检索结果-内蒙古大学图书馆

宇航总体技术 2024年第6期8卷 66-72页

作者：郑伟汤晓斌黎俊王祖军刘伟钟乐北京宇航系统工程研究所北京100076 南京航空航天大学核科学与技术系南京211106 哈尔滨工业大学化工与化学学院哈尔滨150001 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应全国重点实验室西安710024 军事科学院防化研究院国民核生化灾害防护国家重点实验室北京102205 中国工程物理研究院电子工程研究所绵阳621000

屏蔽核辐射对保障相关人员身体健康和环境安全至关重要。在众多核辐射环境中,中子和γ射线穿透性最强,屏蔽难度最大。尤其随着辐射防护需求的不断提升,单一屏蔽材料如硼、聚乙烯、铅、钨等已无法满足现代辐射防护要求,而复合材料可以集... 详细信息

屏蔽核辐射对保障相关人员身体健康和环境安全至关重要。在众多核辐射环境中,中子和γ射线穿透性最强,屏蔽难度最大。尤其随着辐射防护需求的不断提升,单一屏蔽材料如硼、聚乙烯、铅、钨等已无法满足现代辐射防护要求,而复合材料可以集各原材料优点,取长补短,实现综合性能的全面提升。概述了中子/γ射线辐射损伤的物理机制,总结了近年来中子/γ射线混合辐射场屏蔽材料的研究进展,并展望了其在航空航天等领域的发展趋势。

关键词：中子 γ射线辐射损伤屏蔽材料

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四种中子源条件下SRAM中子单粒子翻转效应

四种中子源条件下SRAM中子单粒子翻转效应

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中国核学会2019年学术年会

作者：金晓明陈伟李俊霖齐超刘岩郭晓强王晨辉强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安710024

利用14 MeV、2.5 MeV两种单能中子、反应堆中子、散裂中子分别开展了工艺节点40～500 nm的商用SRAM器件的中子辐射效应实验研究.实验中测量了单粒子翻转数随累积中子注量的变化关系，研究了SRAM器件中子单粒子翻转截面与入射中子能谱、... 详细信息

利用14 MeV、2.5 MeV两种单能中子、反应堆中子、散裂中子分别开展了工艺节点40～500 nm的商用SRAM器件的中子辐射效应实验研究.实验中测量了单粒子翻转数随累积中子注量的变化关系，研究了SRAM器件中子单粒子翻转截面与入射中子能谱、器件工艺节点、工作电压、初始数据配置、辐照中子注量率等因素的关系.SRAM器件中子单粒子翻转截面受到入射中子能谱、器件工艺节点、工作电压的影响较大，与初始数据配置、辐照中子注量率无关.

关键词：中子单粒子翻转 SRAM 截面

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强流脉冲电子束能注量测量的不确定度分析

强流脉冲电子束能注量测量的不确定度分析

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中国核学会2019年学术年会

作者：苏兆锋杨海亮孙江任书庆强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安710024

采用基于红外测温技术的石墨量热计测量了"闪光二号"加速器产生的强流电子束能注量.为了提高测量结果的准确性,依据《测量不确定度评定与表示》(JJF 1059.1-2012)的评定流程,给出了强流电子束能注量测量与标定的不确定度模型... 详细信息

采用基于红外测温技术的石墨量热计测量了"闪光二号"加速器产生的强流电子束能注量.为了提高测量结果的准确性,依据《测量不确定度评定与表示》(JJF 1059.1-2012)的评定流程,给出了强流电子束能注量测量与标定的不确定度模型,分析了数学模型中各个量的不确定度来源以及评定方法.依照不确定度传播率,开展了不确定度合成的分析和评估,推导出了电子束能注量合成标准不确定度的表达式.以实验数据为基础,计算得到电子束能注量为100.1±8.1 J/cm2,合成不确定度为8.1％.其中,信号转换和传输是引入不确定度的主要因素.

关键词：电子束能注量全吸收量热计闪光二号加速器相对标准不确定度

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Al丝阵早期物理状态调控及对消融特性的影响研究

Al丝阵早期物理状态调控及对消融特性的影响研究

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中国核学会2019年学术年会

作者：张金海王亮平李沫孙铁平吴撼宇丛培天邱爱慈强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究院西安710024 清华大学工程物理系北京100084 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究院西安710024

基于快直线脉冲变压器(Fast Linear Transformer Driver,FLTD)平台,在数十千安电流下研究了Al丝阵Z箍缩早期消融特性.FLTD充电±60 kV时,Al丝"冷"启动呈典型"芯晕"结构,消融等离子体沿轴向的调制波长约500μm,... 详细信息

基于快直线脉冲变压器(Fast Linear Transformer Driver,FLTD)平台,在数十千安电流下研究了Al丝阵Z箍缩早期消融特性.FLTD充电±60 kV时,Al丝"冷"启动呈典型"芯晕"结构,消融等离子体沿轴向的调制波长约500μm,与兆安级装置上的现象相同,消融流在轴线碰撞形成先驱等离子体,且具有明显的扭曲不稳定性.通过在电极处增加闪络开关、调整丝阵长度和负载电压,延迟了Al丝的击穿时刻,实现了Al丝阵全部气化,抑制了典型"芯晕"结构的产生.在丝数n=2时,气态Al丝芯的膨胀速度较"冷"启动时提高了约4倍(6 km/s和1.5 km/s),延迟了晕等离子体扰动的出现时刻,降低了等离子体不稳定性的发展速度,消融形成先驱等离子体的扭曲不稳定性得到一定程度的抑制.在丝数n=8时,气态Al丝芯的平均直径达约1.7 mm,由于驱动电流不足以驱动丝阵的快速消融或内爆,后期丝芯内部出现分层结构,呈一定的电热不稳定性.

关键词：物理状态调控消融特性芯晕结构

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FLTD低电感三电极场畸变气体开关击穿特性

FLTD低电感三电极场畸变气体开关击穿特性

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中国核学会2019年学术年会

作者：降宏瑜姜晓峰孙凤举丛培天王志国黄涛强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究院陕西西安710024

本文设计了一种FLTD低电感三电极场畸变气体开关,开关结构简单,安装方便,与电容器连接紧凑且放电电感小,实验测得放电支路短路电感约为140 nH.实验研究了开关的自击穿特性,结果表明：各气压下开关自击穿电压分散性(自击穿电压标准偏差... 详细信息

本文设计了一种FLTD低电感三电极场畸变气体开关,开关结构简单,安装方便,与电容器连接紧凑且放电电感小,实验测得放电支路短路电感约为140 nH.实验研究了开关的自击穿特性,结果表明：各气压下开关自击穿电压分散性(自击穿电压标准偏差与自击穿电压之比)小于2％.实验研究了开关在不同工作系数下触发特性,在工作电压± 80 kV,工作系数60％,触发电压120 kV时,开关延时34.6 ns,抖动1.6 ns,在此条件下连续工作1 017次,开关未发生自放电及未触发导通现象.

关键词：三电极场畸变气体开关低电感自击穿特性触发特性

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电流非均匀分布对磁绝缘感应电压叠加器电子鞘层的影响

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中国科学：物理学、力学、天文学 2018年第2期48卷 81-89页

作者：魏浩孙凤举邱爱慈呼义翔西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室西安710049 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

磁绝缘感应电压叠加器(MIVA)感应腔注入电流空间非均匀分布对次级磁绝缘电子鞘层和功率流传输产生影响.本文基于磁绝缘稳态二维层流模型,分析了电流非均匀分布对MIVA次级电子鞘层的影响规律.电流非均匀分布对磁绝缘电子鞘层影响较大,但... 详细信息

磁绝缘感应电压叠加器(MIVA)感应腔注入电流空间非均匀分布对次级磁绝缘电子鞘层和功率流传输产生影响.本文基于磁绝缘稳态二维层流模型,分析了电流非均匀分布对MIVA次级电子鞘层的影响规律.电流非均匀分布对磁绝缘电子鞘层影响较大,但对电荷质心和磁绝缘流阻抗影响较小.对于给定磁绝缘参数(线电压V_0=4.1 MV、最小阳极电流I_(amin)=132 kA),当阴极电流不均匀系数δ_c约35%时,电子鞘层不均匀系数ζ约79.4%,流阻抗减小了5.6%;当δ_c增大至69.5%时,电子鞘层偏心导致阴-阳间隙局部短路.在磁绝缘最小阳极电流I_(amin)相同时,线电压V_0越低,电流非均匀分布的影响程度越显著.当线电压V_0由4.2 MV降低至1.4 MV时,引发间隙局部短路的阴极电流不均匀系数由69.5%降低至35%.

关键词：磁绝缘感应电压叠加器(MIVA) 电流非均匀分布非轴对称磁绝缘电子鞘层

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轫致辐射二极管多环强流阴极的结构优化研究

轫致辐射二极管多环强流阴极的结构优化研究

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中国核学会2019年学术年会

作者：蔡丹孙剑锋孙铁平张金海汪金华强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究院陕西西安710024

20世纪90年代以来，各国将辐射探测器技术以及电子系统辐射效应研究的重点转移到了实验室。用于产生强脉冲辐射环境的脉冲功率装置，其条件保障地位更加凸显。作为装置关键部件之一的轫致辐射二极管，因其蕴含丰富的物理和技术问题，成... 详细信息

20世纪90年代以来，各国将辐射探测器技术以及电子系统辐射效应研究的重点转移到了实验室。用于产生强脉冲辐射环境的脉冲功率装置，其条件保障地位更加凸显。作为装置关键部件之一的轫致辐射二极管，因其蕴含丰富的物理和技术问题，成为该领域研究的热点和难点所在。辐射场均匀性是轫致辐射二极管追求的指标之一，为实现大面积均匀辐照，二极管强流阴极的基本构型通常为球板或者环板结构。本文针对"强光一号"加速器短脉冲伽马状态多环强流阴极，研究了一种通过调节各环电流分配比例提高辐射场均匀性的方法。此外，由于该结构优化对电子束流自磁箍缩作用具有重要影响，本文对其在阳极靶面束斑漂移抑制方面的探索实验进行了报道。

关键词：轫致辐射多环阴极结构优化

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基于Elman反馈神经网络的导线串扰问题预测

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计算机应用与软件 2018年第5期35卷 33-36,66页

作者：王锦锦聂鑫王伟石跃武相辉杨静朱志臻西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

为了更好地预测导线串扰问题,提出使用Elman反馈神经网络方法。该反馈神经网络方法具有很强的联想记忆和优化计算功能,使用与导线串扰响应有关的参数作为网络的输入,将预测到的导线的耦合电压值作为输出。Elman反馈神经网络采用的训练... 详细信息

为了更好地预测导线串扰问题,提出使用Elman反馈神经网络方法。该反馈神经网络方法具有很强的联想记忆和优化计算功能,使用与导线串扰响应有关的参数作为网络的输入,将预测到的导线的耦合电压值作为输出。Elman反馈神经网络采用的训练数据为多导体传输线方法计算得到的。采用训练得到的该反馈神经网络预测模型对未知样本进行预测,比较预测结果和真实测试结果。实验表明建立的Elman神经网络对于导线串扰问题的预测误差较小,结果比较准确。

关键词： Elman反馈神经网络预测导线串扰电磁兼容

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CCD质子辐照损伤效应的三维蒙特卡罗模拟

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强激光与粒子束 2018年第4期30卷 83-88页

作者：薛院院王祖军刘静何宝平姚志斌刘敏波盛江坤马武英董观涛金军山西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 湘潭大学材料科学与工程学院湖南湘潭411105

针对空间质子诱发CCD性能退化问题,开展了CCD质子辐照效应的三维蒙特卡罗模拟研究。采用三维蒙特卡罗软件Geant4模拟计算了不同能量质子在Si和SiO_2中的射程及Bragg峰,分析了不同能量质子在材料中能量沉积的过程,并将模拟结果与相关数... 详细信息

针对空间质子诱发CCD性能退化问题,开展了CCD质子辐照效应的三维蒙特卡罗模拟研究。采用三维蒙特卡罗软件Geant4模拟计算了不同能量质子在Si和SiO_2中的射程及Bragg峰,分析了不同能量质子在材料中能量沉积的过程,并将模拟结果与相关数据进行对比,模拟误差在5%以内。根据质子与材料相互作用的物理过程,选取了合适的Lindhard分离函数,添加合适的物理过程,模拟计算了不同能量质子在SiO_2中的电离能量损失和Si中的非电离能量损失,并将结果与国外相关数据进行对比。根据CCD的生产工艺参数,建立了单个像元的三维模拟模型,确定了质子辐照损伤的灵敏体积,模拟计算了不同能量质子在像元灵敏体积内的电离能量沉积与非电离能量沉积,分析了CCD不同能量质子的辐照损伤差异产生的机理。结合粒子输运计算结果与CCD质子辐照实验结果,分析了质子辐照诱发CCD辐射敏感参数退化的物理机制。

关键词：电荷耦合器件(CCD) 质子 Geant4 电离能量沉积非电离能量沉积

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纳米SRAM寄生双极晶体管效应的仿真研究

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电子学报 2018年第10期46卷 2495-2503页

作者：赵雯郭晓强陈伟罗尹虹王汉宁西安交通大学核科学与技术学院陕西西安710049 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024 北京微电子技术研究所北京100076

以65nm双阱CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺的SRAM(Static Random Access Memory)为研究对象,采用三维数值模拟方法,结合SRAM中晶体管布局和邻近SRAM的相对位置,对寄生双极晶体管效应致纳米SRAM内部节点电势多次翻转的产生机制进行了深入阐述,对寄生双极晶体管效应致纳米SRAM发生MCU(Multiple Cell Upset)的影响因素进行了详细研究.发现寄生双极晶体管效应致SRAM内部节点电势多次翻转源于N阱中两个PMOS漏极电势的竞争过程,竞争过程与寄生双极晶体管效应的强弱相关,需综合考虑PMOS源极与N阱接触的距离、PMOS漏极与N阱的电势差两个因素.在纳米双阱CMOS工艺的SRAM中,PNP寄生双极晶体管效应对MCU起着重要作用.减小阱接触与SRAM单元的距离,可减弱邻近SRAM的寄生双极晶体管效应并降低MCU的发生概率,即使阱接触距离很近,特殊角度的斜入射和高LET(Linear Energy Transfer)值离子入射仍存在触发邻近SRAM的寄生双极晶体管效应并导致MCU的可能.

关键词：寄生双极晶体管效应单粒子多位翻转纳米SRAM

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