检索结果-内蒙古大学图书馆

核动力工程 2014年第6期35卷 84-87页

作者：沈志远陈伟袁建新唐秀欢杨剑西北核技术研究所强脉冲辐射模拟与效应国家重点实验室西安710024

利用Jeffreys先验理论推导出gamma分布和beta分布的Jeffreys先验,在此基础上通过贝叶斯方法得到通用数据分布超参数计算表达式,最后以文献数据为例对失效率分布的超参数进行计算。与经典统计学方法所得结果相比,基于Jeffreys先验的数据... 详细信息

利用Jeffreys先验理论推导出gamma分布和beta分布的Jeffreys先验,在此基础上通过贝叶斯方法得到通用数据分布超参数计算表达式,最后以文献数据为例对失效率分布的超参数进行计算。与经典统计学方法所得结果相比,基于Jeffreys先验的数据处理方法简单易行,可最大限度地保留样本信息,给出的概率分布不确定性较小。

关键词：贝叶斯方法 Jeffreys先验概率安全评价可靠性数据

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多间隙气体开关触发放电过程及击穿抖动

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强激光与粒子束 2013年第5期4卷 1303-1306页

作者：丛培天邱爱慈孙铁平盛亮李阳张美西北核技术研究所强脉冲辐射模拟与效应国家重点实验室西安710024

实验研究了开关闭合抖动随欠压比和脉冲触发电压的变化关系,利用紫外光纤探测器测量不同间隙放电时延,分析了放电过程对多间隙开关闭合抖动的影响,并研究采用预电离方法降低开关触发电压。实验表明:开关抖动随脉冲触发电压与欠压比的乘... 详细信息

实验研究了开关闭合抖动随欠压比和脉冲触发电压的变化关系,利用紫外光纤探测器测量不同间隙放电时延,分析了放电过程对多间隙开关闭合抖动的影响,并研究采用预电离方法降低开关触发电压。实验表明:开关抖动随脉冲触发电压与欠压比的乘积增大呈指数下降趋势;当触发电压和欠压比的乘积大于33kV时,开关抖动小于5ns;乘积大于45kV时,开关抖动降到3ns以下并趋于饱和;对六间隙气体开关抖动的贡献,触发间隙占30%～40%,其余5个间隙为60%～70%;欠压比和触发电压对触发间隙击穿抖动的影响最大,对随后放电的3个间隙影响较小,对最后2个间隙几乎无影响;当欠压比大于57%时,采用预电离措施使开关的触发电压降低了10kV以上。

关键词：气体开关欠压比闭合抖动触发电压光纤探测器

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300 eV—1GeV质子在硅中非电离能损的计算

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物理学报 2014年第6期63卷 182-187页

作者：朱金辉韦源谢红刚牛胜利黄流兴西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

非电离能损(NIEL)引起的位移损伤是导致空间辐射环境中新型光电器件失效的主要因素.引起质子在硅中NIEL的作用机理有库仑相互作用和核相互作用,质子能量范围从位移损伤阈能到1 GeV.当质子能量位于低能区时,库仑相互作用占主导地位,采用... 详细信息

非电离能损(NIEL)引起的位移损伤是导致空间辐射环境中新型光电器件失效的主要因素.引起质子在硅中NIEL的作用机理有库仑相互作用和核相互作用,质子能量范围从位移损伤阈能到1 GeV.当质子能量位于低能区时,库仑相互作用占主导地位,采用解析方法和TRIM程序计算NIEL;当质子能量位于高能区时,NIEL主要来自质子与靶原子核的弹性和非弹性相互作用,使用MCNPX/HTAPE3X进行模拟仿真计算由核反应引起的NIEL.实现了能量范围为300 eV—1 GeV的质子入射硅时NIEL的计算.计算结果表明,MCNPX/HTAPE3X可用于计算高能质子在材料中产生的反冲核所引起的NIEL,结合解析方法和TRIM程序可计算得到由于库仑相互作用引起的NIEL.

关键词：质子非电离能损库仑相互作用核反应

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轨道式多间隙气体开关设计与性能测试

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强激光与粒子束 2013年第4期4卷 1059-1062页

作者：丛培天吴撼宇孙铁平李岩雷天时曾正中邱爱慈西北核技术研究所强脉冲辐射模拟与效应国家重点实验室西安710024

针对直线脉冲变压器对低电感、低抖动气体开关的研制需要,采用垂直布放的平板轨道电极,组成具有通视结构的水平间隙,设计了一种多间隙轨道式气体开关。利用Meek击穿判据计算了单间隙自击穿电压,实测了4个单间隙的自击穿电压及其相对标... 详细信息

针对直线脉冲变压器对低电感、低抖动气体开关的研制需要,采用垂直布放的平板轨道电极,组成具有通视结构的水平间隙,设计了一种多间隙轨道式气体开关。利用Meek击穿判据计算了单间隙自击穿电压,实测了4个单间隙的自击穿电压及其相对标准偏差,并根据单间隙自击穿电压,利用概率分析方法预测了多间隙开关自击穿电压,计算值与实测结果一致。研究表明:开关电感最大约109nH,自击穿电压相对标准偏差为1.5%,在60kV触发电压和48%～74%欠压比下,开关抖动0.9～2.6ns。与圆环形电极的多间隙气体开关相比,多间隙轨道式气体开关自击穿电压更稳定,也更容易触发。

关键词：直线脉冲变压器气体开关自击穿触发闭合抖动电感

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强流电子束入射角二维分布测量方法

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物理学报 2015年第24期64卷 273-279页

作者：胡杨杨海亮孙剑锋孙江张鹏飞强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024

电子束与靶物质相互作用时的入射角测量是强流电子束热-力学效应研究中的难点问题.提出了一种新的基于覆盖不同厚度衰减片微型法拉第筒阵列的电子束入射角测量方法,与现有方法相比,可获得具有时域特性和位置分布的强流电子束入射角分布... 详细信息

电子束与靶物质相互作用时的入射角测量是强流电子束热-力学效应研究中的难点问题.提出了一种新的基于覆盖不同厚度衰减片微型法拉第筒阵列的电子束入射角测量方法,与现有方法相比,可获得具有时域特性和位置分布的强流电子束入射角分布.以此方法进行了入射角二维分布(r,θ)测量实验,结果表明,电子束入射角二维分布与束流箍缩情况紧密相关.如果箍缩不明显,则电子主要在自身做回旋运动的同时沿着电力线运动,多以垂直或者小角度(40?以下)轰击到阳极靶面;如果箍缩明显,受E×B漂移影响,电子束入射角度会明显变大,从40?以下增至60?左右.

关键词：强流电子束入射角测量方法法拉第筒阵列

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65 nm互补金属氧化物半导体场效应和晶体管总剂量效应及损伤机制

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物理学报 2018年第14期67卷 223-229页

作者：马武英姚志斌何宝平王祖军刘敏波刘静盛江坤董观涛薛院院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024

对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET和PMOSFET)开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明:PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖性,而NMOSFET表现... 详细信息

对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET和PMOSFET)开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明:PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖性,而NMOSFET表现出较强的抗总剂量性能;在累积相同总剂量时,PMOSFET的辐照损伤远大于NMOSFET.结合理论分析和数值模拟给出了PMOSFET的辐射敏感位置及辐射损伤的物理机制.

关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 ^60Coγ辐照辐射损伤数值仿真

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利用普通CCD实现百万帧/秒超高速成像的时序驱动技术

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光学精密工程 2016年第8期24卷 1854-1860页

作者：杨少华李斌康郭明安刘璐罗通顶李刚高帅西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024 西北核技术研究所陕西西安710024

提出了基于普通CCD的掩模式成像技术来大幅提高CCD的图像获取速度,实现百万帧/秒的CCD时序驱动方法。介绍了加掩模后CCD的工作过程,利用掩模把普通CCD的光敏区划分为带有存储区的像素阵列,实现了普通CCD的片上存储功能。分析了利用普通... 详细信息

提出了基于普通CCD的掩模式成像技术来大幅提高CCD的图像获取速度,实现百万帧/秒的CCD时序驱动方法。介绍了加掩模后CCD的工作过程,利用掩模把普通CCD的光敏区划分为带有存储区的像素阵列,实现了普通CCD的片上存储功能。分析了利用普通CCD实现百万帧/秒超高帧频的时序驱动方法,掩模形状决定了帧速,帧数和图像的分辨率。对系统的时序结构、电荷转移方式和驱动电路进行了说明,通过特殊驱动电路和图像处理软件设计实现了百万帧/秒的超高帧频。最后,对驱动时序进行了仿真和实验验证。采用条状孔阵列掩模,基于普通CCD图像传感器进行了百万帧/秒工作速度的验证,获得了14幅79pixel×79pixel的图像,其帧频达到200×104 frame/s。文章所述技术具有一定的通用性。

关键词：百万帧/秒成像 CCD驱动时序高帧频成像系统电荷耦合器件(CCD)

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电子束在相对论返波管振荡器收集极上的能量沉积

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强激光与粒子束 2015年第12期27卷 144-150页

作者：张良马腾跃杨宁胡攀宋玮梁玉钦西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

在圆周对称的磁场作用下,环形电子束以一定角度轰击在圆柱面的相对论返波管振荡器(RBWO)收集极上并将能量沉积其中,采用蒙特卡罗程序FLUKA,建立了电子的能量沉积分布计算模型,研究了电子能量沉积分布规律;建立了背散射电子的运动模型,... 详细信息

在圆周对称的磁场作用下,环形电子束以一定角度轰击在圆柱面的相对论返波管振荡器(RBWO)收集极上并将能量沉积其中,采用蒙特卡罗程序FLUKA,建立了电子的能量沉积分布计算模型,研究了电子能量沉积分布规律;建立了背散射电子的运动模型,模拟了磁场作用下背散射电子的运动轨迹;研究了圆周对称径向磁场的近似方法。研究结果表明:随着磁场强度的增大,最大能量沉积密度增大,背散射电子在更靠近电子束入射区域的位置再次入射并沉积能量,且可能形成一个新的能量沉积峰值。在磁场强度较大时,采用单向的径向磁场即可较好地计算圆周对称径向磁场下背散射电子的能量沉积分布。

关键词：相对论返波管振荡器能量沉积 FLUKA 背散射电子圆周对称磁场

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中子单粒子效应研究现状及进展

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强激光与粒子束 2015年第11期27卷 4-10页

作者：杨善潮齐超刘岩郭晓强金晓明陈伟白小燕林东生王桂珍王晨辉李斌强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所) 西安710024

回顾了中子单粒子研究的国内外发展情况,介绍了近几年西北核技术研究所在西安脉冲堆开展的低能中子单粒子效应研究进展。比较了稳态与脉冲工况下中子单粒子效应的异同性;分析了含有SRAM结构器件随着特征尺寸的减小,中子单粒子效应敏感... 详细信息

回顾了中子单粒子研究的国内外发展情况,介绍了近几年西北核技术研究所在西安脉冲堆开展的低能中子单粒子效应研究进展。比较了稳态与脉冲工况下中子单粒子效应的异同性;分析了含有SRAM结构器件随着特征尺寸的减小,中子单粒子效应敏感性加剧的物理机制。分析认为目前中子单粒子效应已成为小尺寸大规模互补金属氧化物半导体器件的主要中子效应表现;中子辐射效应研究中,除了位移损伤效应以外还必需重视由中子电离造成的中子单粒子效应。

关键词：中子辐照效应中子单粒子效应随机静态存储器低能中子

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爆炸下球壳变形空间周期分布的理论计算方法

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爆炸与冲击 2020年第6期40卷 75-82页

作者：刘文祥张德志钟方平程帅张庆明西北核技术研究院强动载与效应实验室陕西西安710024 北京理工大学爆炸科学与技术国家重点实验室北京100081

早期研究提出了对振动叠加应变增长现象的解剖式分析方法,进而发现爆炸加载下带扰动源球壳上的弯曲波和壳体变形呈空间周期分布的规律。参考Timoshenko梁的弯曲理论,基于平截面假定和壳体发生较小的弯曲变形的假设,推导出球壳上弯曲波... 详细信息

早期研究提出了对振动叠加应变增长现象的解剖式分析方法,进而发现爆炸加载下带扰动源球壳上的弯曲波和壳体变形呈空间周期分布的规律。参考Timoshenko梁的弯曲理论,基于平截面假定和壳体发生较小的弯曲变形的假设,推导出球壳上弯曲波波速和波长的关系,计算得到最短弯曲波和与膜振动频率相近的弯曲波的波速,还结合早期研究提出的壳体变形分布周期与弯曲波波速的关系,计算得到了壳体变形空间分布的周期。结果表明:(1)理论计算结果与数值仿真结果基本吻合,其中弯曲波波速的计算结果与数值仿真结果相差在15%以内,壳体变形空间分布周期的计算结果与数值仿真结果相差在12%以内;(2)弯曲波波长越短,波速越快,当波长无限短时,波速趋于极限值,约为声速的0.574倍。本计算方法为解剖式分析方法提供了一定的理论依据。

关键词：爆炸容器应变增长弯曲波空间周期分布

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