检索结果-内蒙古大学图书馆

原子能科学技术 2017年第3期51卷 561-566页

作者：马良周辉郭景海程引会吴伟刘逸飞李进玺赵墨西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

本文分析了X射线辐照电缆的物理过程,建立了电缆介质层辐射感应电导率(RIC)和间隙效应计算模型,采用有限元方法模拟了电缆X射线辐照非线性效应,给出了诺顿等效电流源(NCD)的非线性响应规律。模拟结果表明,仅考虑RIC效应时,随着X射线注... 详细信息

本文分析了X射线辐照电缆的物理过程,建立了电缆介质层辐射感应电导率(RIC)和间隙效应计算模型,采用有限元方法模拟了电缆X射线辐照非线性效应,给出了诺顿等效电流源(NCD)的非线性响应规律。模拟结果表明,仅考虑RIC效应时,随着X射线注量的增加,NCD幅度存在明显的饱和现象,波形宽度逐渐变窄;仅考虑间隙效应时,NCD幅度近似正比于间隙宽度;当同时考虑两种效应时,间隙效应将会大幅抵消RIC对NCD的影响。因此,在预估核爆环境下屏蔽电缆的X射线辐照响应时,需综合考虑RIC和间隙非线性效应的影响。

关键词： RIC 间隙非线性效应屏蔽电缆 X射线

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碳化硅探测器的最大线性电流研究

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原子能科学技术 2022年第10期56卷 1987-1995页

作者：刘林月欧阳晓平张显鹏阮金陆强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安710024

本文研究了电流型碳化硅探测器的最大线性电流特性,给出了最大线性电流计算方法,分析了辐射类型、灵敏区面积、灵敏区厚度和耗尽区电场强度对最大线性电流的影响,利用强脉冲X射线加速器和紫外激光源实验研究了碳化硅探测器的最大线性电... 详细信息

本文研究了电流型碳化硅探测器的最大线性电流特性,给出了最大线性电流计算方法,分析了辐射类型、灵敏区面积、灵敏区厚度和耗尽区电场强度对最大线性电流的影响,利用强脉冲X射线加速器和紫外激光源实验研究了碳化硅探测器的最大线性电流特性。研究结果表明,灵敏区面积4 cm^(2)的碳化硅探测器可获得4 A以上的线性电流,不同规格碳化硅探测器最大线性电流的理论和实验结果最大相对偏差约23%。

关键词：碳化硅半导体探测器线性电流脉冲辐射探测

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“强光一号”单排平面型铝丝阵Z箍缩实验研究

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强激光与粒子束 2014年第5期26卷 255-260页

作者：王亮平李沫张金海张信军郭宁张少国强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024

利用“强光一号”装置开展了排宽度6～24mm、丝根数10~34、不同参数的单排平面型铝丝阵Z箍缩实验研究，重点研究了不同负载参数下平面型丝阵Z箍缩内爆、辐射特性随负载参数的变化规律。结果表明：平面型丝阵负载内爆过程存在先驱等离子... 详细信息

利用“强光一号”装置开展了排宽度6～24mm、丝根数10~34、不同参数的单排平面型铝丝阵Z箍缩实验研究，重点研究了不同负载参数下平面型丝阵Z箍缩内爆、辐射特性随负载参数的变化规律。结果表明：平面型丝阵负载内爆过程存在先驱等离子体柱、拖尾质量等，并伴随着R—T不稳定性；在滞止后期等离子体箍缩柱受扭曲不稳定性影响明显；不同参数负载聚爆时间取决于线质量与排宽度平方的乘积值；以辐射能衡量的最优化值应位于200~400μg·cm之间，在相同值下丝间距应选择在1mm以下为宜。实验获得的平面型铝丝阵最大x射线辐射能量22kJ，峰值功率630GW，最大K层辐射能量3．9kJ，K层辐射功率158GW。

关键词：平面型丝阵内爆辐射特性 Z箍缩

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kA级脉冲电流注入环的SPICE电路模型

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电子学报 2023年第3期51卷 632-638页

作者：崔志同陈伟董亚运刘政西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

在考核电力/电子设备抗强电磁脉冲性能的千安培(kA)级脉冲电流注入试验中,注入环通过感性耦合的方式将脉冲源输出能量加载到受试设备端口,是注入试验平台的重要组成部分.为解决kA级电流注入环的时域电路仿真难题,本文以Montena IC3B型... 详细信息

在考核电力/电子设备抗强电磁脉冲性能的千安培(kA)级脉冲电流注入试验中,注入环通过感性耦合的方式将脉冲源输出能量加载到受试设备端口,是注入试验平台的重要组成部分.为解决kA级电流注入环的时域电路仿真难题,本文以Montena IC3B型注入环为例,采用多段集总参数电路串联的方法,建立了考虑分布参数因素的kA级注入环SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis,SPICE)电路模型;并依据注入环磁芯材料特性,对端口阻抗测试数据进行了分频段拟合,采用粒子群优化算法求取了电路模型参数;最后将该模型应用于kA级脉冲电流注入平台的整体电路仿真,并进行了实验验证,结果表明该模型具有较高的时域仿真精度,可用于电力/电子设备强电磁脉冲电流注入试验的设计、分析、效果预估等工作.

关键词：电磁脉冲脉冲电流注入电流注入环 SPICE电路模型

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碳化硅探测器的时间响应研究

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哈尔滨工程大学学报 2022年第11期43卷 1547-1552页

作者：刘林月张建福李辉欧阳晓平西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

碳化硅探测器是近年来新兴的半导体探测器,具有高电荷收集效率和强抗辐照特性,被广泛用于中子和带电粒子探测。本文针对电流型碳化硅探测器的时间响应特性开展研究,利用W.C.狄钦松模型理论计算和可等效δ脉冲的超快射线束响应实验分别... 详细信息

碳化硅探测器是近年来新兴的半导体探测器,具有高电荷收集效率和强抗辐照特性,被广泛用于中子和带电粒子探测。本文针对电流型碳化硅探测器的时间响应特性开展研究,利用W.C.狄钦松模型理论计算和可等效δ脉冲的超快射线束响应实验分别研究了碳化硅探测器的时间特性,理论和实验结果较为一致;研究发现碳化硅探测器的具有超快时间响应特性,上升时间和响应半高宽小于2 ns;研究了碳化硅探测器时间响应的尺寸效应,获得了探测器时间响应下降时间与RC时间参数关系的经验公式。本文研究结果可为碳化硅探测器的设计、脉冲射线探测应用等提供参考。

关键词：碳化硅半导体探测器时间响应宽禁带半导体纳秒级电流型探测器

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四路并联二极管辐射X射线场参数计算

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原子能科学技术 2015年第8期49卷 1460-1466页

作者：李进玺邱孟通程引会吴伟来定国马良赵墨郭景海西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

利用二极管的电压、电流计算了发射电子束能谱参数,建立了四路并联二极管阳极靶蒙特卡罗粒子输运计算模型,给出了辐射X射线场参数;将四路并联二极管的每个二极管划分为若干小单元,将其作为点源,采用数值积分的方法计算了辐射X射线剂量分... 详细信息

利用二极管的电压、电流计算了发射电子束能谱参数,建立了四路并联二极管阳极靶蒙特卡罗粒子输运计算模型,给出了辐射X射线场参数;将四路并联二极管的每个二极管划分为若干小单元,将其作为点源,采用数值积分的方法计算了辐射X射线剂量分布,并分析了空间不同位置处每路二极管对剂量的贡献。结果表明:真空中,距离四路并联二极管阳极靶5cm位置处,X射线注量为3.55mJ/cm2,光子平均能量为62.18keV,120keV以下的光子占辐射X射线谱总能量的81.84%,电子束转换效率为0.30%;在2 700cm2范围内,中轴线和对角线上的剂量均匀性分别为3.20和6.31;在2 000cm2范围内,中轴线和对角线上的剂量均匀性均小于2。

关键词：并联二极管 X射线场蒙特卡罗方法剂量均匀性

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低剂量率辐照损伤增强效应的高温辐照加速试验机理研究

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原子能科学技术 2018年第6期52卷 1144-1152页

作者：姚志斌陈伟何宝平马武英盛江坤刘敏波王祖军金军山张帅西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度... 详细信息

本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度的影响。结果表明,最佳辐照温度是辐射感生产物产生与退火相互竞争的结果,且辐射感生产物的退火行为是决定最佳辐照温度的主要因素,因此氧化物陷阱的热激发能及界面陷阱的钝化能对最佳辐照温度的影响最为明显,是不同器件最佳辐照温度差异性的主要原因。

关键词：低剂量率辐照损伤增强效应数值仿真总剂量效应高温辐照加速试验

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电容型肖特基探针的谐振放大方法研究

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原子能科学技术 2023年第7期57卷 1435-1442页

作者：王敏文王忠明邱孟通赵铭彤王迪王茂成卓鑫闫逸花西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

肖特基诊断是同步环加速器束流参数的一种重要测量手段,可用于束流回旋频率、动量分散、工作点等多个参数的测量。电容型探针是开展肖特基信号测量的常用手段,但常规的电容型探针灵敏度低,在粒子数较少时测量信噪比差,难以获得有效的测... 详细信息

肖特基诊断是同步环加速器束流参数的一种重要测量手段,可用于束流回旋频率、动量分散、工作点等多个参数的测量。电容型探针是开展肖特基信号测量的常用手段,但常规的电容型探针灵敏度低,在粒子数较少时测量信噪比差,难以获得有效的测量结果。电容型探针可等效为RC并联电路,通过添加并联电感形成RLC电路可实现信号的谐振放大。通过建立谐振放大等效电路模型,分析了影响谐振放大倍数以及信噪比的主要因素。开展了谐振放大电路研制,在西安质子应用装置进行了实验验证,实现了Q为177的谐振放大,将测量信噪比提升了22.9 dB。

关键词：肖特基噪声谐振放大电容型探针同步环

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NAND型Flash存储器总剂量效应实验研究

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原子能科学技术 2014年第8期48卷 1502-1507页

作者：盛江坤邱孟通姚志斌何宝平黄绍艳刘敏波肖志刚王祖军西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

针对镁光公司的4种NAND型Flash存储器,开展了不同辐照偏置下的总剂量效应实验及不同工艺尺寸器件的静态加电辐照实验。实验结果表明,器件在静态加电和动态辐照偏置下的总剂量效应相似,而与不加电辐照偏置下的总剂量效应不同。不同工艺... 详细信息

针对镁光公司的4种NAND型Flash存储器,开展了不同辐照偏置下的总剂量效应实验及不同工艺尺寸器件的静态加电辐照实验。实验结果表明,器件在静态加电和动态辐照偏置下的总剂量效应相似,而与不加电辐照偏置下的总剂量效应不同。不同工艺尺寸器件的敏感参数有相同的变化趋势,由于受其他因素的综合影响,各敏感参数并不随工艺尺寸单调变化。

关键词： NAND型Flash存储器总剂量效应辐照偏置工艺尺寸

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预充等离子体密度对杆箍缩二极管特性的影响

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强激光与粒子束 2014年第11期26卷 267-272页

作者：孙剑锋孙江邱爱慈张鹏飞杨海亮李静雅尹佳辉胡杨金亮强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024

在杆箍缩二极管工作前预先填充一定密度的等离子体,可以改善二极管特性,从而提高二极管出射X射线的剂量率。建立了预充等离子体的杆箍缩二极管的粒子模拟模型,通过收集轰击到阳极上的电子,诊断其轴向分布,可以给出不同时刻的束流箍缩特... 详细信息

在杆箍缩二极管工作前预先填充一定密度的等离子体,可以改善二极管特性,从而提高二极管出射X射线的剂量率。建立了预充等离子体的杆箍缩二极管的粒子模拟模型,通过收集轰击到阳极上的电子,诊断其轴向分布,可以给出不同时刻的束流箍缩特性。利用"剑光一号"加速器低阻抗状态(1 MV/9Ω/40ns)开展了预充等离子体的杆箍缩二极管实验研究。预充适当密度的等离子体后,二极管阻抗降低到10Ω,X射线辐射剂量从0.76mGy提高到3.19mGy,侧向焦斑从9mm降到4mm。模拟结果和实验基本符合。

关键词：预充等离子体杆箍缩二极管等离子体密度数值模拟电子沉积密度轴向分布侧向焦斑

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