检索结果-内蒙古大学图书馆

强激光与粒子束 2014年第12期26卷 194-199页

作者：王晶阮林波渠红光田耕田晓霞李显宝西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

为了满足实时现场测量和能谱监测的需求,设计了一种便携式无线多道数据采集系统。系统可以完成小剂量能谱测量和多道分析,并采用WIFI通信的方式,结合Android操作系统平台实现对能谱测量数据的记录和处理。介绍了系统的设计方案,包括测... 详细信息

为了满足实时现场测量和能谱监测的需求,设计了一种便携式无线多道数据采集系统。系统可以完成小剂量能谱测量和多道分析,并采用WIFI通信的方式,结合Android操作系统平台实现对能谱测量数据的记录和处理。介绍了系统的设计方案,包括测量原理、硬件设计和软件设计。具体阐述了各个硬件单元的原理、功能和设计要点。最后进行了能谱测试和同类仪器比对实验,根据测量结果分析了该能谱测量系统的性能。系统样机的采集道数为64k,能量分辨率为3.81%。

关键词：能谱测量多道辐射探测峰保持

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

西安脉冲堆大空间中子辐照实验平台辐射场参数测量

引用

原子能科学技术 2014年第7期48卷 1243-1249页

作者：李达张文首江新标仲云红于青玉长孙永刚苗亮亮马燕朱广宁张强苏春磊余小任宋晓靓西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

西安脉冲堆于2010年建成了大空间中子辐照实验平台。本文介绍了该实验平台辐射场设计参数、辐射场测量方法和实测结果。采用蒙特卡罗方法计算了实验平台内中子初始谱。利用多箔活化法测量了中子能谱,解谱方法采用遗传算法,并与SAND-Ⅱ... 详细信息

西安脉冲堆于2010年建成了大空间中子辐照实验平台。本文介绍了该实验平台辐射场设计参数、辐射场测量方法和实测结果。采用蒙特卡罗方法计算了实验平台内中子初始谱。利用多箔活化法测量了中子能谱,解谱方法采用遗传算法,并与SAND-Ⅱ解谱方法进行了对比,对比结果较为一致,证明了遗传算法解谱的有效性。应用热释光剂量计测量了γ射线吸收剂量率。测量结果表明,该实验平台辐射场参数符合设计要求。

关键词：西安脉冲堆中子能谱 SAND-Ⅱ方法遗传算法

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

两种不同引燃结构放电稳定性研究

两种不同引燃结构放电稳定性研究

引用

中国核学会2015年学术年会

作者：孙江呼义翔曾江涛孙凤举胡杨孙剑锋张鹏飞强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安710024

间隙击穿和滑闪击穿是电触发trigatron开关常见的两种引燃结构,本文通过统计方法研究了这两种不同引燃结构放电击穿电压和脉冲放电时刻的稳定性.研究结果表明,滑闪击穿结构击穿电压小于间隙击穿结构,其对触发脉冲幅值的要求更低,同时滑... 详细信息

间隙击穿和滑闪击穿是电触发trigatron开关常见的两种引燃结构,本文通过统计方法研究了这两种不同引燃结构放电击穿电压和脉冲放电时刻的稳定性.研究结果表明,滑闪击穿结构击穿电压小于间隙击穿结构,其对触发脉冲幅值的要求更低,同时滑闪击穿放电时刻也较间隙击穿早,抖动也较小,采用滑闪击穿引燃trigatron开关有利于减小整个trigatron开关的击穿时间延迟和抖动.

关键词： Trigatron开关间隙击穿滑闪击穿击穿电压放电稳定性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

预充等离子体密度对杆箍缩二极管特性的影响

引用

强激光与粒子束 2014年第11期26卷 267-272页

作者：孙剑锋孙江邱爱慈张鹏飞杨海亮李静雅尹佳辉胡杨金亮强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024

在杆箍缩二极管工作前预先填充一定密度的等离子体,可以改善二极管特性,从而提高二极管出射X射线的剂量率。建立了预充等离子体的杆箍缩二极管的粒子模拟模型,通过收集轰击到阳极上的电子,诊断其轴向分布,可以给出不同时刻的束流箍缩特... 详细信息

在杆箍缩二极管工作前预先填充一定密度的等离子体,可以改善二极管特性,从而提高二极管出射X射线的剂量率。建立了预充等离子体的杆箍缩二极管的粒子模拟模型,通过收集轰击到阳极上的电子,诊断其轴向分布,可以给出不同时刻的束流箍缩特性。利用"剑光一号"加速器低阻抗状态(1 MV/9Ω/40ns)开展了预充等离子体的杆箍缩二极管实验研究。预充适当密度的等离子体后,二极管阻抗降低到10Ω,X射线辐射剂量从0.76mGy提高到3.19mGy,侧向焦斑从9mm降到4mm。模拟结果和实验基本符合。

关键词：预充等离子体杆箍缩二极管等离子体密度数值模拟电子沉积密度轴向分布侧向焦斑

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

NAND型Flash存储器总剂量效应实验研究

引用

原子能科学技术 2014年第8期48卷 1502-1507页

作者：盛江坤邱孟通姚志斌何宝平黄绍艳刘敏波肖志刚王祖军西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

针对镁光公司的4种NAND型Flash存储器,开展了不同辐照偏置下的总剂量效应实验及不同工艺尺寸器件的静态加电辐照实验。实验结果表明,器件在静态加电和动态辐照偏置下的总剂量效应相似,而与不加电辐照偏置下的总剂量效应不同。不同工艺... 详细信息

针对镁光公司的4种NAND型Flash存储器,开展了不同辐照偏置下的总剂量效应实验及不同工艺尺寸器件的静态加电辐照实验。实验结果表明,器件在静态加电和动态辐照偏置下的总剂量效应相似,而与不加电辐照偏置下的总剂量效应不同。不同工艺尺寸器件的敏感参数有相同的变化趋势,由于受其他因素的综合影响,各敏感参数并不随工艺尺寸单调变化。

关键词： NAND型Flash存储器总剂量效应辐照偏置工艺尺寸

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

中子辐照后CMOS工艺静态随机存储器瞬时电离辐射翻转效应实验研究

引用

原子能科学技术 2014年第S1期48卷 723-726页

作者：刘岩陈伟杨善潮齐超王桂珍林东生郭晓强金军山西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

对0.15μm特征尺寸CMOS工艺商用静态随机存储器(SRAM)开展了中子辐照后的瞬时电离辐射效应实验研究,获得了中子辐照后SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律,并与未经中子辐照SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律进行对比。结果表明:中子辐照... 详细信息

对0.15μm特征尺寸CMOS工艺商用静态随机存储器(SRAM)开展了中子辐照后的瞬时电离辐射效应实验研究,获得了中子辐照后SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律,并与未经中子辐照SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律进行对比。结果表明:中子辐照能有效提高CMOS工艺SRAM器件的瞬时剂量率翻转阈值,中子辐照引起的少数载流子的寿命降低是产生这种现象的主要原因。

关键词：翻转效应翻转阈值中子辐照 SRAM

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

EEPROM瞬时剂量率效应实验研究

引用

原子能科学技术 2014年第S1期48卷 727-731页

作者：王桂珍齐超林东生白小燕杨善潮李瑞宾刘岩金晓明西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

对3种不同容量的EEPROM开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验研究,测量电路的剂量率闩锁特性、高剂量率辐照下的数据保持能力及电路功能。辐照前,利用编程器在EEPROM中全地址写入55H,加电辐照,测量辐照后的电源电流;辐照后,再... 详细信息

对3种不同容量的EEPROM开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验研究,测量电路的剂量率闩锁特性、高剂量率辐照下的数据保持能力及电路功能。辐照前,利用编程器在EEPROM中全地址写入55H,加电辐照,测量辐照后的电源电流;辐照后,再利用编程器对EEPROM的存储数据及读写功能进行测量。研究结果表明:EEPROM在瞬时辐照下,主要表现为外围电路的剂量率闩锁效应;在1.0×109 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,3种电路存储的数据保持完好,未发生变化,存储器的擦除、编程及读出功能正常。给出了3种EEPROM电路的剂量率闩锁阈值,并对EEPROM的瞬时剂量率效应特点进行了分析。

关键词：浮栅器件 EEPROM 剂量率闩锁闩锁阈值

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

脉冲硬X射线能谱软化方法数值分析

引用

原子能科学技术 2014年第2期48卷 336-340页

作者：来定国张永民李进玺全林姚伟博杨莉张玉英任书庆杨实程亮西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

基于轫致辐射原理,提出了通过轫致辐射靶优化设计软化脉冲硬X射线能谱的方法。采用MCNP程序模拟了复合薄靶和反射靶的输出参数,分析了复合薄靶中转化靶和电子吸收材料厚度对脉冲硬X射线能谱、转换效率以及透射电子份额的影响;给出了反... 详细信息

基于轫致辐射原理,提出了通过轫致辐射靶优化设计软化脉冲硬X射线能谱的方法。采用MCNP程序模拟了复合薄靶和反射靶的输出参数,分析了复合薄靶中转化靶和电子吸收材料厚度对脉冲硬X射线能谱、转换效率以及透射电子份额的影响;给出了反射靶透射和反射X射线能谱、转换效率的差异及其随电子入射角度的变化规律。根据模拟结果分析了两种方法的可行性,并进行了实验验证,为轫致辐射靶的优化设计提供参考。

关键词：轫致辐射脉冲硬X射线能谱复合靶反射靶

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

0.18μm CMOS电路瞬时剂量率效应实验研究

引用

原子能科学技术 2014年第11期48卷 2165-2169页

作者：王桂珍林东生齐超白小燕杨善潮李瑞宾马强金晓明刘岩西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量... 详细信息

利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量率性能的影响与电路的规模有关。0.18μm CMOS反相器的抗瞬时剂量率性能远优于微米级反相器,而0.18μm CMOS静态随机存储器的抗瞬时剂量率性能远低于微米级及亚微米级存储器。

关键词： CM OS电路脉冲激光剂量率翻转翻转阈值特征尺寸

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Burn-in对SRAM器件电离总剂量效应的影响

引用

原子能科学技术 2014年第S1期48卷 708-711页

作者：刘敏波姚志斌黄绍艳何宝平盛江坤西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

针对辐照前高温老练(Burn-in)影响SRAM器件的抗总剂量辐射能力问题,进行了实验研究。选取了3种不同工艺尺寸SRAM存储器,利用60 Co放射源对经过高温老炼和不经过高温老炼(No Burnin)的样品进行了总剂量辐照实验,测量了辐照引起的SRAM器... 详细信息

针对辐照前高温老练(Burn-in)影响SRAM器件的抗总剂量辐射能力问题,进行了实验研究。选取了3种不同工艺尺寸SRAM存储器,利用60 Co放射源对经过高温老炼和不经过高温老炼(No Burnin)的样品进行了总剂量辐照实验,测量了辐照引起的SRAM器件的数据位翻转数,得到了Burn-in对不同工艺尺寸SRAM器件总剂量效应的影响规律。针对0.25μm工艺SRAM器件开展了不同Burn-in温度影响器件抗辐射能力的实验研究,得到了器件抗辐射性能与Burn-in温度之间的关系。结果表明,SRAM器件的工艺尺寸越小,抗总剂量能力越强,且受Burn-in的影响越小;Burn-in时的温度越高,对器件的抗总剂量水平影响越大。

关键词： SRAM器件工艺尺寸高温老炼电离总剂量效应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：