检索结果-内蒙古大学图书馆

2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

作者：陈伟郭晓强张凤祁韦源孟新宇蒋飞军西北核技术研究所强脉冲辐射环境与效应国家重点实验室

本文研究并实现了大气中子辐射环境计算方法，开展了随机静态存储器的大气中子单粒子效应试验与理论研究，分析了大气中子单粒子效应的产生机制，获得了不同特征尺寸存储器的大气中子单粒子效应翻转数据。研究认为，在安全性要求较高的... 详细信息

本文研究并实现了大气中子辐射环境计算方法，开展了随机静态存储器的大气中子单粒子效应试验与理论研究，分析了大气中子单粒子效应的产生机制，获得了不同特征尺寸存储器的大气中子单粒子效应翻转数据。研究认为，在安全性要求较高的电子系统中，中子单粒子效应威胁可能对已往的风险关注、风险认识及风险控制的优先级产生重要影响，应该予以重视。

关键词：存储器大气中子单粒子效应

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一种宽带全量程示波器信道保护器研制

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电子技术应用 2021年第7期47卷 106-110页

作者：李海涛李斌康陈彦丽田耕赵前阮林波西北核技术研究所陕西西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

基于THS3491运算放大器芯片研制示波器信道保护器,应用在脉冲辐射场诊断测试之中。研究测试了SOIC、VQFN两种封装的THS3491的幅频特性曲线,采用VQFN封装的THS3491作为保护器的核心芯片;研制的保护器输出电压幅值范围为±10 V(50Ω负... 详细信息

基于THS3491运算放大器芯片研制示波器信道保护器,应用在脉冲辐射场诊断测试之中。研究测试了SOIC、VQFN两种封装的THS3491的幅频特性曲线,采用VQFN封装的THS3491作为保护器的核心芯片;研制的保护器输出电压幅值范围为±10 V(50Ω负载),等效电噪声峰峰值约为2 mV;-3 dB小信号带宽约为850 MHz,0.3 dB平坦度带宽约为710 MHz,发现并理论解释了保护器输出电压的峰移现象。通过delta脉冲信号源对保护器进行测试,对比输入输出电压波形,实现了无失真的delta响应;在输出信号电压幅值范围超过±10 V时,保护器进入到输出保护状态,输出恢复时间小于7 ns,可以很好满足脉冲辐射场诊断中的示波器信道保护要求。

关键词：信道保护小信号带宽带内平坦度输出摆率恢复时间

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分布式负载锥板式有界波电磁脉冲模拟器仿真分析

分布式负载锥板式有界波电磁脉冲模拟器仿真分析

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中国核学会2017年学术年会

作者：谢霖燊石跃武张国伟西北核技术研究所强脉冲辐射环境与效应国家重点实验室

"春雷号"模拟装置改造的新天线拟采用锥板式加分布式负载的结构。利用电磁仿真计算软件CST对新天线进行仿真分析。建立等比天线模型,仿真计算电阻链条数、金属线代替金属板、电阻个数、电阻链结构、天线外建筑对工作区间场波... 详细信息

"春雷号"模拟装置改造的新天线拟采用锥板式加分布式负载的结构。利用电磁仿真计算软件CST对新天线进行仿真分析。建立等比天线模型,仿真计算电阻链条数、金属线代替金属板、电阻个数、电阻链结构、天线外建筑对工作区间场波形的影响以及工作空间场分布。仿真结果对模拟器新天线设计以及效应试验具有重要的参考价值。

关键词： "春雷号" 高空核电磁脉冲有界波电磁脉冲模拟器电磁仿真

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单粒子闭锁保护电路的设计与验证

单粒子闭锁保护电路的设计与验证

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第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)

作者：盛江坤肖志刚姚志斌何宝平黄绍艳刘敏波王祖军唐本奇强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安710024

针对CMOS电路的单粒子闭锁效应,设计了一个基于MAX4374的闭锁保护电路.通过改变MAX4374外围的电阻和电容值,实现了闭锁保护电路电流保护阈值可调和关断时间可调的功能.设计了一个能够模拟器件单粒子闭锁效应的验证电路,对闭锁保护电路... 详细信息

针对CMOS电路的单粒子闭锁效应,设计了一个基于MAX4374的闭锁保护电路.通过改变MAX4374外围的电阻和电容值,实现了闭锁保护电路电流保护阈值可调和关断时间可调的功能.设计了一个能够模拟器件单粒子闭锁效应的验证电路,对闭锁保护电路的功能进行了验证.

关键词：互补型金属氧化物半导体电路单粒子闭锁效应保护电路设计理念

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SRAM型FPGA反应堆中子辐照效应实验研究

SRAM型FPGA反应堆中子辐照效应实验研究

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第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)

作者：杨善潮金军山齐超刘岩林东生王桂珍金晓明姚志斌李瑞宾陈伟强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安710024

在西安脉冲反应堆开展了特征尺寸为0.18μm尺寸的SRAM型FPGA中子辐射效应实验研究,通过在线测试方式,得到了功能错误、配置存储器翻转位数、块存储器翻转位数随中子注量累积的增长曲线,证实了小尺寸SRAM型FPGA在反应堆低能中子辐照下的... 详细信息

在西安脉冲反应堆开展了特征尺寸为0.18μm尺寸的SRAM型FPGA中子辐射效应实验研究,通过在线测试方式,得到了功能错误、配置存储器翻转位数、块存储器翻转位数随中子注量累积的增长曲线,证实了小尺寸SRAM型FPGA在反应堆低能中子辐照下的中子单粒子效应的存在.

关键词：脉冲反应堆中子辐射单粒子翻转现场可编程逻辑器件

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四种中子源条件下SRAM中子单粒子翻转效应

四种中子源条件下SRAM中子单粒子翻转效应

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中国核学会2019年学术年会

作者：金晓明陈伟李俊霖齐超刘岩郭晓强王晨辉强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安710024

利用14 MeV、2.5 MeV两种单能中子、反应堆中子、散裂中子分别开展了工艺节点40～500 nm的商用SRAM器件的中子辐射效应实验研究.实验中测量了单粒子翻转数随累积中子注量的变化关系，研究了SRAM器件中子单粒子翻转截面与入射中子能谱、... 详细信息

利用14 MeV、2.5 MeV两种单能中子、反应堆中子、散裂中子分别开展了工艺节点40～500 nm的商用SRAM器件的中子辐射效应实验研究.实验中测量了单粒子翻转数随累积中子注量的变化关系，研究了SRAM器件中子单粒子翻转截面与入射中子能谱、器件工艺节点、工作电压、初始数据配置、辐照中子注量率等因素的关系.SRAM器件中子单粒子翻转截面受到入射中子能谱、器件工艺节点、工作电压的影响较大，与初始数据配置、辐照中子注量率无关.

关键词：中子单粒子翻转 SRAM 截面

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几种中子-伽马数字化波形甄别方法研究

几种中子-伽马数字化波形甄别方法研究

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中国核学会2015年学术年会

作者：李奎念李阳张显鹏张美强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安710024

利用液闪探测器和镅铍源,研究了曲线拟合、模式识别、标准波形匹配等三种中子伽马数字化波形甄别方法,并探究了采样率对三种方法甄别结果的影响.本文使用的中子源为Am-Be源,液闪探测器由由50mm×50mm的BC501A液闪和R329型光电倍增... 详细信息

利用液闪探测器和镅铍源,研究了曲线拟合、模式识别、标准波形匹配等三种中子伽马数字化波形甄别方法,并探究了采样率对三种方法甄别结果的影响.本文使用的中子源为Am-Be源,液闪探测器由由50mm×50mm的BC501A液闪和R329型光电倍增管组成,探测器距源80cm放置,用泰科DPO7104示波器采集并数字化探测器信号.研究结果表明,选用的三种数字化波形甄别方法的甄别结果具有一致性,并均能将中子、伽马甄别开,但不同方法的甄别品质因子不同;当采样率大于2GSPS时,三种方法的品质因子由高到低依次为标准波形匹配、曲线拟合、模式识别,并且采样率的继续增加对增大品质因子贡献不大.这为中子/伽马波形甄别方法的选取和采样率的设置提供了参考.

关键词：液闪探测器中子波形伽马波形甄别方法曲线拟合模式识别

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功率UMOSFET的单粒子烧毁效应研究

功率UMOSFET的单粒子烧毁效应研究

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第十届全国“三核”论坛暨江西省核学术年会

作者：赵雯郭红霞张凤祁王燕萍肖尧王园明强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安 710024 西北核技术研究所西安 710024

通过三维数值模拟,深入分析了P+ Plug区的深度、源区掺杂浓度、漏极偏置、入射离子的LET值、入射角度和入射位置对功率UMOSFET (U-Shape Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,槽栅型场效应晶体管)的SEB (Single Event Bu... 详细信息

通过三维数值模拟,深入分析了P+ Plug区的深度、源区掺杂浓度、漏极偏置、入射离子的LET值、入射角度和入射位置对功率UMOSFET (U-Shape Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,槽栅型场效应晶体管)的SEB (Single Event Burnout,单粒子烧毁)敏感性的影响.模拟结果表明：增大P+Plug区深度、降低源区掺杂浓度、减小漏极偏置和入射离子的LET (Linear Energy Transfer,线性能量传输值)可有效降低SEB的发生;当入射离子的LET值较低时，斜入射比垂直入射更易引发SEB;功率UMOSFET的SEB的最敏感位置为栅极下方的径区中心。

关键词：航天电子设备垂直结构器件单粒子烧毁效应数值模拟

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中子和γ综合辐射环境下横向PNP晶体管电流增益退化的数值模拟

中子和γ综合辐射环境下横向PNP晶体管电流增益退化的数值模拟

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第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)

作者：王晨辉白小燕陈伟杨善潮刘岩金晓明西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

本文建立了中子位移效应、总剂量效应以及总剂量和位移综合辐射效应的数值模拟方法,运用半导体仿真工具TCAD,通过同时改变少数载流子寿命、表面复合速度以及在SiO2钝化层中添加电荷陷阱,完成了对中子和γ综合辐射环境下横向PNP晶体管总... 详细信息

本文建立了中子位移效应、总剂量效应以及总剂量和位移综合辐射效应的数值模拟方法,运用半导体仿真工具TCAD,通过同时改变少数载流子寿命、表面复合速度以及在SiO2钝化层中添加电荷陷阱,完成了对中子和γ综合辐射环境下横向PNP晶体管总剂量和位移综合辐射效应的数值模拟.研究结果表明,总剂量效应会加剧横向PNP晶体管的中子位移损伤,引起更显著的增益退化.

关键词：集成电路即插即用晶体管增益退化现象总剂量效应位移辐射

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典型电子学系统抗核电磁脉冲效应试验研究

典型电子学系统抗核电磁脉冲效应试验研究

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2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

作者：赵墨吴伟李进玺程引会马良郭景海刘逸飞西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安 710024

针对高空电磁脉冲环境中飞行器核心电子系统面临的强电磁辐射威胁日趋严重，利用飞行仿真系统、数据采集系统和视景仿真系统开展了地面模拟飞行状态下无人机电子学系统抗高空电磁脉冲效应研究，获取了典型效应现象，为后续开展其他类型... 详细信息

针对高空电磁脉冲环境中飞行器核心电子系统面临的强电磁辐射威胁日趋严重，利用飞行仿真系统、数据采集系统和视景仿真系统开展了地面模拟飞行状态下无人机电子学系统抗高空电磁脉冲效应研究，获取了典型效应现象，为后续开展其他类型电子学系统的高空电磁脉冲效应研究奠定技术基础。

关键词：高空电磁脉冲电子系统半实物仿真

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