检索结果-内蒙古大学图书馆

原子能科学技术 2021年第12期55卷 2260-2266页

作者：丁李利陈伟王坦徐静妍强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安710024

通过研究源隔离策略为典型代表的版图加固措施,评价多种考虑源隔离策略加固结构的单粒子瞬态响应,验证并报道了产生的相反效果。除寄生双极放大效应,驱动能力和节点电容均能对单粒子瞬态产生影响,由于受多个因素调控,除非某因素确定无... 详细信息

通过研究源隔离策略为典型代表的版图加固措施,评价多种考虑源隔离策略加固结构的单粒子瞬态响应,验证并报道了产生的相反效果。除寄生双极放大效应,驱动能力和节点电容均能对单粒子瞬态产生影响,由于受多个因素调控,除非某因素确定无疑是最主要的影响因素,在采取加固措施之前必须经过仔细考虑以及定量评估。

关键词：源隔离单粒子瞬态缓解措施相反效果

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缺陷对脉冲电压下介电材料真空沿面绝缘性能的影响

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武汉大学学报(理学版) 2024年第6期70卷 756-762页

作者：周亚伟呼义翔杨实何德雨钟爱旭张信军梁天学何春清西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应全国重点实验室陕西西安710024 武汉大学物理科学与技术学院湖北省核固体物理实验室湖北武汉430072

利用正电子湮没寿命谱技术研究了缺陷对脉冲电压下介电材料真空沿面绝缘性能的影响。基于晨光号加速器开展了四种介电材料真空沿面耐压考核实验,分析了四种材料的真空沿面绝缘性能。研究结果表明,正电子湮没平均寿命越长,介电材料的真... 详细信息

利用正电子湮没寿命谱技术研究了缺陷对脉冲电压下介电材料真空沿面绝缘性能的影响。基于晨光号加速器开展了四种介电材料真空沿面耐压考核实验,分析了四种材料的真空沿面绝缘性能。研究结果表明,正电子湮没平均寿命越长,介电材料的真空沿面耐压性能越差。利用正电子湮没平均寿命量化了材料中的缺陷信息。分析认为,缺陷的存在引起材料介电常数突变,同时缺陷易于捕获自由载流子,加剧材料表面电荷集聚,导致材料真空沿面局部电场畸变,造成介电材料真空沿面绝缘失效。

关键词：正电子湮没寿命缺陷电荷集聚沿面闪络脉冲电压介电材料

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磁绝缘传输线阴极准直建模与仿真

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国防科技大学学报 2021年第3期43卷 66-72页

作者：何德雨呼义翔曾江涛杨实周亚伟孙江尹佳辉丛培天强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安710024

大型脉冲功率装置的磁绝缘传输线(Magnetically Insulated Transmission Line,MITL)阴极长度可达十余米,在悬臂结构下由于重力引起的末端挠度变形将达数厘米。如果不进行准直,由此造成的阴阳极间隙误差可能引起较明显的电流损失。借鉴He... 详细信息

大型脉冲功率装置的磁绝缘传输线(Magnetically Insulated Transmission Line,MITL)阴极长度可达十余米,在悬臂结构下由于重力引起的末端挠度变形将达数厘米。如果不进行准直,由此造成的阴阳极间隙误差可能引起较明显的电流损失。借鉴HermesⅢ装置基于倾斜垫片的直线度调节方案,设计了用于准直原理验证的Mini-MITL阴极。根据阴极圆筒尺寸参数、倾斜垫片设计参数以及倾斜垫片旋转角度,建立了阴极筒关键节点坐标的数值模型,得到竖直和水平方向的理论修正坐标。作为验证,在SolidWorks环境中建立坐标测量参考基准,得到的三维仿真坐标与数值建模坐标具有较好的一致性。基于SolidWorks Simulation对阴极的重力变形进行了仿真,根据仿真结果调整倾斜垫片的相对旋转角度,修正竖直方向挠度的同时兼顾水平方向直线度,在该策略下的竖直和水平方向准直误差均低于阈值。在离散调节策略的基础上进行了连续可调的改进优化,改进后的准直精度得到进一步提升。

关键词：磁绝缘传输线准直倾斜垫片直线度调节 SolidWorks仿真

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考虑弯曲变形的端盖法兰动态密封设计方法

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爆炸与冲击 2020年第3期40卷 90-96页

作者：程帅师莹菊殷文骏陈博张德志刘文祥西北核技术研究院强动载与效应重点实验室陕西西安710024

端盖法兰的螺栓预紧力选择是密封结构设计的重要问题。本文中通过估算端盖法兰弯曲振动的等效刚度和等效质量,建立了考虑端盖弯曲振动的法兰结构响应双弹簧分析模型,获得了与实验数据一致性较好的结构响应分析结果。总结了端盖轴向振动... 详细信息

端盖法兰的螺栓预紧力选择是密封结构设计的重要问题。本文中通过估算端盖法兰弯曲振动的等效刚度和等效质量,建立了考虑端盖弯曲振动的法兰结构响应双弹簧分析模型,获得了与实验数据一致性较好的结构响应分析结果。总结了端盖轴向振动、弯曲振动引起的密封面位移随预紧力、端盖厚度的变化规律;并发现随预紧力增加,密封面间隙逐渐减小并趋于一个极值;端盖弯曲变形是影响该极值大小的主要因素。

关键词：动态密封端盖法兰螺栓预紧力弯曲振动

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基于物理的体硅CMOS存储器多位翻转特性电路级仿真分析

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原子能科学技术 2021年第12期55卷 2121-2127页

作者：王坦丁李利罗尹虹赵雯张凤祁强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安710024

本文提出了一种电路级仿真方法,对体硅CMOS存储器中由单粒子效应引发的多位翻转特性进行了建模分析。该方法综合考虑了扩散效应及寄生双极放大效应引发的电荷共享收集机制,能基于版图特征重构多节点电荷收集的电流源,实现对单粒子效应... 详细信息

本文提出了一种电路级仿真方法,对体硅CMOS存储器中由单粒子效应引发的多位翻转特性进行了建模分析。该方法综合考虑了扩散效应及寄生双极放大效应引发的电荷共享收集机制,能基于版图特征重构多节点电荷收集的电流源,实现对单粒子效应位翻转截面的预估计算。针对一款65 nm工艺体硅CMOS存储器,对不同能量及角度入射的重离子引发的多位翻转效应(MCU)进行了仿真计算,并与试验结果进行了对比。

关键词：单粒子效应多位翻转电路级仿真位翻转截面倾角入射

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NPN型双极晶体管中子位移损伤差异实验研究

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现代应用物理 2024年第3期15卷 105-111,119页

作者：刘炜剑李瑞宾王桂珍白小燕金晓明刘岩齐超王晨辉李俊霖强脉冲辐射环境模拟与效应全国重点实验室西北核技术研究所西安710024

利用西安脉冲反应堆(Xi’an pulsed reactor,XAPR)的稳态中子对NPN型双极晶体管(NPN bipolar junction transistor,NPN-BJT)进行中子辐照实验,开展NPN-BJT不同固定发射极电流I_(E)条件下的中子位移损伤差异研究。研究结果表明:同一I_(E... 详细信息

利用西安脉冲反应堆(Xi’an pulsed reactor,XAPR)的稳态中子对NPN型双极晶体管(NPN bipolar junction transistor,NPN-BJT)进行中子辐照实验,开展NPN-BJT不同固定发射极电流I_(E)条件下的中子位移损伤差异研究。研究结果表明:同一I_(E)条件下,集成NPN-BJT与2N2222A NPN-BJT的电流增益退化都随辐照中子注量的增加呈逐渐增强趋势;在同一中子注量辐照下,随双极晶体管固定I_(E)的增大,中子辐射损伤常数K_(τ)降低,中子辐照前后电流增益的变化量减小,晶体管电流增益退化程度减弱,因此在一定范围内,提高固定I_(E)可在一定程度上增强NPN-BJT抗中子辐射能力。

关键词： NPN型双极晶体管固定发射极电流中子位移损伤电流增益

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二级轻气炮金属膜片破膜压力测量实验

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现代应用物理 2024年第5期15卷 128-133,149页

作者：赵奇峰朱玉荣谭书舜张向荣肖遥强脉冲辐射环境模拟与效应全国重点实验室西北核技术研究所西安710024

二级轻气炮的金属膜片作为连接泵管与发射管的关键部件,其破膜压力直接影响着活塞和弹丸的运动历程,是内弹道研究中不可忽视的关键参数。为精确测量二级轻气炮中金属膜片破膜压力,在不改变现有气炮结构的基础上,设计了一种在金属膜片两... 详细信息

二级轻气炮的金属膜片作为连接泵管与发射管的关键部件,其破膜压力直接影响着活塞和弹丸的运动历程,是内弹道研究中不可忽视的关键参数。为精确测量二级轻气炮中金属膜片破膜压力,在不改变现有气炮结构的基础上,设计了一种在金属膜片两侧安装锥段延长机构和高量程压力传感器,对金属膜片进行瞬间破膜压力的测量方法。以该方法为基础,实验测得了不同槽深的金属膜片破膜压力数据。结果表明:槽深为1.6,1.2,0.8 mm金属膜片破膜压力分别为78,135,195 MPa;调整金属膜片的槽深,可以有效地控制弹丸的释放压力和弹底压力过程,进而对弹丸的速度产生显著影响。本研究为二级轻气炮的发射能力提升和发射参数的优化提供了实践指导,而且突破了在极端条件下测量内弹道参数的难题,为气炮的内弹道分析和性能改进提供了重要的数据支撑和理论依据。

关键词：二级轻气炮金属膜片测量槽深破裂压力

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3.8 MV快前沿电磁脉冲模拟器脉冲驱动源研制

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现代应用物理 2024年第1期15卷 110-115页

作者：贾伟陈志强吴伟郭帆谢霖燊吴刚梅锴盛程乐肖晶孙楚昱朱湘琴陈伟强脉冲辐射环境模拟与效应全国重点实验室西北核技术研究所西安710024

为满足强电磁脉冲试验的需求,研制了一台输出电压可达3.8 MV的全气体绝缘快前沿脉冲驱动源。该脉冲源采用二级脉冲压缩技术路线,由Marx发生器、中储电容、中储开关、陡化电容及陡化开关等组件构成。内部各组件均采用模块化、紧凑型设计... 详细信息

为满足强电磁脉冲试验的需求,研制了一台输出电压可达3.8 MV的全气体绝缘快前沿脉冲驱动源。该脉冲源采用二级脉冲压缩技术路线,由Marx发生器、中储电容、中储开关、陡化电容及陡化开关等组件构成。内部各组件均采用模块化、紧凑型设计思路,并整体放置在一个层层嵌套的腔体中,各层之间充有不同压力的SF_(6)气体。整机具有输出电压高、结构紧凑、重量轻及便于移动等优点。测试结果表明,在驱动75Ω倒立圆锥天线负载时,初级源最大输出电压大于3.8 MV,负载处输出电场波形的脉冲前沿小于2 ns。通过开关导通时刻的调节,在天线处生成的辐射场波形满足IEC 61000-4-25标准中关于电磁脉冲试验波形的规定,因此可将其作为电磁脉冲模拟器的脉冲驱动源,开展系统级电磁脉冲试验,用于电磁脉冲效应及加固防护技术研究等工作。

关键词：电磁脉冲环境模拟 3.8 MV快前沿脉冲源脉冲压缩损伤与防护

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一种改进型双L遮断式激光光幕靶

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现代应用物理 2024年第3期15卷 50-57页

作者：姜万春杨军张德志刘文祥李进张敏赵天青强脉冲辐射环境模拟与效应全国重点实验室西北核技术研究所西安710024

针对现有光幕靶重量大、抗干扰能力弱、测量面积无法调整等问题,设计了1种改进型双L遮断式激光光幕靶,可同时测量垂直入射弹丸的速度与坐标。光幕靶电路板采用模块化方法设计,可根据用户需求灵活地拼接为0.5 m×0.5 m倍数的幕面。... 详细信息

针对现有光幕靶重量大、抗干扰能力弱、测量面积无法调整等问题,设计了1种改进型双L遮断式激光光幕靶,可同时测量垂直入射弹丸的速度与坐标。光幕靶电路板采用模块化方法设计,可根据用户需求灵活地拼接为0.5 m×0.5 m倍数的幕面。光幕靶电路板集成了定制的抗光干扰芯片,可动态调整电路的放大倍数,避免光电二极管进入饱和状态,使光幕靶具有较强的抗光干扰能力。为检验光幕靶的实际性能,开展了强光干扰、坐标、手枪、步枪4类型实验,实验结果表明,光幕靶速度测量精度为5%、坐标测量精度为5 mm。

关键词：双L式光幕坐标速度模块化抗光干扰

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电磁脉冲电场测量技术研究综述

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现代应用物理 2024年第1期15卷 1-12页

作者：聂鑫石跃武刘逸飞郭景海苗建国马良王伟吴伟强脉冲辐射环境模拟与效应全国重点实验室西北核技术研究所西安710024

宽频带大动态范围的脉冲电场测量是电磁脉冲效应、防护以及电磁兼容等相关领域的一项共性基础技术,在过去50年以来受到研究人员的广泛关注,并发展出不同手段的测量技术。无源微分(D-dot)测量传感器带宽相对较高,但尺寸较大、集成度低;... 详细信息

宽频带大动态范围的脉冲电场测量是电磁脉冲效应、防护以及电磁兼容等相关领域的一项共性基础技术,在过去50年以来受到研究人员的广泛关注,并发展出不同手段的测量技术。无源微分(D-dot)测量传感器带宽相对较高,但尺寸较大、集成度低;有源光纤测量系统最大测量带宽约为1 GHz,尺寸相对较小、集成度高、实用性强。集成光学传感器作为一种带宽宽、体积小的无源传感器,各国均有研究。本文主要回顾上述几种脉冲电场测量技术近期研究进展,并结合发展现状分析脉冲电场测量技术存在的挑战和未来可能的研究方向,为相关领域研究人员提供参考。

关键词：电磁脉冲环境脉冲电场电场传感器测量技术

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