检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2025年第1期74卷 255-269页

作者：邵军陈熙仁王嫚陆卫中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 国科大杭州高等研究院物理与光电工程学院杭州310024 中国科学院上海技术物理研究所红外探测全国重点实验室上海200083 中国科学院大学北京100049

光致发光光谱能够揭示半导体材料带隙、杂质能级等电子结构信息,还可以分析界面、载流子寿命、量子效率,在紫外-近红外波段得到广泛应用.在约4μm以长红外波段,由于热背景干扰强、光致发光信号弱、探测能力低,光致发光光谱研究长期受限... 详细信息

光致发光光谱能够揭示半导体材料带隙、杂质能级等电子结构信息,还可以分析界面、载流子寿命、量子效率,在紫外-近红外波段得到广泛应用.在约4μm以长红外波段,由于热背景干扰强、光致发光信号弱、探测能力低,光致发光光谱研究长期受限.本文介绍了利用傅里叶变换光谱仪测量光致发光光谱的常规方法,简述了为突破红外波段困境于1989年提出、历经20多年发展的连续扫描傅里叶变换双调制光致发光光谱方法及所受机理局限;分析了2006年报道的基于步进扫描傅里叶变换光谱仪的红外调制光致发光光谱方法的抗干扰、灵敏度、信噪比优势,列举了国际上诸多研究组对红外调制光致发光光谱方法有效性的例证和以此取得的应用研究进展;总结了近年来宽波段、高通量扫描成像和空间微区分辨红外调制光致发光光谱测试方法发展以及从0.56-20μm可见-远红外宽波段覆盖到千级通道光谱高通量检测、2-3μm微区分辨红外调制光致发光光谱技术进步,列举了应用研究稀氮/稀铋量子阱、HgCdTe外延膜、InAs/GaSb超晶格等可见-远红外半导体材料阶段结果和合作研究典型进展.本文展现了红外调制光致发光光谱方法先进性和宽波段、高通量扫描成像与空间微区分辨光谱测试方法有效性,预见了未来进一步应用研究方向.

关键词：光致发光傅里叶变换红外光谱仪步进扫描半导体

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蒸发因素对高密度焦平面铟凸点制备影响研究

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红外与激光工程 2025年第1期54卷 137-145页

作者：宝鹏飞朱宪亮于春蕾杨波邵秀梅李雪刘大福中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院大学北京100049

高一致性、高深宽比凸点制备是高密度红外焦平面制造的关键技术之一。以10μm间距铟凸点阵列为研究对象,通过提取铟凸点高度、顶部直径、生长速率纵横比和铟膜粗糙度等参数,结合薄膜形核生长理论,深入分析热蒸发过程中关键因素对铟凸点... 详细信息

高一致性、高深宽比凸点制备是高密度红外焦平面制造的关键技术之一。以10μm间距铟凸点阵列为研究对象,通过提取铟凸点高度、顶部直径、生长速率纵横比和铟膜粗糙度等参数,结合薄膜形核生长理论,深入分析热蒸发过程中关键因素对铟凸点生长的影响,为更小间距铟凸点制备提供理论与技术参考。实验结果表明,沉积速率和基底温度对铟凸点生长的影响具有两面性:一方面,高沉积速率和低基底温度会细化铟膜晶粒,有利于沉积高均匀性铟凸点阵列。基底温度下降了45 K,铟凸点高度非均匀性从15.4%降低到6.6%,铟凸点顶部直径范围差下降了0.9μm。沉积速率增加了21A/s后,铟凸点高度非均匀性从11.8%降低到6.6%,铟凸点顶部直径范围差下降了0.4μm。另一方面,高沉积速率下的动理学粗糙化影响比重增加,铟薄膜粗糙度随沉积速率变化趋缓。同时高沉积速率和低基底温度下的光刻孔缘铟向四周扩散的能力减弱,继续降温后铟层横向生长速率从3.4?/s升至4.1?/s,光刻孔加速闭合不利于高密度、高深宽比、高均匀性铟凸点的生长制备。

关键词：红外焦平面铟凸点热蒸发基底温度沉积速率

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基于多目标粒子群优化算法设计的双波段窄带热辐射器

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红外与毫米波学报 2025年第1期44卷 11-16页

作者：邱千里章晋国周东劼谈冲孙艳郝加明戴宁中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院大学北京100049 复旦大学光电研究院上海200433 国科大杭州高等研究院物理与光电工程学院浙江杭州310024

双波段窄带热辐射器在红外传感、加密、检测等众多领域具有重要的应用潜力。这种辐射器能够提供集中且精确的红外辐射能量,从而提高红外技术的灵敏度和分辨率。不过,在不同波段构建窄带辐射的条件通常会相互制约,同时实现双波段窄带热... 详细信息

双波段窄带热辐射器在红外传感、加密、检测等众多领域具有重要的应用潜力。这种辐射器能够提供集中且精确的红外辐射能量,从而提高红外技术的灵敏度和分辨率。不过,在不同波段构建窄带辐射的条件通常会相互制约,同时实现双波段窄带热辐射仍具有一定的挑战性。本文提出了一种新型无需光刻的红外双波段窄带热辐射器。该辐射器由铝薄膜上非周期性的交替沉积Ge和YbF_(3)薄膜组成,Ge和YbF_(3)薄膜组成的分布式布拉格反射镜和铝基底在一定条件下可以激发Tamm等离激元(Tamm Plasmon Polaritons,TPPs),从而实现窄带辐射。首先使用多目标粒子群优化算法对辐射器的结构参数进行优化,以满足双波段TPP的激发条件。实验结果也验证了双波段辐射器在中波红外和长波红外波段具有窄带辐射的特性。本文提出的方法也可用于多波段辐射调控器件的设计,从而可以应用于多气体传感和多带红外伪装等领域。

关键词：双波段窄带热辐射器多目标粒子群优化算法长波红外

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超高行频高灵敏度短波红外焦平面读出电路研究

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半导体光电 2025年第1期46卷 167-171页

作者：景松黄松垒李淘杨睿杰张镇锋李雪中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083 无锡中科德芯感知科技有限公司无锡214000

针对食品色选以及医疗成像的应用,设计了一款适用于短波红外InGaAs焦平面的高行频高灵敏度1024×1元线列读出电路。读出电路输入级采用CTIA结构,具有较高的注入效率,针对微光、强光等不同应用场景,设计四档积分电容,其中最高增益档... 详细信息

针对食品色选以及医疗成像的应用,设计了一款适用于短波红外InGaAs焦平面的高行频高灵敏度1024×1元线列读出电路。读出电路输入级采用CTIA结构,具有较高的注入效率,针对微光、强光等不同应用场景,设计四档积分电容,其中最高增益档积分电容为10 fF。研究单元电路输出级瞬态响应,优化开关管尺寸、设计高带宽运放以减小关键节点时间常数,进而降低输出级运放噪声,提高动态范围。优化读出电路版图电源网络,抑制功耗过高引起的压降问题。经标准CMOS 0.18μm工艺开展读出电路加工,并与像元中心距12.5μm光敏芯片匹配耦合,读出电路采用边积分边读出工作模式。结果表明,1024×1元线列焦平面功耗为118.8 mW,动态范围为71 dB,积分电容为10 fF档位时噪声小于3.13 mV,实现了40 kHz超高行频读出。

关键词：读出电路高行频动态范围低噪声电源压降

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复空间第一性原理有效算符研究

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中国科学:物理学力学天文学 2025年第5期55卷 60-72页

作者：许志成王思敏许甫荣复旦大学现代物理研究所核物理与离子束应用教育部重点实验室国家自然科学基金委-上海核物理理论研究中心复旦大学北京大学物理学院核物理与核技术国家重点实验室中国科学院近代物理研究所南方核科学中心

核物理第一性原理计算(Ab Initio, First Principle)在近30年来取得了长足的发展,是当今理论核物理研究的先进方法.它从能够高精度复现核子-核子散射数据的现实核力出发,实现了对原子核结构的精确描述,并给出了可靠预言.对远离原子核β... 详细信息

核物理第一性原理计算(Ab Initio, First Principle)在近30年来取得了长足的发展,是当今理论核物理研究的先进方法.它从能够高精度复现核子-核子散射数据的现实核力出发,实现了对原子核结构的精确描述,并给出了可靠预言.对远离原子核β稳定线的弱束缚和非束缚奇异原子核的研究是目前核物理领域研究的前沿,研究这些奇异原子核需要合适地考虑共振态、连续态带来的影响.复空间第一性原理多体微扰理论结合了手征有效场论现实核力和能自洽包含连续态效应的Berggren基,实现了对这些奇异原子核结构的合理描述.为研究连续态效应对滴线区原子核可观测量的影响,在复空间第一性原理计算的多体方法基础上发展出了能自洽考虑价空间和补空间中关联的有效算符方法.这是国际上首次将共振与连续态耦合包含在价空间有效算符的计算中,能自洽地描述滴线区不稳定原子核的能谱、β衰变及其他可观测量.在此基础上,对连续态效应与手征现实核力对原子核能谱、β衰变、电磁跃迁等一系列可观测量的综合影响进行了深入研究.本文综述了复空间第一性原理有效算符研究方面取得的进展.

关键词：第一性原理有效算符共振态连续态滴线区原子核

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地下实验室·深地观测·科学问题——来自深地多物理场观测的启示

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中国科学:地球科学 2025年第2期55卷 348-366页

作者：任辉启王赟陈畅付广裕邱隆清郭良辉谢成良贺永胜孙和平滕吉文军事科学院国防工程研究院北京100850 中国地质大学(北京) 陆内火山与地震教育部重点实验室地质过程与矿产资源国家重点实验室北京100083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院精密测量科学与技术创新研究院武汉430077 中国科学院地质与地球物理研究所北京100029

通过国内外地下实验室实施的科学观测和研究调研分析,首先从宇宙射线本底、重力与地震观测的背景振动噪声、地磁和电磁观测的电磁环境噪声的角度,通过地面、山体隧道空腔、煤矿地下巷道的观测对比介绍了三种环境的差异,说明不同物理场... 详细信息

通过国内外地下实验室实施的科学观测和研究调研分析,首先从宇宙射线本底、重力与地震观测的背景振动噪声、地磁和电磁观测的电磁环境噪声的角度,通过地面、山体隧道空腔、煤矿地下巷道的观测对比介绍了三种环境的差异,说明不同物理场的观测研究应慎重使用地下实验室和深地实验室这一术语;并进一步介绍了我国煤矿井下巷道所具有的大空间、超静与超净特点,以及与山体隧道空腔和钻孔观测相比,煤矿巷道观测所表现出的超高精度长期稳定观测优势.围绕深地科学观测所针对的基础科学问题,文章展示了深地实现的高信噪比微弱震感知能力十分有利于地球介质结构反演精度的提高,深地超导重力观测使得慢地震的捕获和研究成为可能,深地实现的fT级超导磁测则使得Schumann谐振的固体地球衰减特征探索,以及与脑磁、心磁的交叉学科研究成为可能;同时揭示了高精度量子仪器研发需要考虑弱磁扰动可能产生的影响.最后,从深地超高精度多物理场联测及其相互关系研究的角度,讨论了深地实验室对“深空”和“深海”专项的可能支撑作用,强调深地观测平台及其装备技术是系列科学问题解决的基础,以期引起地球科学、物理等学科领域对深地实验室与高精度科学观测的重视.

关键词：深部地下多物理场超高精度测震 Schumann共振

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同时旋转起偏器和检偏器的红外椭圆偏振光谱仪研制

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红外与毫米波学报 1998年第5期17卷 321-326页

作者：黄志明金世荣陈诗伟陈敏辉史国良陈良尧褚君浩中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

研制成测量材料光学特性的红外椭圆偏振光谱仪，其测量波长范围为２．５～１２．５μｍ，入射角度在２０°～９０°连续可变．系统数据采集、前放自动增益控制、入射角度和波长设置及扫描均由计算机自动控制．给出了金反射率和... 详细信息

研制成测量材料光学特性的红外椭圆偏振光谱仪，其测量波长范围为２．５～１２．５μｍ，入射角度在２０°～９０°连续可变．系统数据采集、前放自动增益控制、入射角度和波长设置及扫描均由计算机自动控制．给出了金反射率和ＧａＡｓ体材料折射率椭偏测量，并与其它方法进行了对比。

关键词：红外椭圆偏振光谱仪椭偏参数光学常数

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谱导数法在光谱研究GaInAs/InP和GaInP/AlGaInP多量子阱中的应用

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物理学报 2003年第10期52卷 2534-2540页

作者：邵军中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

在简要讨论谱导数法物理机理的基础上 ,给出了其在光吸收谱和光反射谱方法研究张应变GaInAs InP和GaInP AlGaInP多量子阱中的成功应用实例 .比较了不同阶谱导数对测定激子跃迁能量的影响 ,论及了其与双调制谱方法、曲线拟合方法的区别 ... 详细信息

在简要讨论谱导数法物理机理的基础上 ,给出了其在光吸收谱和光反射谱方法研究张应变GaInAs InP和GaInP AlGaInP多量子阱中的成功应用实例 .比较了不同阶谱导数对测定激子跃迁能量的影响 ,论及了其与双调制谱方法、曲线拟合方法的区别 .指出了谱导数法在光谱研究GaInAs InP和GaInP AlGaInP多量子阱中的重要性和易行性 .

关键词：谱导数法物理机理光谱研究半导体光吸收谱光反射谱多量子阱激子跃迁 GaInAs/InP GaInP/AlGaInP

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HgCdTe多载流子体系的迁移率谱分析

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红外与毫米波学报 1998年第5期17卷 327-332页

作者：桂永胜郑国珍郭少令褚君浩中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

通过迁移率谱分析法对ＬＰＥ和ＭＢＥ生长的ｎ－ＨｇＣｄＴｅ样品进行了研究，获得了样品中体电子、体空穴以及界面电子的迁移率和浓度．

关键词：迁移率谱多载流子体系汞镉碲红外探测

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离子注入对InAs/GaAs量子点光学效质的影响

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物理学报 2005年第6期54卷 2904-2909页

作者：汤乃云季亚林陈效双陆卫中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 200083

研究了低能质子注入诱导的界面混合和快速热退火对量子点发光效率的影响,对其光致发光峰强进行了拟合计算.研究发现量子点的发光峰强度主要由载流子俘获时间和非辐射复合寿命决定.由于后退火处理能够部分的消除因质子注入造成的缺陷,量... 详细信息

研究了低能质子注入诱导的界面混合和快速热退火对量子点发光效率的影响,对其光致发光峰强进行了拟合计算.研究发现量子点的发光峰强度主要由载流子俘获时间和非辐射复合寿命决定.由于后退火处理能够部分的消除因质子注入造成的缺陷,量子点中非辐射复合中心浓度与注入剂量成亚线性关系;退火温度越高,非辐射复合中心被消除越多,亚线性程度越高.界面混合导致的俘获效率的增加和注入损伤引起的非辐射复合是相互竞争过程,存在一个临界的注入剂量NC,当注入剂量N小于NC,界面混合作用较为明显,量子点发光峰强随注入剂量增加而增强;当N大于NC时,质子注入引起了大量的非辐射复合中心,主要表现为注入损伤,量子点的发光峰强随注入剂量增加而迅速减弱.退火温度越高,NC越大.

关键词：量子点离子注入砷化镓半导体光学峰强

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