平台。为了获得更好的膜层质量和工艺优化,人们采用多种复合等离子体源或复合偏压电源或复合等离子体源/偏压电源技术,如射频/磁控、阴极弧/磁控、离子注入/沉积等等以产生需要的综合表面性能,然而这些复合一般需要分离的源头或分批处理,不仅占用空间,而且工艺复杂。国际上的一种新趋势已经出现------耦合电源技术,即所用的电源不再孤立工作,而是同体耦合,这样不仅节省了空间,更关键的是使得膜层质量和性能得到大幅度提高、工艺优化更加简便。本研究所已经开发出一些列耦合电源,其中包括:高压脉冲/射频同体耦合电源、高压脉冲/低压直流耦合电源、高脉冲/直流磁控电源(高功率脉冲磁控溅射)、射频/直流磁控溅射电源、中低压脉冲/直流偏压电源、直流/射频偏压电源等等。本文结合国外发展趋势和本研究所的研究成果,介绍这些耦合电源的设计、放电控制、应用优势以及潜在的发展前景。

关键词：等离子体表面处理

来源：评论

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