检索结果-内蒙古大学图书馆

自动化仪表 2020年第8期41卷 42-45,50页

作者：李海涛李斌康阮林波田耕张雁霞西北核技术研究院陕西西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

针对高速模拟数字转换器(ADC)输出的并行采样数据,基于现场可编程门阵列(FPGA),设计了接收缓存系统。分析了时钟数据同步方式对印制电路板(PCB)走线长度的限制,给出解决方案,实现对采样数据的接收、延时调整、降速等。通过循环存储的方... 详细信息

针对高速模拟数字转换器(ADC)输出的并行采样数据,基于现场可编程门阵列(FPGA),设计了接收缓存系统。分析了时钟数据同步方式对印制电路板(PCB)走线长度的限制,给出解决方案,实现对采样数据的接收、延时调整、降速等。通过循环存储的方式,在块RAM(BRAM)上实现了信号触发前记录的功能,共记录128000个采样点,触发前记录10000个点。Modelsim软件仿真表明:该系统可以接收600 MHz以上、双数据率(DDR)数据。在线测试结果表明:所设计的系统可以准确接收ADC输出的24对并行低压差差分信号(LVDS)、500 MHz的数据。该采样数据接收缓存系统已经获得广泛使用。

关键词：采样数据双数据率源同步时钟去耦半径时钟去抖动 IP核数据降速循环存储数据缓存

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

65 nm互补金属氧化物半导体场效应和晶体管总剂量效应及损伤机制

引用

物理学报 2018年第14期67卷 223-229页

作者：马武英姚志斌何宝平王祖军刘敏波刘静盛江坤董观涛薛院院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024

对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET和PMOSFET)开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明:PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖性,而NMOSFET表现... 详细信息

对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET和PMOSFET)开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明:PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖性,而NMOSFET表现出较强的抗总剂量性能;在累积相同总剂量时,PMOSFET的辐照损伤远大于NMOSFET.结合理论分析和数值模拟给出了PMOSFET的辐射敏感位置及辐射损伤的物理机制.

关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 ^60Coγ辐照辐射损伤数值仿真

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

含有峰化电容器的垂直极化EMP辐射波模拟器辐射场的初步模拟

引用

现代应用物理 2020年第3期11卷 42-49页

作者：朱湘琴吴伟陈志强贾伟强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024 西安交通大学电气绝缘与电力设备国家重点实验室西安710049

建立了含有多层薄膜结构的同轴型峰化电容器的垂直极化电磁脉冲辐射波模拟器的FDTD计算模型,用导通柱模型代替输出开关,模拟了开关导通后的放电过程,得到了辐射电场的时域波形,并与实验结果进行了对比。结果表明,模拟计算结果与实验结... 详细信息

建立了含有多层薄膜结构的同轴型峰化电容器的垂直极化电磁脉冲辐射波模拟器的FDTD计算模型,用导通柱模型代替输出开关,模拟了开关导通后的放电过程,得到了辐射电场的时域波形,并与实验结果进行了对比。结果表明,模拟计算结果与实验结果符合较好,证明了所用模型的可靠性和计算的准确性。在此基础上,计算了峰化电容器内芯长度及电极端面半锥角对模拟器辐射场的影响。结果表明:锥面天线中引入一体化设计的峰化电容器后,辐射场时域波形在达到峰值前后,均出现了预脉冲及高频振荡叠加,这与理想锥天线的辐射场时域波形明显不同;峰化电容器内芯长度的变化对模拟器辐射场的峰值影响不大,但对低频特性有一定的影响;峰化电容器电极端面半锥角与模拟器的半锥角相同时,可以获得快上升沿的辐射场。

关键词：电磁脉冲垂直极化辐射波模拟器同轴型峰化电容器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

短波接收天线系统核电磁脉冲注入试验

引用

强激光与粒子束 2019年第9期31卷 75-83页

作者：吴刚乐波杨雨枫王海洋崔志同彭磊吴伟陈伟强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究院) 西安710024 盲信号处理国家重点实验室成都610041 湘潭大学材料科学与工程学院湖南湘潭411105

为评估高空核电磁脉冲(HEMP)对某型短波接收天线系统的威胁,对包含浪涌保护器在内的天线前端设备进行HEMP传导注入试验。采用纳秒级快前沿方波源和双指数波电流源,分别测试不同浪涌保护措施的快脉冲响应。结果表明,主要由于天线末端的... 详细信息

为评估高空核电磁脉冲(HEMP)对某型短波接收天线系统的威胁,对包含浪涌保护器在内的天线前端设备进行HEMP传导注入试验。采用纳秒级快前沿方波源和双指数波电流源,分别测试不同浪涌保护措施的快脉冲响应。结果表明,主要由于天线末端的气体放电管在高过压比下很快动作(1 ns量级)、信号浪涌保护器内瞬态电压抑制器(TVS)限幅、信号传输设备内放大器饱和限幅等多重作用,注入幅度约3.5 kV的快前沿方波、电流峰值1.8 kA的双指数波(20/500 ns)脉冲都能及时泄放,只在传输设备输出端产生一个幅度饱和(<3 V)、持续μs量级的干扰信号。对这一类低工作电压天线系统,利用基于市售浪涌保护器的多重防雷措施能够同时实现对核电磁脉冲传导环境的防护。

关键词：高空核电磁脉冲脉冲电流注入短波天线浪涌保护器气体放电管瞬态电压抑制器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

宇航器件空间辐射效应地面模拟试验与评估标准规范体系

引用

现代应用物理 2020年第2期11卷 61-70页

作者：陈伟唐民郭晓强于庆奎罗尹虹梅博姚志斌丁李利李瑞宾王桂珍杨善潮王祖军马武英西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 中国空间技术研究院宇航物资保障事业部北京100029

宇航器件抗辐射性能主要依靠地面辐射模拟装置开展试验和评估,试验与评估标准规范是科学评价宇航器件抗辐射性能的重要依据。本文针对宇航器件空间辐射效应地面模拟试验的需求,分析了国内外宇航器件空间辐射效应地面模拟试验与评估标准... 详细信息

宇航器件抗辐射性能主要依靠地面辐射模拟装置开展试验和评估,试验与评估标准规范是科学评价宇航器件抗辐射性能的重要依据。本文针对宇航器件空间辐射效应地面模拟试验的需求,分析了国内外宇航器件空间辐射效应地面模拟试验与评估标准规范的发展现状,研究了器件发展给辐射效应试验方法带来的挑战,提出了满足空间抗辐射性能要求的宇航器件地面模拟试验与评估标准规范体系建设建议,对规范宇航器件抗辐射性能地面模拟试验方法具有参考价值。

关键词：宇航器件空间辐射效应试验与评估标准规范

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于SiC探测器的裂变靶探测系统中子灵敏度标定

引用

原子能科学技术 2018年第10期52卷 1847-1854页

作者：张显鹏张建福易义成刘金良刘林月西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

在高压倍加器上,采用直流法和脉冲法分别标定了235 U和238 U靶构成的探测系统对14.9 MeV中子的灵敏度。对脉冲法的原理、方法及结果进行了介绍,并与直流法的测量结果进行了对比。结果表明:脉冲法和直流法的结果在不确定度范围内一致。... 详细信息

在高压倍加器上,采用直流法和脉冲法分别标定了235 U和238 U靶构成的探测系统对14.9 MeV中子的灵敏度。对脉冲法的原理、方法及结果进行了介绍,并与直流法的测量结果进行了对比。结果表明:脉冲法和直流法的结果在不确定度范围内一致。脉冲法可在一次测量中直接扣除本底,而直流法的本底测量不准确,因此脉冲法是一种更准确的方法。本文方法可为脉冲中子源裂变探测器的相关研究提供参考。

关键词：裂变靶探测系统高压倍加器 SiC探测器中子灵敏度脉冲中子

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

西安脉冲堆燃耗对中子代时间的影响研究

引用

核科学与工程 2019年第3期39卷 357-362页

作者：张信一张良江新标何彬王立鹏郭和伟姜夺玉朱养妮火箭军工程大学核工程学院陕西西安710025 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

本文研究了计算反应堆中子代时间(Λ)的瞬发中子通量密度衰减法,基于反应堆仅释放瞬发中子的假设条件,研究了瞬发中子动力学方程,将Λ的计算转变为α本征值的计算问题,采用MCNP程序模拟瞬发中子通量密度的衰减特性以拟合出α值。该方法... 详细信息

本文研究了计算反应堆中子代时间(Λ)的瞬发中子通量密度衰减法,基于反应堆仅释放瞬发中子的假设条件,研究了瞬发中子动力学方程,将Λ的计算转变为α本征值的计算问题,采用MCNP程序模拟瞬发中子通量密度的衰减特性以拟合出α值。该方法避免了抽样计算中子价值函数的复杂问题,实现相对容易。并根据西安脉冲堆(XAPR)堆芯三维燃耗分布拟合出不同燃耗深度下瞬发中子通量密度衰减系数α,计算出堆芯中子代时间。结果表明:随着XAPR堆芯燃耗的加深,中子代时间呈增大趋势,从新堆芯到第一循环末(120EFPD),Λ增大幅度为8.93%。

关键词：西安脉冲堆中子代时间燃耗瞬发中子 MCNP

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

低剂量率辐照损伤增强效应的高温辐照加速试验机理研究

引用

原子能科学技术 2018年第6期52卷 1144-1152页

作者：姚志斌陈伟何宝平马武英盛江坤刘敏波王祖军金军山张帅西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度... 详细信息

本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度的影响。结果表明,最佳辐照温度是辐射感生产物产生与退火相互竞争的结果,且辐射感生产物的退火行为是决定最佳辐照温度的主要因素,因此氧化物陷阱的热激发能及界面陷阱的钝化能对最佳辐照温度的影响最为明显,是不同器件最佳辐照温度差异性的主要原因。

关键词：低剂量率辐照损伤增强效应数值仿真总剂量效应高温辐照加速试验

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Al丝阵早期物理状态调控及对消融特性的影响研究

Al丝阵早期物理状态调控及对消融特性的影响研究

引用

中国核学会2019年学术年会

作者：张金海王亮平李沫孙铁平吴撼宇丛培天邱爱慈强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究院清华大学工程物理系

基于快直线脉冲变压器(Fast Linear Transformer Driver,FLTD)平台,在数十千安电流下研究了Al丝阵Z箍缩早期消融特性。FLTD充电±60 kV时,Al丝"冷"启动呈典型"芯晕"结构,消融等离子体沿轴向的调制波长约500μm... 详细信息

基于快直线脉冲变压器(Fast Linear Transformer Driver,FLTD)平台,在数十千安电流下研究了Al丝阵Z箍缩早期消融特性。FLTD充电±60 kV时,Al丝"冷"启动呈典型"芯晕"结构,消融等离子体沿轴向的调制波长约500μm,与兆安级装置上的现象相同,消融流在轴线碰撞形成先驱等离子体,且具有明显的扭曲不稳定性。通过在电极处增加闪络开关、调整丝阵长度和负载电压,延迟了Al丝的击穿时刻,实现了Al丝阵全部气化,抑制了典型"芯晕"结构的产生。在丝数n=2时,气态Al丝芯的膨胀速度较"冷"启动时提高了约4倍(6 km/s和1.5 km/s),延迟了晕等离子体扰动的出现时刻,降低了等离子体不稳定性的发展速度,消融形成先驱等离子体的扭曲不稳定性得到一定程度的抑制。在丝数n=8时,气态Al丝芯的平均直径达约1.7 mm,由于驱动电流不足以驱动丝阵的快速消融或内爆,后期丝芯内部出现分层结构,呈一定的电热不稳定性。

关键词：物理状态调控消融特性芯晕结构

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

中国散裂中子源白光中子辐照诱发CIS单粒子瞬态响应和位移损伤的实验研究

中国散裂中子源白光中子辐照诱发CIS单粒子瞬态响应和位移损伤的...

引用

中国核学会2019年学术年会

作者：王祖军薛院院陈伟宁浩徐瑞郭晓强姚志斌马武英何宝平董观涛西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室湘潭大学材料科学与工程学院

开展了中国散裂中子源（CSNS）白光中子辐照CMOS图像传感器（CIS）的实验研究。白光中子的能量范围涵盖1 eV～200 MeV的宽广能谱。本次实验中,CIS的中子辐照注量率约为1.4×10～6n/（cm·s）。分析了白光中子辐照CIS诱发位移损... 详细信息

开展了中国散裂中子源（CSNS）白光中子辐照CMOS图像传感器（CIS）的实验研究。白光中子的能量范围涵盖1 eV～200 MeV的宽广能谱。本次实验中,CIS的中子辐照注量率约为1.4×10～6n/（cm·s）。分析了白光中子辐照CIS诱发位移损伤的实验规律,获得了中子位移损伤诱发产生二阶和多阶随机电报噪声（RTS）的实验规律;揭示了位移损伤诱发CIS暗信号增大、暗信号不均匀性（DSNU）增大、暗信号尖峰和RTS产生的物理机制。通过实时采集中子在线辐照CIS时的暗场图像数据,分析了白光中子辐照CIS诱发的单粒子瞬态响应特征规律,揭示了单粒子瞬态诱发CIS暗信号尖峰和亮线产生的物理机制。

关键词：中国散裂中子源 CMOS图像传感器中子辐照位移损伤单粒子瞬态响应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：