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  • 9 篇 期刊文献
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  • 10 篇 电子文献
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    • 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

  • 1 篇 mos集成电路
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  • 1 篇 可靠性
  • 1 篇 功能点
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  • 1 篇 软件度量
  • 1 篇 应用
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  • 1 篇 计算机
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机构

  • 4 篇 北京计算机应用和...
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  • 1 篇 北京航空航天部二...
  • 1 篇 北京航天部二院计...
  • 1 篇 航天局北京计算机...
  • 1 篇 陕西微电子学研究...
  • 1 篇 骊山微电子学研究...
  • 1 篇 南京航空航天大学
  • 1 篇 北京航天自动控制...

作者

  • 4 篇 黄敞
  • 4 篇 余山
  • 3 篇 章定康
  • 2 篇 孟章荣
  • 1 篇 王佳新
  • 1 篇 李宝莹
  • 1 篇 mao yu-guang
  • 1 篇 吴际
  • 1 篇 yang fang
  • 1 篇 杨芳
  • 1 篇 张燕文
  • 1 篇 董洁
  • 1 篇 he hong-wei
  • 1 篇 tang ming-duan
  • 1 篇 耿鸿月
  • 1 篇 geng hong-yue
  • 1 篇 陈达
  • 1 篇 wang jia-xin
  • 1 篇 wu ji
  • 1 篇 张军

语言

  • 10 篇 中文
检索条件"机构=航天局北京计算机应用和仿真技术研究所"
10 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
扩展功能点
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软件学报 2001年 第2期12卷 309-316页
作者: 吴际 汤铭端 北京航空航天大学计算机科学与工程系 北京100083 北京计算机应用和仿真技术研究所 北京100854
针对功能点方法的缺点和不足提出了扩展功能点 EFP( extended function points) .EFP符合最新的功能规模度量 ( FSM)国际标准 ISO/IEC 14143,因此适用于有的软件应用 ,并且具有很强的实际可操作性 .
来源: 评论
0.50微米LDD PMOS工艺研究
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电子学报 1994年 第2期22卷 96-99页
作者: 余山 章定康 黄敞 北京航空航天部二院 计算机应用和仿真技术研究所陕西微电子学研究所
为了保证高可靠亚微米VLSI的实现,必须有效地抑制PMOS严重的热载流子效应。本文对0.50μmLDDPMOS工艺进行了研究,表明,LDD可有效地克服PMOS的热载流子效应和短沟道效应,并对LDD结构进行了老化分析,... 详细信息
来源: 评论
深亚微米MOSFET二维数值模拟的若干结果
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电子学报 1994年 第5期22卷 94-97页
作者: 余山 陈达 张燕文 黄敞 北京航天部二院计算机应用和仿真技术研究所 北京师范大学低能核物理所陕西微电子学研究所
对深亚微米器件,由于工作电压下降,要求重新确定LDD和常规MOSFET在VLSI中的作用.本文从基本器件数理方程出发,对深亚微米常规及LDDMOSFET的器件特性、热载流子效应及短沟道效应进行了二维稳态数值模拟,指出... 详细信息
来源: 评论
通用U型机箱控制器CCU-816B
收藏 引用
航天控制 1991年 第4期9卷 47-60页
作者: 张军 李宝莹 北京计算机应用和仿真技术研究所 北京航天自动控制研究所
CCU-816B 是一种通用的 CAMAC U 型机箱控制器。本文介绍了 CCU-816B 的构思设想、硬件组成以及软件 CAMAC 设置举例。
来源: 评论
应用软件开发中的若干重要问题
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计算机系统应用 1994年 第6期3卷 28-31页
作者: 孟章荣 航天局北京计算机应用和仿真技术研究所
本文说明过去在软件产品开发中被忽视的几个方面。有些是几乎被一般的软件开发人员完全忽视;有些虽然没被忽视,但没有被足够重视,切实赋以实施。根据我们的实践体会必须强调这些开发要领,使得开发的应用软件产品真正成为用户的得力... 详细信息
来源: 评论
浅结工艺研究及其在0.5μmCMOS集成电路中的应用
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固体电子学研究与进展 1993年 第4期13卷 317-320页
作者: 余山 章定康 黄敞 航天部第二研究院计算机应用和仿真技术研究所 北京100854 骊山微电子学研究所 西安临潼710600
采用低能量的砷离子注入和可抑制沟道效应的硅表面预先无定形技术,分别得到了0.13μm N^+/P结和0.17μm P^+/N结,并应用于0.5μm CMOS集成电路的制造。
来源: 评论
0.8μm CMOS LDD器件可靠性实验和分析
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电子科学学刊 1994年 第4期16卷 402-406页
作者: 余山 章定康 黄敞 航天部第二研究院计算机应用和仿真技术研究所 北京100854 陕西微电子学研究所 陕西临潼710600
针对实验中发现的亚微米LDD结构的特殊的衬底电流现象和退化现象,进行了二维器件数值模拟,解释了LDD器件退化的原因,最后提出了LDD器件的优化工艺条件。
来源: 评论
TMS320C54x DSP软件测试方法研究
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计算机工程与设计 2009年 第16期30卷 3720-3722,3734页
作者: 王佳新 杨东凯 杨芳 北京航空航天大学电子信息工程学院 北京100191 北京计算机应用和仿真技术研究所 北京100854
为了对TI公司TMS320C54x系列芯片进行联合调试,缩短产品的设计周期,提出了一种基于VC++6.0平台的软件测试方法。该方法分析了该系列芯片指令体系的特点,利用C++面向对象编程的多态性,结合键盘中断模拟,实现了正确模拟指令运行结果、流... 详细信息
来源: 评论
嵌入式数据库测试技术研究
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计算机工程与设计 2010年 第12期31卷 2733-2735,2739页
作者: 董洁 贺红卫 耿鸿月 毛宇光 南京航空航天大学信息科学与技术学院 江苏南京210016 北京计算机应用和仿真技术研究所 北京100854
为了提高嵌入式数据库的质量与可靠性,通过对嵌入式数据库体系结构以及实现技术研究与分析,总结了嵌入式数据库测试的难点,结合通用数据库管理系统性能评测体系,提出一种适合嵌入式数据库的测试方案。依据该方案定义合理的测试设计,... 详细信息
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探讨管理决策信息系统中的人因素
探讨管理决策信息系统中的人因素
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第二届中国计算机集成制造系统(CIMS)学术会议
作者: 孟章荣 航空航天部北京计算机应用和仿真技术研究所
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