检索结果-内蒙古大学图书馆

强激光与粒子束 2014年第4期26卷 283-287页

作者：杨实任书庆程亮姚伟博张玉英杨莉来定国西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

介绍了一种电气绝缘柔软复合材料——DMD膜,通过对膜结构的分析,设计了一种串联等效电路模型对其进行分析。运用该模型,对DMD膜在浸渍前和浸渍后两种情况下的介电常数和介电强度进行了求解并给出计算公式。从公式可以看出:DMD膜的介电... 详细信息

介绍了一种电气绝缘柔软复合材料——DMD膜,通过对膜结构的分析,设计了一种串联等效电路模型对其进行分析。运用该模型,对DMD膜在浸渍前和浸渍后两种情况下的介电常数和介电强度进行了求解并给出计算公式。从公式可以看出:DMD膜的介电常数在浸渍前后有明显的变化,浸渍后的介电常数得到了显著的提高,并且变化率较小;浸渍后DMD膜的介电强度高于未浸渍DMD膜的介电强度。当浸渍料介电常数愈大,聚酯材料上承受的电场强度愈大,浸渍料上承受的电场强度愈小,由于聚酯材料的耐压强度很高,所以整个传输线的介电强度得到提高。

关键词：脉冲功率技术带状脉冲形成线 DMD膜介电常数介电强度

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电子束与复合靶作用后辐射特性的数值模拟

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原子能科学技术 2014年第3期48卷 506-511页

作者：李进玺吴伟来定国程引会马良赵墨郭景海周辉西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

建立了复合靶的蒙特卡罗粒子输运计算模型,以"闪光二号"加速器为电子束源,模拟了电子和光子在不同材料中的输运规律,研究了钽和聚乙烯组成的复合阳极靶对辐射X射线场的影响。模拟结果表明:随着钽厚度的增加,辐射X射线平均能... 详细信息

建立了复合靶的蒙特卡罗粒子输运计算模型,以"闪光二号"加速器为电子束源,模拟了电子和光子在不同材料中的输运规律,研究了钽和聚乙烯组成的复合阳极靶对辐射X射线场的影响。模拟结果表明:随着钽厚度的增加,辐射X射线平均能量增大,能量转换效率先增大后减小;聚乙烯可明显减小辐射场中的电子份额。当钽和聚乙烯的厚度分别取20μm、3mm时,辐射场中平均光子能量为102.68keV;光子总能量为88.62J,远大于电子总能量0.02J;X射线能量转换效率为0.57%。根据数值模拟结果和实验条件设计了复合靶,计算和测得的X射线平均能量分别为108和121keV,二者符合得较好。

关键词：粒子输运轫致辐射复合靶 X射线

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“强光一号”单排平面型铝丝阵Z箍缩实验研究

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强激光与粒子束 2014年第5期26卷 255-260页

作者：王亮平李沫张金海张信军郭宁张少国强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024

利用“强光一号”装置开展了排宽度6～24mm、丝根数10~34、不同参数的单排平面型铝丝阵Z箍缩实验研究，重点研究了不同负载参数下平面型丝阵Z箍缩内爆、辐射特性随负载参数的变化规律。结果表明：平面型丝阵负载内爆过程存在先驱等离子... 详细信息

利用“强光一号”装置开展了排宽度6～24mm、丝根数10~34、不同参数的单排平面型铝丝阵Z箍缩实验研究，重点研究了不同负载参数下平面型丝阵Z箍缩内爆、辐射特性随负载参数的变化规律。结果表明：平面型丝阵负载内爆过程存在先驱等离子体柱、拖尾质量等，并伴随着R—T不稳定性；在滞止后期等离子体箍缩柱受扭曲不稳定性影响明显；不同参数负载聚爆时间取决于线质量与排宽度平方的乘积值；以辐射能衡量的最优化值应位于200~400μg·cm之间，在相同值下丝间距应选择在1mm以下为宜。实验获得的平面型铝丝阵最大x射线辐射能量22kJ，峰值功率630GW，最大K层辐射能量3．9kJ，K层辐射功率158GW。

关键词：平面型丝阵内爆辐射特性 Z箍缩

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预充等离子体密度对杆箍缩二极管特性的影响

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强激光与粒子束 2014年第11期26卷 267-272页

作者：孙剑锋孙江邱爱慈张鹏飞杨海亮李静雅尹佳辉胡杨金亮强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024

在杆箍缩二极管工作前预先填充一定密度的等离子体,可以改善二极管特性,从而提高二极管出射X射线的剂量率。建立了预充等离子体的杆箍缩二极管的粒子模拟模型,通过收集轰击到阳极上的电子,诊断其轴向分布,可以给出不同时刻的束流箍缩特... 详细信息

在杆箍缩二极管工作前预先填充一定密度的等离子体,可以改善二极管特性,从而提高二极管出射X射线的剂量率。建立了预充等离子体的杆箍缩二极管的粒子模拟模型,通过收集轰击到阳极上的电子,诊断其轴向分布,可以给出不同时刻的束流箍缩特性。利用"剑光一号"加速器低阻抗状态(1 MV/9Ω/40ns)开展了预充等离子体的杆箍缩二极管实验研究。预充适当密度的等离子体后,二极管阻抗降低到10Ω,X射线辐射剂量从0.76mGy提高到3.19mGy,侧向焦斑从9mm降到4mm。模拟结果和实验基本符合。

关键词：预充等离子体杆箍缩二极管等离子体密度数值模拟电子沉积密度轴向分布侧向焦斑

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NAND型Flash存储器总剂量效应实验研究

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原子能科学技术 2014年第8期48卷 1502-1507页

作者：盛江坤邱孟通姚志斌何宝平黄绍艳刘敏波肖志刚王祖军西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

针对镁光公司的4种NAND型Flash存储器,开展了不同辐照偏置下的总剂量效应实验及不同工艺尺寸器件的静态加电辐照实验。实验结果表明,器件在静态加电和动态辐照偏置下的总剂量效应相似,而与不加电辐照偏置下的总剂量效应不同。不同工艺... 详细信息

针对镁光公司的4种NAND型Flash存储器,开展了不同辐照偏置下的总剂量效应实验及不同工艺尺寸器件的静态加电辐照实验。实验结果表明,器件在静态加电和动态辐照偏置下的总剂量效应相似,而与不加电辐照偏置下的总剂量效应不同。不同工艺尺寸器件的敏感参数有相同的变化趋势,由于受其他因素的综合影响,各敏感参数并不随工艺尺寸单调变化。

关键词： NAND型Flash存储器总剂量效应辐照偏置工艺尺寸

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两种不同引燃结构放电稳定性研究

两种不同引燃结构放电稳定性研究

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中国核学会2015年学术年会

作者：孙江呼义翔曾江涛孙凤举胡杨孙剑锋张鹏飞强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安710024

间隙击穿和滑闪击穿是电触发trigatron开关常见的两种引燃结构,本文通过统计方法研究了这两种不同引燃结构放电击穿电压和脉冲放电时刻的稳定性.研究结果表明,滑闪击穿结构击穿电压小于间隙击穿结构,其对触发脉冲幅值的要求更低,同时滑... 详细信息

间隙击穿和滑闪击穿是电触发trigatron开关常见的两种引燃结构,本文通过统计方法研究了这两种不同引燃结构放电击穿电压和脉冲放电时刻的稳定性.研究结果表明,滑闪击穿结构击穿电压小于间隙击穿结构,其对触发脉冲幅值的要求更低,同时滑闪击穿放电时刻也较间隙击穿早,抖动也较小,采用滑闪击穿引燃trigatron开关有利于减小整个trigatron开关的击穿时间延迟和抖动.

关键词： Trigatron开关间隙击穿滑闪击穿击穿电压放电稳定性

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中子辐照后CMOS工艺静态随机存储器瞬时电离辐射翻转效应实验研究

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原子能科学技术 2014年第S1期48卷 723-726页

作者：刘岩陈伟杨善潮齐超王桂珍林东生郭晓强金军山西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

对0.15μm特征尺寸CMOS工艺商用静态随机存储器(SRAM)开展了中子辐照后的瞬时电离辐射效应实验研究,获得了中子辐照后SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律,并与未经中子辐照SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律进行对比。结果表明:中子辐照... 详细信息

对0.15μm特征尺寸CMOS工艺商用静态随机存储器(SRAM)开展了中子辐照后的瞬时电离辐射效应实验研究,获得了中子辐照后SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律,并与未经中子辐照SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律进行对比。结果表明:中子辐照能有效提高CMOS工艺SRAM器件的瞬时剂量率翻转阈值,中子辐照引起的少数载流子的寿命降低是产生这种现象的主要原因。

关键词：翻转效应翻转阈值中子辐照 SRAM

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0.18μm CMOS电路瞬时剂量率效应实验研究

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原子能科学技术 2014年第11期48卷 2165-2169页

作者：王桂珍林东生齐超白小燕杨善潮李瑞宾马强金晓明刘岩西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量... 详细信息

利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量率性能的影响与电路的规模有关。0.18μm CMOS反相器的抗瞬时剂量率性能远优于微米级反相器,而0.18μm CMOS静态随机存储器的抗瞬时剂量率性能远低于微米级及亚微米级存储器。

关键词： CM OS电路脉冲激光剂量率翻转翻转阈值特征尺寸

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脉冲硬X射线能谱软化方法数值分析

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原子能科学技术 2014年第2期48卷 336-340页

作者：来定国张永民李进玺全林姚伟博杨莉张玉英任书庆杨实程亮西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

基于轫致辐射原理,提出了通过轫致辐射靶优化设计软化脉冲硬X射线能谱的方法。采用MCNP程序模拟了复合薄靶和反射靶的输出参数,分析了复合薄靶中转化靶和电子吸收材料厚度对脉冲硬X射线能谱、转换效率以及透射电子份额的影响;给出了反... 详细信息

基于轫致辐射原理,提出了通过轫致辐射靶优化设计软化脉冲硬X射线能谱的方法。采用MCNP程序模拟了复合薄靶和反射靶的输出参数,分析了复合薄靶中转化靶和电子吸收材料厚度对脉冲硬X射线能谱、转换效率以及透射电子份额的影响;给出了反射靶透射和反射X射线能谱、转换效率的差异及其随电子入射角度的变化规律。根据模拟结果分析了两种方法的可行性,并进行了实验验证,为轫致辐射靶的优化设计提供参考。

关键词：轫致辐射脉冲硬X射线能谱复合靶反射靶

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EEPROM瞬时剂量率效应实验研究

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原子能科学技术 2014年第S1期48卷 727-731页

作者：王桂珍齐超林东生白小燕杨善潮李瑞宾刘岩金晓明西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

对3种不同容量的EEPROM开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验研究,测量电路的剂量率闩锁特性、高剂量率辐照下的数据保持能力及电路功能。辐照前,利用编程器在EEPROM中全地址写入55H,加电辐照,测量辐照后的电源电流;辐照后,再... 详细信息

对3种不同容量的EEPROM开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验研究,测量电路的剂量率闩锁特性、高剂量率辐照下的数据保持能力及电路功能。辐照前,利用编程器在EEPROM中全地址写入55H,加电辐照,测量辐照后的电源电流;辐照后,再利用编程器对EEPROM的存储数据及读写功能进行测量。研究结果表明:EEPROM在瞬时辐照下,主要表现为外围电路的剂量率闩锁效应;在1.0×109 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,3种电路存储的数据保持完好,未发生变化,存储器的擦除、编程及读出功能正常。给出了3种EEPROM电路的剂量率闩锁阈值,并对EEPROM的瞬时剂量率效应特点进行了分析。

关键词：浮栅器件 EEPROM 剂量率闩锁闩锁阈值

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