检索结果-内蒙古大学图书馆

真空科学与技术学报 2004年第2期24卷 157-160页

作者：张丛春杨春生丁桂甫黄龙旺薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳米科学技术研究院上海200030

对PMMA进行反应离子深刻蚀以获得高深度比微结构。研究了纯氧刻蚀气体中加入CHF3 对刻蚀速率、图形形貌等的影响。纯氧刻蚀PMMA ,钻蚀现象严重。加入CHF3 后 ,刻蚀速率随CHF3 含量增加而下降。加入适量CHF3 ,可以在侧壁形成钝化层 ,保... 详细信息

对PMMA进行反应离子深刻蚀以获得高深度比微结构。研究了纯氧刻蚀气体中加入CHF3 对刻蚀速率、图形形貌等的影响。纯氧刻蚀PMMA ,钻蚀现象严重。加入CHF3 后 ,刻蚀速率随CHF3 含量增加而下降。加入适量CHF3 ,可以在侧壁形成钝化层 ,保护侧壁不受钻蚀。当CHF3 含量为 4 0 % ,刻蚀功率 30W ,工作气压为 4Pa时 ,即使刻蚀深度达到 4 0 0 μm ,侧壁仍然陡直 ,刻蚀深宽比大于 10。

关键词： PMMA 反应离子刻蚀比微结构刻蚀气体钻蚀 HGA技术

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磁悬浮转子微陀螺的设计技术

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光学精密工程 2004年第z1期12卷 1-5页

作者：张卫平陈文元吴校生赵小林崔峰黄晓刚刘武上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

磁悬浮转子微陀螺利用电磁涡流实现微转子的悬浮支撑和高速旋转,是一种精度可达惯性级的新颖MEMS(Micro Electronic Mechanical System)陀螺.讨论和研究了这种新颖微陀螺的悬浮支撑、高速转动、位置检测及加矩稳定的原理,并给出了相应... 详细信息

磁悬浮转子微陀螺利用电磁涡流实现微转子的悬浮支撑和高速旋转,是一种精度可达惯性级的新颖MEMS(Micro Electronic Mechanical System)陀螺.讨论和研究了这种新颖微陀螺的悬浮支撑、高速转动、位置检测及加矩稳定的原理,并给出了相应的微转子、定子悬浮线圈、旋转线圈、稳定线圈、传感电极的设计原则和方法.设计了一个转子直径2 200μm、厚度25 μm,定子线圈线宽10μm、厚度5μm,悬浮励磁频率10 MHz、旋转励磁频率2 MHz的微陀螺,解决了三维非硅准LiGA技术加工微陀螺中的引线、绝缘、摩擦柱成型问题,并进行了相关的陀螺悬浮旋转试验,该陀螺在空气环境下能够以1000 r/min旋转,悬浮高度200μm,说明这种陀螺的原理和设计方法是可行的.

关键词：磁悬浮转子微陀螺 MEMS 设计准LiGA技术试验

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电沉积纳米锌层的研究

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电化学 2004年第1期10卷 107-111页

作者：曹莹沈天慧姚锦元丁桂甫薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳米科学技术研究院上海200030

　采用XRD研究和场发射电镜(FEG＿TEM)电沉积锌镀层纳米改性,分别观察并分析纳米镀锌层的结晶形态及其晶粒尺寸,根据镀层极化曲线和中性盐雾试验测定,结果表明,纳米镀锌层的抗腐蚀性能优于其它镀层.

关键词：电沉积纳米锌层结晶形态晶粒尺寸抗腐蚀性能家用轿车表面装饰技术镀锌钢板

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碳基场发射冷阴极材料的研究

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材料导报 2004年第5期18卷 12-15页

作者：钱开友林仰魁徐东蔡炳初孙卓薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳米科学技术研究院上海200030 华东师范大学纳米功能材料与器件应用研究中心上海200062

场发射冷阴极材料作为真空微电子器件的核心部件,在真空微电子场发射的研究与应用中占有极其重要的地位。目前碳基材料金刚石、类金刚石和碳纳米管在场发射冷阴级的研究中居统治地位。阐述了以上3种材料的制备工艺,发射特性,提出了改进... 详细信息

场发射冷阴极材料作为真空微电子器件的核心部件,在真空微电子场发射的研究与应用中占有极其重要的地位。目前碳基材料金刚石、类金刚石和碳纳米管在场发射冷阴级的研究中居统治地位。阐述了以上3种材料的制备工艺,发射特性,提出了改进其发射性能的措施,并对它们目前存在的问题及其应用前景进行了展望。

关键词：碳基材料场发射冷阴极真空微电子器件类金刚石碳纳米管发射传感器场发射平板显示器微波毫米波器件

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使用SystemC设计UART IP核

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微型电脑应用 2004年第4期20卷 46-48,54页

作者：李洋王森章薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳米技术研究院上海200030

IP核技术是系统芯片 SOC设计中的一个重要部分 ,如何实现和利用 IP核减小 SOC设计的复杂度成为目前微电子设计中的热点。将 U ART通信技术核心功能设计成紧凑的 IP核 ,易于应用在各种嵌入式环境。本文说明了如何使用 System C语言工具... 详细信息

IP核技术是系统芯片 SOC设计中的一个重要部分 ,如何实现和利用 IP核减小 SOC设计的复杂度成为目前微电子设计中的热点。将 U ART通信技术核心功能设计成紧凑的 IP核 ,易于应用在各种嵌入式环境。本文说明了如何使用 System C语言工具设计该 IP核。

关键词： SystemC UART IP核 SOC设计异步接收发送器

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薄膜厚度对多层膜巨磁阻抗效应的影响研究

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功能材料与器件学报 2004年第2期10卷 165-170页

作者：周勇丁文陈吉安高孝裕王明军张亚民上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了FesiB/cu/FesiB多层膜,在100kHz～40MHz范围内研究了FesiB薄膜厚度对FesiB/Cu/FesiB多层膜巨磁阻抗效应的影响。当磁场施加在薄膜的纵向时,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加,在某一磁场下达到最大值,... 详细信息

采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了FesiB/cu/FesiB多层膜,在100kHz～40MHz范围内研究了FesiB薄膜厚度对FesiB/Cu/FesiB多层膜巨磁阻抗效应的影响。当磁场施加在薄膜的纵向时,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加,在某一磁场下达到最大值,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应。当FesiB薄膜的厚度为1.8μm时,在频率3.2MHz、磁场2.4kA/m时,多层膜巨磁阻抗效应达最大值13.5％;在磁场为9.6kA/m时,巨磁阻抗效应为-9.2％。然而,当FesiB薄膜的厚度为1μm时,多层膜的巨磁阻抗效应在频率40MHz、磁场1.6kA/m时达最大值5.8％。另外,当磁场施加在薄膜的横向时,薄膜表现出负的巨磁阻抗效应。对于膜厚为1.8μm的FeSiB薄膜,在频率5.2MHz、磁场9.6kA/m时,巨磁阻抗效应为-12％。可见巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及FeSiB薄膜的厚度有关。

关键词：巨磁阻抗效应非晶FeSiB薄膜 FeSiB/Cu/FeSiB多层膜薄膜厚度

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用于MEMS器件的真空密封技术

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微细加工技术 2004年第4期 64-68,78页

作者：林仰魁钱开友徐东蔡炳初上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

介绍MEMS器件中常用的键合技术和适用于真空密封与器件性能要求的特殊结构设计,以及提高和保持器件高真空环境的方法。合适的真空密封技术不仅能够保证和提高MEMS器件的性能,同时可以简化工艺步骤,降低器件成本。

关键词： MEMS 传感器键合技术真空密封

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一种高分子聚合物PCR芯片的设计及有限元分析

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微细加工技术 2004年第3期 76-80页

作者：牛志强贾晓宇张卫平李建华陈文元上海交通大学微米纳米技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

设计了一种以PDMS为基底的微型PCR芯片,并用有限元软件对芯片做了详细的温度场分析,主要分析了微型PCR芯片温度场的均匀性和分布以及芯片升、降温的效率。分析结果表明设计的聚合物芯片温度分布均匀,有较高的升、降温速率,可以满足PCR... 详细信息

设计了一种以PDMS为基底的微型PCR芯片,并用有限元软件对芯片做了详细的温度场分析,主要分析了微型PCR芯片温度场的均匀性和分布以及芯片升、降温的效率。分析结果表明设计的聚合物芯片温度分布均匀,有较高的升、降温速率,可以满足PCR反应的要求。通过一维热传导理论分析,得到的结论与有限元分析的结果是一致的。

关键词： PCR芯片 PDMS 有限元模拟

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磁性纳米粒子的制备及应用

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磁性材料及器件 2004年第6期35卷 14-17页

作者：张效岩王英张亚非上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

概述了国内外磁性纳米粒子的研究近况。介绍了具有广泛应用前景的磁性纳米粒子的常用制备方法,以及粒子不同于常规材料的独特效应及优异的磁学性能,并结合其特性介绍了这一新材料在磁记录材料、磁性液体、生物医学、传感器、催化、永磁... 详细信息

概述了国内外磁性纳米粒子的研究近况。介绍了具有广泛应用前景的磁性纳米粒子的常用制备方法,以及粒子不同于常规材料的独特效应及优异的磁学性能,并结合其特性介绍了这一新材料在磁记录材料、磁性液体、生物医学、传感器、催化、永磁材料、颜料、雷达波吸波材料以及其他领域的应用。

关键词：磁性纳米粒子特性制备应用

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磁控溅射制备Co_(1-x)Pt_x:C复合纳米颗粒薄膜的研究

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微细加工技术 2004年第4期 31-35页

作者：张效岩覃文上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

采用组合靶,利用磁控共溅射技术制备了Co1-xPtx∶C复合纳米颗粒薄膜,并从实验和理论上对不同Pt浓度CoPt∶C薄膜的组分、微结构、磁性能、组分和微结构与磁性能之间的关系以及薄膜的应用进行了初步研究。发现CoPt粒子取向和磁性能与CoPt... 详细信息

采用组合靶,利用磁控共溅射技术制备了Co1-xPtx∶C复合纳米颗粒薄膜,并从实验和理论上对不同Pt浓度CoPt∶C薄膜的组分、微结构、磁性能、组分和微结构与磁性能之间的关系以及薄膜的应用进行了初步研究。发现CoPt粒子取向和磁性能与CoPt∶C薄膜中的Pt浓度有密切关系,在较高Pt浓度的CoPt∶C薄膜中观察到垂直各向异性现象。通过改变Pt浓度,可以获得粒子粒径小于10nm、矫顽力可控、垂直磁晶各向异性较高的薄膜。晶格结构和晶粒之间的作用力可认为是影响CoPt∶C薄膜磁性能的主要因素。

关键词： CoPt:C薄膜浓度磁性能磁控溅射

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