检索结果-内蒙古大学图书馆

电子学报 1994年第2期22卷 96-99页

作者：余山章定康黄敞北京航空航天部二院计算机应用和仿真技术研究所陕西微电子学研究所

为了保证高可靠亚微米ＶＬＳＩ的实现，必须有效地抑制ＰＭＯＳ严重的热载流子效应。本文对０．５０μｍＬＤＤＰＭＯＳ工艺进行了研究，表明，ＬＤＤ可有效地克服ＰＭＯＳ的热载流子效应和短沟道效应，并对ＬＤＤ结构进行了老化分析，... 详细信息

为了保证高可靠亚微米ＶＬＳＩ的实现，必须有效地抑制ＰＭＯＳ严重的热载流子效应。本文对０．５０μｍＬＤＤＰＭＯＳ工艺进行了研究，表明，ＬＤＤ可有效地克服ＰＭＯＳ的热载流子效应和短沟道效应，并对ＬＤＤ结构进行了老化分析，得到了ＬＤＤＰＭＯＳ的优化工艺条件，并将这优化的工艺条件应用于亚微米集成电路的制造。

关键词：热载流子效应 MOS工艺集成电路

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深亚微米MOSFET二维数值模拟的若干结果

引用

电子学报 1994年第5期22卷 94-97页

作者：余山陈达张燕文黄敞北京航天部二院计算机应用和仿真技术研究所北京师范大学低能核物理所陕西微电子学研究所

对深亚微米器件，由于工作电压下降，要求重新确定ＬＤＤ和常规ＭＯＳＦＥＴ在ＶＬＳＩ中的作用．本文从基本器件数理方程出发，对深亚微米常规及ＬＤＤＭＯＳＦＥＴ的器件特性、热载流子效应及短沟道效应进行了二维稳态数值模拟，指出... 详细信息

对深亚微米器件，由于工作电压下降，要求重新确定ＬＤＤ和常规ＭＯＳＦＥＴ在ＶＬＳＩ中的作用．本文从基本器件数理方程出发，对深亚微米常规及ＬＤＤＭＯＳＦＥＴ的器件特性、热载流子效应及短沟道效应进行了二维稳态数值模拟，指出了常规和ＬＤＤＭＯＳＦＥＴ各自的局限性，明确了在深亚微米ＶＬＳＩ中，ＬＤＤ仍然起主要作用。

关键词： MOSFET 数值模拟深亚微米

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亚微米CMOS阈值电压控制研究