建立了单粒子多位翻转的测试方法和数据处理方法,在此基础上开展了体硅90nm SRAM重离子单粒子多位翻转的实验研究。通过分析单粒子多位翻转百分比、均值、尺寸等参数随线性能量转移(linear energy transfer,LET)的变化关系,表明了纳米...
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建立了单粒子多位翻转的测试方法和数据处理方法,在此基础上开展了体硅90nm SRAM重离子单粒子多位翻转的实验研究。通过分析单粒子多位翻转百分比、均值、尺寸等参数随线性能量转移(linear energy transfer,LET)的变化关系,表明了纳米尺度下器件单粒子多位翻转的严重性,指出了单粒子多位翻转对现有重离子单粒子效应实验方法和预估方法带来的影响。构建了包含多个存储单元的全三维器件模型,数值模拟研究了不同阱接触布放位置对单粒子多位翻转电荷收集的影响机制,表明阱电势扰动触发多单元双极放大机制是导致单粒子多位翻转的主要因素,减小阱接触与存储单元之间的距离是降低单粒子多位翻转的有效方法。
基于方波的傅里叶级数理论,设计了一种双层同轴结构的方波快脉冲直线变压器驱动源(fast linear transformer driver,FLTD)模块。依据20kJ-KrF准分子激光驱动源的参数要求,估算了放电支路、磁芯以及FLTD次级参数。设计的方波FLTD模块直径...
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基于方波的傅里叶级数理论,设计了一种双层同轴结构的方波快脉冲直线变压器驱动源(fast linear transformer driver,FLTD)模块。依据20kJ-KrF准分子激光驱动源的参数要求,估算了放电支路、磁芯以及FLTD次级参数。设计的方波FLTD模块直径为2.6m,高度为0.23m,含36个主放电支路、16个3次谐波放电支路和8个5次谐波放电支路。建立了方波FLTD PSPICE电路模型,模拟结果表明,FLTD模块输出为近似方波,电流峰值为950kA,上升时间为46ns,90%峰值的平顶宽度为217ns。
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