检索结果-内蒙古大学图书馆

压电与声光 2006年第5期28卷 591-593页

作者：段炼朱军陈迪刘景全上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

采用氧气反应离子刻蚀(RIE)SU-8光刻胶,以获得三维SU-8微结构(如斜面)。实验采用套刻、溅射、湿法腐蚀、电镀等技术实现光刻胶上镍掩膜图形化。分别研究氧气气压、射频(RF)功率、氧气流量对刻蚀速率的影响,并对实验结果进行了理论分析,... 详细信息

采用氧气反应离子刻蚀(RIE)SU-8光刻胶,以获得三维SU-8微结构(如斜面)。实验采用套刻、溅射、湿法腐蚀、电镀等技术实现光刻胶上镍掩膜图形化。分别研究氧气气压、射频(RF)功率、氧气流量对刻蚀速率的影响,并对实验结果进行了理论分析,在此基础上可进一步优化刻蚀工艺以获得更高的刻蚀速率。

关键词： SU-8光刻胶反应离子刻蚀(RIE) 氧气

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BST溶胶及其纳米晶铁电薄膜特性研究

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压电与声光 2006年第3期28卷 321-324页

作者：余慧春惠春徐爱兰上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

考察了在溶胶-凝胶（Sol-Gel）工艺中化学添加剂对钛酸锶钡（BST）溶胶的粒度分布的影响。通过对化学添加剂的优选，制备出具有优异电性能的BST薄膜。X-射线衍射（XRD）表明在Pt／Cr／SiO2／Si衬底上制备的BST薄膜具有完整的钙钛矿结构... 详细信息

考察了在溶胶-凝胶（Sol-Gel）工艺中化学添加剂对钛酸锶钡（BST）溶胶的粒度分布的影响。通过对化学添加剂的优选，制备出具有优异电性能的BST薄膜。X-射线衍射（XRD）表明在Pt／Cr／SiO2／Si衬底上制备的BST薄膜具有完整的钙钛矿结构，AFM表面形貌显示BST薄膜表面致密、平整、无裂纹，平均晶粒尺寸约50nm。漏电流测试表明BST薄膜在0～9V的外加偏压下始终保持着较低的漏电流，在外加偏压为8．8V时，漏电流密度为2．9×10^-6A／cm^2。

关键词：溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺钛酸锶钡(BST)薄膜粒度分布漏电流铁电体

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超声振荡辅助制备铜基碳纳米管复合电镀层工艺

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复合材料学报 2006年第5期23卷 29-33页

作者：王裕超丁桂甫吴惠箐汪红姚锦元上海交通大学微纳科学技术研究院微米纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

为解决碳纳米管在铜基体中的分散与结合两个问题,运用超声振荡辅助复合电镀制备铜基碳纳米管(Cu/CNTs)复合镀层。利用场发射扫描电镜进行观察,复合镀层微观表面平整,碳纳米管在基体中均匀分散,其与基体结合良好。依据实验结果对超声振... 详细信息

为解决碳纳米管在铜基体中的分散与结合两个问题,运用超声振荡辅助复合电镀制备铜基碳纳米管(Cu/CNTs)复合镀层。利用场发射扫描电镜进行观察,复合镀层微观表面平整,碳纳米管在基体中均匀分散,其与基体结合良好。依据实验结果对超声振荡在复合电镀过程中发挥作用的机制给出了初步的解释。

关键词：碳纳米管复合电镀铜基复合镀层超声振荡

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新型水基磁流体的制备及其生物磁热效应研究

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功能材料 2006年第4期37卷 555-558页

作者：童乃虎徐宏古宏晨上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

以化学共沉淀法合成出Fe3O4纳米超顺磁性颗粒,并首次采用泛酸(D-pantothenic acid)对粒子进行表面化学修饰,制备出稳定分散在水中的水基磁流体。通过TEM对磁流体表征显示,随着纳米Fe3O4颗粒表面改性泛酸分子的增加,磁流体分散状况显著... 详细信息

以化学共沉淀法合成出Fe3O4纳米超顺磁性颗粒,并首次采用泛酸(D-pantothenic acid)对粒子进行表面化学修饰,制备出稳定分散在水中的水基磁流体。通过TEM对磁流体表征显示,随着纳米Fe3O4颗粒表面改性泛酸分子的增加,磁流体分散状况显著改善。FT-IR光谱表明泛酸分子与纳米Fe3O4表面羟基发生化学键合;并分别用XRD、TG对水基磁流体进行表征,同时对其在交变磁场中的热效应进行了研究,产热比功率高达146.64W/g,在肿瘤磁热疗方面具有较大应用前景。

关键词：纳米Fe3O4 泛酸表面修饰磁流体热效应

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MEMS微器件用CoNiMnP永磁体薄膜的工艺制备和性能研究

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功能材料 2006年第11期37卷 1719-1722页

作者：汪红丁桂甫戴旭涵苏宇锋张永华王志民上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

研究了采用多种氯化物体系电沉积制备CoNiMnP永磁体薄膜及在微继电器、电磁驱动器永磁体阵列器件方面的应用。对薄膜组成、磁性能的对比研究表明：从稀氯化物体系(200mT)中获得的Co_(82．4) Ni_(11．9)Mn_(0．4)P_(5．3)永磁体薄膜具有... 详细信息

研究了采用多种氯化物体系电沉积制备CoNiMnP永磁体薄膜及在微继电器、电磁驱动器永磁体阵列器件方面的应用。对薄膜组成、磁性能的对比研究表明：从稀氯化物体系(200mT)中获得的Co_(82．4) Ni_(11．9)Mn_(0．4)P_(5．3)永磁体薄膜具有最好的磁性能：H_c= 208790A/m,B_r=0．2T,(BH)_(max)=10．15kJ/m^3,且脆性小、内应力较低。进一步解析发现这可能是因为与易磁化轴相平行的Co(110)面上存在织构所致。在此基础上采用掩膜电沉积技术成功地制备出微继电器原位制造和电磁驱动器永磁体薄膜阵列。

关键词： MEMS器件 CoNiMnP永磁体薄膜磁性能掩膜电沉积

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阳极氧化法制备氧化铝纳米线薄膜及其生成机理研究

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现代化工 2006年第z2期26卷 294-296,300页

作者：杨卉王庆康上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

研究了一种简单新颖的制备氧化铝纳米线薄膜的电化学方法。以阳极氧化法在高纯铝片表面制备多孔阳极氧化铝(AAO)的工艺为基础,在草酸电解液中将AAO孔壁溶解形成氧化铝纳米线,均匀覆盖在AAO有序孔道的上方,得到一种特殊结构的纳米线薄膜... 详细信息

研究了一种简单新颖的制备氧化铝纳米线薄膜的电化学方法。以阳极氧化法在高纯铝片表面制备多孔阳极氧化铝(AAO)的工艺为基础,在草酸电解液中将AAO孔壁溶解形成氧化铝纳米线,均匀覆盖在AAO有序孔道的上方,得到一种特殊结构的纳米线薄膜。对实验产物纳米线的形貌、结构及成分进行了表征分析,并探讨了氧化铝纳米线薄膜的生成机理。

关键词：阳极氧化铝纳米线薄膜

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新兴的纳米结构亚波长光学器件及其发展

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光学技术 2006年第z1期32卷 18-22页

作者：刘汉玉王庆康上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室和薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

介绍了新颖的纳米结构亚波长光学器件的特点,从器件的基本功能特性和工作机理两个方面详细讨论了其应用状况,并阐述了纳米制造技术对亚波长光学器件发展的重要推动作用及这一领域今后的研究热点。

关键词：亚波长光学器件纳米制造纳米结构

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量子点标记链霉亲和素及其生物活性检测

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分析化学 2006年第11期34卷 1625-1628页

作者：邵君尤晓刚高峰贺蓉崔大祥上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

选用无机盐为前驱体,在水相中合成CdTe量子点,并用此量子点标记链霉亲和素,通过SephadexG-100层析分离纯化量子点标记的链霉亲和素,采用磁颗粒标记的链霉亲和素与量子点标记的链霉亲和素竞争结合辣根过氧化酶标记的生物素,即酶联免疫竞... 详细信息

选用无机盐为前驱体,在水相中合成CdTe量子点,并用此量子点标记链霉亲和素,通过SephadexG-100层析分离纯化量子点标记的链霉亲和素,采用磁颗粒标记的链霉亲和素与量子点标记的链霉亲和素竞争结合辣根过氧化酶标记的生物素,即酶联免疫竞争抑制分析法检测链霉亲和素标记量子点后的生物活性,计算约70.3%的链霉亲和素标记到量子点上,且具有生物活性。每毫克量子点大约可偶联0.14 mg的链霉亲和素。采用荧光光谱研究量子点标记前后的荧光变化,标记后量子点的最大发射波长蓝移了8 nm,而发射光谱的半峰宽基本不变,说明量子点与链霉亲和素结合后粒子没有团聚,分散性好。

关键词：量子点标记链霉亲和素竞争抑制反应

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二维亚波长结构对OLED光抽出特性的FDTD模拟研究

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半导体光电 2006年第1期27卷 23-27页

作者：乐敏达王庆康上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

有机发光二极管(OLED)发光效率很大程度上受到器件中高折射率材料(ITO/有机物)对导波光能量的制约。通过使用时域有限差分(FDTD)方法,对在OLED中的氧化铟与氧化锡复合透明阳极ITO结构上覆盖二维正方以及三角排列SiNx圆柱光子晶体厚膜(P... 详细信息

有机发光二极管(OLED)发光效率很大程度上受到器件中高折射率材料(ITO/有机物)对导波光能量的制约。通过使用时域有限差分(FDTD)方法,对在OLED中的氧化铟与氧化锡复合透明阳极ITO结构上覆盖二维正方以及三角排列SiNx圆柱光子晶体厚膜(PCS)的结构进行了数值模拟,并对这种全新结构对于提高束缚于高折射率材料中的光的抽取效率的效果进行了分析,并给出了最优化的几何参数。

关键词： OLED 光抽取效率二维光子晶体厚膜亚波长结构时域有限差分法

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NiTiPd形状记忆合金薄膜的相变和力学特性

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压电与声光 2006年第3期28卷 319-320,324页

作者：张丛春杨春生丁桂甫吴键生钱士强薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳米科学技术研究院上海200030 上海交通大学材料科学与工程学院上海200030

利用磁控溅射法制备了NiTiPd形状记忆合金薄膜,并对晶化后的薄膜测量了其相变特性和力学性能。结果表明,薄膜在真空室中于750℃热处理1 h可获得较好的形状记忆效应,NiTiPd薄膜的相变温度比相应的NiTi薄膜的相变温度高,奥氏体相变温度As... 详细信息

利用磁控溅射法制备了NiTiPd形状记忆合金薄膜,并对晶化后的薄膜测量了其相变特性和力学性能。结果表明,薄膜在真空室中于750℃热处理1 h可获得较好的形状记忆效应,NiTiPd薄膜的相变温度比相应的NiTi薄膜的相变温度高,奥氏体相变温度As高于100℃。在室温到150℃范围,随着温度升高,薄膜的断裂强度提高,但是残余应变变小。

关键词：磁控溅射法 NiTiPd薄膜相变力学性能

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