检索结果-内蒙古大学图书馆

原子能科学技术 2014年第S1期48卷 708-711页

作者：刘敏波姚志斌黄绍艳何宝平盛江坤西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

针对辐照前高温老练(Burn-in)影响SRAM器件的抗总剂量辐射能力问题,进行了实验研究。选取了3种不同工艺尺寸SRAM存储器,利用60 Co放射源对经过高温老炼和不经过高温老炼(No Burnin)的样品进行了总剂量辐照实验,测量了辐照引起的SRAM器... 详细信息

针对辐照前高温老练(Burn-in)影响SRAM器件的抗总剂量辐射能力问题,进行了实验研究。选取了3种不同工艺尺寸SRAM存储器,利用60 Co放射源对经过高温老炼和不经过高温老炼(No Burnin)的样品进行了总剂量辐照实验,测量了辐照引起的SRAM器件的数据位翻转数,得到了Burn-in对不同工艺尺寸SRAM器件总剂量效应的影响规律。针对0.25μm工艺SRAM器件开展了不同Burn-in温度影响器件抗辐射能力的实验研究,得到了器件抗辐射性能与Burn-in温度之间的关系。结果表明,SRAM器件的工艺尺寸越小,抗总剂量能力越强,且受Burn-in的影响越小;Burn-in时的温度越高,对器件的抗总剂量水平影响越大。

关键词： SRAM器件工艺尺寸高温老炼电离总剂量效应

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西安脉冲堆方波运行功率调节方法研究

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原子能科学技术 2021年第3期55卷 518-526页

作者：张良袁建新赵巍王宝生张强朱广宁陈立新杨宁江新标西北核技术研究院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

本文建立了数字化功率调节系统在方波运行下的自动控制方法,提出了新的功率调节系统投入时刻设计方案,给出了调节棒初始棒位和发射脉冲棒后堆芯正反应性大小的建议,设计了数字化系统的方波运行功率调节方法,使用西安脉冲堆仿真程序XPRS... 详细信息

本文建立了数字化功率调节系统在方波运行下的自动控制方法,提出了新的功率调节系统投入时刻设计方案,给出了调节棒初始棒位和发射脉冲棒后堆芯正反应性大小的建议,设计了数字化系统的方波运行功率调节方法,使用西安脉冲堆仿真程序XPRSC对设计方法进行了优化和验证。结果表明,该方法可实现更宽定值功率范围内的方波运行,能为堆上试验提供理论指导。

关键词：脉冲堆功率调节方波运行

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微型法拉第筒阵列束流均匀性测量

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强激光与粒子束 2015年第5期27卷 195-199页

作者：胡杨杨海亮孙剑锋孙江张鹏飞李静雅强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024

研制了一种用于测量强流脉冲电子束束流均匀性的微型法拉第筒阵列,其直径为22mm,由5个微型法拉第筒组成,最大可测束流密度为38A/mm2。利用该系统测量了二极管阳极靶面的束流密度,得到了阳极靶面束流均匀性的分布情况。结果显示,阳极靶... 详细信息

研制了一种用于测量强流脉冲电子束束流均匀性的微型法拉第筒阵列,其直径为22mm,由5个微型法拉第筒组成,最大可测束流密度为38A/mm2。利用该系统测量了二极管阳极靶面的束流密度,得到了阳极靶面束流均匀性的分布情况。结果显示,阳极靶面中心处束流密度高于靶面其他位置,靶面束流存在弱箍缩,束流局部均匀,大面积不均匀,束流密度呈径向分布。该结果与理论预期和仿真计算符合较好。

关键词：微型法拉第筒阵列束流密度分布均匀性

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纳秒级时间分辨光谱诊断系统及其辐射防护

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光谱学与光谱分析 2014年第6期34卷 1446-1449页

作者：姚伟博郭建明张永民汤俊萍程亮徐启福强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024 西北核技术研究所陕西西安710024

强流电子束二极管是强脉冲辐射环境模拟装置和高功率微波技术中的重要研究方向,通过时间分辨光谱诊断研究阴极等离子体的特性是分析强流脉冲电子束二极管工作性能的可靠方法之一。介绍了具有纳秒级时间分辨能力的光谱诊断系统及其工作... 详细信息

强流电子束二极管是强脉冲辐射环境模拟装置和高功率微波技术中的重要研究方向,通过时间分辨光谱诊断研究阴极等离子体的特性是分析强流脉冲电子束二极管工作性能的可靠方法之一。介绍了具有纳秒级时间分辨能力的光谱诊断系统及其工作原理、系统组成和性能参数,并阐述了低抖动同步触发系统的实现方法和时序关系。同时,针对强脉冲辐射模拟装置产生的强脉冲电磁辐射和强X、γ射线辐射对光谱诊断系统造成严重干扰的情况,设计了电磁屏蔽室和铅屏蔽室对诊断系统进行保护。对黄铜阴极的等离子体进行时间分辨光谱测量,实验结果表明,随着二极管脉冲电压和电流的上升,参与形成阴极等离子体的元素和物质成分明显增多。该光谱诊断系统的时间分辨能力为10ns,最小可达2ns,同步触发系统的抖动小于4.0ns,为深入研究二极管的阴极发射机理开辟了新的技术途径。

关键词：时间分辨光谱阴极等离子体辐射防护

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纳秒级脉冲电流下铁氧体磁环饱和特性

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高电压技术 2017年第10期43卷 3381-3386页

作者：秦锋周辉毛从光吴刚崔志同强电磁脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所) 西安710024

针对铁氧体环应用于复杂电磁环境防护设计问题,研究了脉冲传导电流作用下铁氧体磁环的饱和特性。在伏安法测得磁环的磁化曲线的基础上,采用磁性朗之万函数拟合磁化曲线,分别获得不同脉冲电流脉宽、磁环厚度、截面积、内外径之比以及材... 详细信息

针对铁氧体环应用于复杂电磁环境防护设计问题,研究了脉冲传导电流作用下铁氧体磁环的饱和特性。在伏安法测得磁环的磁化曲线的基础上,采用磁性朗之万函数拟合磁化曲线,分别获得不同脉冲电流脉宽、磁环厚度、截面积、内外径之比以及材料种类等参数下,磁环的饱和电流特性。结果表明:纳秒级脉冲电流的脉宽对磁环的饱和特性几乎没有影响;磁环的截面积与磁环的饱和电流成线性正比关系,而磁环的厚度以及磁环的内外径之比对磁环的饱和特性几乎没有影响;初始磁导率越大的磁环其饱和电流越小,且饱和电流随截面积的增速也越小。

关键词：电磁脉冲电磁防护磁环铁氧体饱和特性

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“强光一号”等离子体开关及负载稳定性分析

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强激光与粒子束 2014年第8期26卷 296-300页

作者：罗维熙王亮平吴刚张信军从培天曾正中西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟及效应国家重点实验室西安710024

"强光一号"等离子体断路开关(POS)及负载二极管系统工作性能不够稳定,通过分析数据指出POS等离子体源参数差异性是导致系统不稳定的主要原因。POS等离子体源参数重复性测量结果表明,在开关断路时刻等离子体源瞬时发射等离子... 详细信息

"强光一号"等离子体断路开关(POS)及负载二极管系统工作性能不够稳定,通过分析数据指出POS等离子体源参数差异性是导致系统不稳定的主要原因。POS等离子体源参数重复性测量结果表明,在开关断路时刻等离子体源瞬时发射等离子体密度重复性极差在10%左右,而开关区间累积等离子体密度极差超过100%。开关区间累积等离子体密度和阴极重粒子发射会对POS断路性能产生显著影响。计算表明开关区间累积等离子体密度差异对POS断路电流阈值影响达到200kA,与运行数据统计结果一致;在断路电流阈值相同的条件下,阴极物质逸出对二极管电压影响显著,MCNP程序计算结果表明,产生辐射剂量差别可以达到80%,与统计数据相当。

关键词：等离子体断路开关稳定性等离子体密度阴极物质逸出

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基于概率统计的单粒子多单元翻转信息提取方法

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原子能科学技术 2021年第2期55卷 353-359页

作者：王勋罗尹虹丁李利张凤祁陈伟郭晓强王坦西北核技术研究院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

航空航天电子系统对电子器件选型评估时需考虑器件的多单元翻转(MCU)情况,而MCU信息提取面临的最主要困难是缺少器件的版图信息。本文提出一种基于概率统计的单粒子MCU信息提取方法,其可在无版图信息条件下以较高精度提取单粒子翻转(SEU... 详细信息

航空航天电子系统对电子器件选型评估时需考虑器件的多单元翻转(MCU)情况,而MCU信息提取面临的最主要困难是缺少器件的版图信息。本文提出一种基于概率统计的单粒子MCU信息提取方法,其可在无版图信息条件下以较高精度提取单粒子翻转(SEU)实验数据中的MCU信息。该方法通过统计分析SEU实验数据中不同翻转地址间的按位异或和汉明距离以提取MCU模板,然后利用该模板提取MCU信息。采用一款位交错SRAM器件的重离子实验数据对上述方法进行了验证,结果表明,该方法能以较高的精度提取实验数据中的MCU信息。该方法可省去对器件进行逆向工程的时间和成本,提高科学研究和航空航天器件选型效率。

关键词：多单元翻转多位翻转单粒子翻转单粒子效应 SRAM

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高空电磁脉冲作用下配电变压器瞬态响应与失效机理

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中国电机工程学报 2023年第17期43卷 6924-6932页

作者：秦锋王旭桐陈伟聂鑫崔志同毛从光强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所) 陕西省西安市710024

高空电磁脉冲通过场线耦合能在广域分布的电力传输线上形成纳秒级上升沿、数千安培的强电磁脉冲传导环境,对电力设备的安全可靠运行造成严重威胁。为此,该文基于冲击试验方法研究高空电磁脉冲传导环境下典型10kV油浸式配电变压器的响应... 详细信息

高空电磁脉冲通过场线耦合能在广域分布的电力传输线上形成纳秒级上升沿、数千安培的强电磁脉冲传导环境,对电力设备的安全可靠运行造成严重威胁。为此,该文基于冲击试验方法研究高空电磁脉冲传导环境下典型10kV油浸式配电变压器的响应特性与失效机理。结果表明,变压器击穿阈值分散性较大,相对雷电、操作过电压更容易受变压器生产工艺的影响,且发生击穿后会造成绝缘性能降级,击穿阈值降低50%左右;高空电磁脉冲传导环境下变压器内部绝缘击穿为纵绝缘击穿,主要发生在相引线与分接引线之间、分接开关各引线之间以及变压器绕组首端等位置。研究结果可为配电变压器在强电磁脉冲环境下的生存能力评估与加固技术提供参考。

关键词：高空电磁脉冲配电变压器瞬态响应脉冲电流注入纳秒脉冲

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强电磁脉冲下金属氧化物避雷器瞬态响应特性

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高电压技术 2022年第8期48卷 3326-3333页

作者：秦锋陈伟王旭桐任书庆黄涛聂鑫强电磁脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所) 西安710024

高空电磁脉冲是少数能够同时干扰广域分布系统的强电磁脉冲干扰之一,通过场线耦合能在电力传输线上形成纳秒级上升沿、数千安培的传导环境。为了研究电力系统关键易损性设备的强电磁脉冲效应,评估电力系统的高空电磁脉冲生存能力,有必... 详细信息

高空电磁脉冲是少数能够同时干扰广域分布系统的强电磁脉冲干扰之一,通过场线耦合能在电力传输线上形成纳秒级上升沿、数千安培的传导环境。为了研究电力系统关键易损性设备的强电磁脉冲效应,评估电力系统的高空电磁脉冲生存能力,有必要通过实验研究现有常规金属氧化物避雷器对高空电磁脉冲的瞬态响应特性。本文通过实验获取了高空电磁脉冲标准传导环境下金属氧化物避雷器的过冲峰值、残压峰值以及响应时间等关键参数,并通过实验分析了金属氧化物避雷器加电与不加电状态对关键参数的影响。实验结果表明:高空电磁脉冲传导环境作用下该型金属氧化物避雷器的过冲电压峰值为雷电冲击电流残压峰值的2.19倍;其残压峰值相对于雷电冲击电流残压峰值提高了115.6%;响应时间基本不随脉冲电流幅值变化。另外,是否加电对该型避雷器过冲峰值、残压峰值、响应时间等参数随脉冲电流幅值变化规律的影响可忽略。

关键词：金属氧化物避雷器高空电磁脉冲过冲峰值响应时间脉冲电流注入

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烟雾环境下的偏振差成像方法

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强激光与粒子束 2015年第6期27卷 58-62页

作者：刘璐李斌康杨少华郭明安严明罗通顶李刚高帅西北核技术研究所西安710024 脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

基于激光主动成像的烟雾环境下的目标探测具有重要研究意义,有效抑制光的散射作用是提高烟雾环境下成像质量的关键。根据光的偏振理论,仿真分析了光子单次散射的偏振特性与散射角的变化关系,并利用蒙特卡罗方法模拟了光在烟雾环境中传... 详细信息

基于激光主动成像的烟雾环境下的目标探测具有重要研究意义,有效抑制光的散射作用是提高烟雾环境下成像质量的关键。根据光的偏振理论,仿真分析了光子单次散射的偏振特性与散射角的变化关系,并利用蒙特卡罗方法模拟了光在烟雾环境中传输的偏振特性,提出了利用偏振差法来抑制光散射作用,最后进行了简单的成像实验。结果表明,光在烟雾中传输时散射光主要由小角度散射光构成,仍然保留了初始激光的部分偏振特性,相比于直接灰度成像,偏振差法能够有效滤除小角度散射光的影响,增强成像目标的细节信息和图像的对比度。

关键词：偏振差成像烟雾环境散射光偏振度偏振角

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