检索结果-内蒙古大学图书馆

现代应用物理 2015年第4期6卷 248-253页

作者：李达陈达江新标张文首朱广宁于青玉苏春磊西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 南京航空航天大学核科学与工程系南京210016

给出了一种利用BP神经网络从中子活化测量数据中直接求解1 MeV等效中子注量的新方法。该方法选用了含两层隐藏层的BP神经网络,并围绕先验谱建立输入输出集合,对网络进行训练、检验和测试,最终形成含20个BP神经网络的网络群。该BP神经网... 详细信息

给出了一种利用BP神经网络从中子活化测量数据中直接求解1 MeV等效中子注量的新方法。该方法选用了含两层隐藏层的BP神经网络,并围绕先验谱建立输入输出集合,对网络进行训练、检验和测试,最终形成含20个BP神经网络的网络群。该BP神经网络群可实现在输入测量活化率数据后,直接输出相应的1 MeV等效中子注量。利用该方法求解了西安脉冲堆大空间中子辐照实验平台内的1 MeV等效中子注量。与实测中子能谱计算的1MeV等效中子注量结果对比,二者偏差小于6.6%。

关键词： BP神经网络西安脉冲堆中子能谱 1 MeV等效中子注量

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负载欠匹配型磁绝缘感应电压叠加器次级阻抗优化

负载欠匹配型磁绝缘感应电压叠加器次级阻抗优化

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中国核学会2017年学术年会

作者：魏浩孙凤举呼义翔邱爱慈西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室室

磁绝缘感应电压叠加器（MIVA）次级阻抗对驱动源和负载之间功率耦合产生重要影响。基于稳态磁绝缘Creedon层流理论和鞘层电子流再俘获（Re-trapping）理论,建立了负载欠匹配型MIVA电路分析方法,数值分析获得了MIVA输出参数（输出电压、... 详细信息

磁绝缘感应电压叠加器（MIVA）次级阻抗对驱动源和负载之间功率耦合产生重要影响。基于稳态磁绝缘Creedon层流理论和鞘层电子流再俘获（Re-trapping）理论,建立了负载欠匹配型MIVA电路分析方法,数值分析获得了MIVA输出参数（输出电压、阴/阳极电流和电功率）随负载欠匹配程度的变化规律。考虑阴极传导电流作为闪光照相二极管的有效电流,建立了以MIVA末端X射线剂量率最大为目标的次级阻抗优化方法。获得了欠匹配型MIVA次级优化阻抗Z*的变化规律:随着X射线剂量率对电压依赖程度提高,欠匹配型MIVA次级优化阻抗Z*呈指数降低;负载阻抗越大,Z*越大。

关键词：磁绝缘感应电压叠加器负载欠匹配次级阻抗磁绝缘最小电流鞘层电子流再俘获

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敏化LiF(Mg,Ti)热释光剂量片高剂量响应特性研究

敏化LiF(Mg,Ti)热释光剂量片高剂量响应特性研究

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中国核学会2017年学术年会

作者：王晨辉杨善潮陈伟王桂珍李瑞宾金军山李兴冀刘超铭强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所) 空间环境材料行为及评价技术国防科技重点实验室

敏化LiF(Mg,Ti)热释光剂量片(LiF(Mg,Ti)-M TLD)是用于强脉冲辐射场剂量测量的主要探测器,其测量的总剂量范围很高。本文对国产敏化LiF(Mg,Ti)热释光剂量片开展了高剂量响应特性试验,重点研究了高剂量辐照条件下剂量片的一致性、线性和... 详细信息

敏化LiF(Mg,Ti)热释光剂量片(LiF(Mg,Ti)-M TLD)是用于强脉冲辐射场剂量测量的主要探测器,其测量的总剂量范围很高。本文对国产敏化LiF(Mg,Ti)热释光剂量片开展了高剂量响应特性试验,重点研究了高剂量辐照条件下剂量片的一致性、线性和重复性,分析了剂量片γ射线响应灵敏度的变化规律。研究结果表明,敏化LiF(Mg,Ti)热释光剂量片样品在不同剂量点下读数的变异系数均在10%以内;剂量片在0～180 Gy(Si)范围内线性良好,线性上限在180 Gy(Si)以上;辐照的总累积剂量达500～600 Gy(Si)时,剂量片的灵敏度开始呈下降趋势,总累积剂量达700～800 Gy(Si)时,灵敏度比首次辐照降低约20%。

关键词： LiF(Mg,Ti)-M TLD γ射线高剂量响应特性

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Al丝阵早期物理状态调控及对消融特性的影响研究

Al丝阵早期物理状态调控及对消融特性的影响研究

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中国核学会2019年学术年会

作者：张金海王亮平李沫孙铁平吴撼宇丛培天邱爱慈强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究院清华大学工程物理系

基于快直线脉冲变压器(Fast Linear Transformer Driver,FLTD)平台,在数十千安电流下研究了Al丝阵Z箍缩早期消融特性。FLTD充电±60 kV时,Al丝"冷"启动呈典型"芯晕"结构,消融等离子体沿轴向的调制波长约500μm... 详细信息

基于快直线脉冲变压器(Fast Linear Transformer Driver,FLTD)平台,在数十千安电流下研究了Al丝阵Z箍缩早期消融特性。FLTD充电±60 kV时,Al丝"冷"启动呈典型"芯晕"结构,消融等离子体沿轴向的调制波长约500μm,与兆安级装置上的现象相同,消融流在轴线碰撞形成先驱等离子体,且具有明显的扭曲不稳定性。通过在电极处增加闪络开关、调整丝阵长度和负载电压,延迟了Al丝的击穿时刻,实现了Al丝阵全部气化,抑制了典型"芯晕"结构的产生。在丝数n=2时,气态Al丝芯的膨胀速度较"冷"启动时提高了约4倍(6 km/s和1.5 km/s),延迟了晕等离子体扰动的出现时刻,降低了等离子体不稳定性的发展速度,消融形成先驱等离子体的扭曲不稳定性得到一定程度的抑制。在丝数n=8时,气态Al丝芯的平均直径达约1.7 mm,由于驱动电流不足以驱动丝阵的快速消融或内爆,后期丝芯内部出现分层结构,呈一定的电热不稳定性。

关键词：物理状态调控消融特性芯晕结构

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泵浦探测型脉冲辐射探测技术的发展

泵浦探测型脉冲辐射探测技术的发展

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中国核学会2021年学术年会

作者：彭博栋宋岩 ZHAO Jun 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所 State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation And Effect Nuclear Institue of Nuclear Technology

泵浦探测型脉冲辐射探测技术,受到新型光源参数测量、惯性约束聚变诊断等研究中对高时间分辨的迫切要求而迅速发展。这种技术基于待测脉冲对介质光学性质的超快改变,利用探针光实现高时间分辨测量。国外的自由电子激光器上,为实现光源... 详细信息

泵浦探测型脉冲辐射探测技术,受到新型光源参数测量、惯性约束聚变诊断等研究中对高时间分辨的迫切要求而迅速发展。这种技术基于待测脉冲对介质光学性质的超快改变,利用探针光实现高时间分辨测量。国外的自由电子激光器上,为实现光源脉冲的精确定时,利用光源脉冲对半导体材料透过率的改变,分别用空时编码和频域编码的方式,实现了皮秒量级的时间分辨和飞秒两级的定时精度。RadOptic技术利用干涉仪记录脉冲X射线产生的半导体折射率瞬时变化,原型系统展示了皮秒量级的时间分辨。固态条纹相机用半导体内产生的锯齿形的折射率变化实现直接偏折待测光束,从而克服了传统条纹管中的空间电荷效应,原型样机动态范围达3000,时间分辨2.5皮秒。固态分幅相机利用瞬态光栅原理,通过记录衍射光成像实现待测脉冲的时空分布高时间分辨测量。国内也开展了这种技术的研究,固态分幅相机和固态条纹相机演示了与国外类似的时间分辨,将RadOptic技术应用扩展到MeV级的伽马射线探测与记录。这种技术有望在依赖于精确定时的装置上获得成功的成熟的应用。在其它应用场合,这种技术还需进一步提升灵敏度。同时,这种技术也为传统辐射探测器的机理研究、辐射脉冲产生的过剩载流子过程研究等提供了一种新的技术手段。

关键词：泵浦探测高时间分辨固态分幅相机固态条纹相机干涉仪

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高功率单孔柱孔结构(PHC)的设计

高功率单孔柱孔结构(PHC)的设计

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2016年全国“高电压与放电等离子体”学术会议

作者：吴撼宇曾正中强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安西安市69信箱10分箱

柱孔结构(Post-hole convolute,PHC)是大型脉冲功率装置中的关键部件,起到传输和汇流的作用.PHC传输特性直接影响到脉冲功率装置的运行效率,是脉冲功率技术的研究热点问题.已有文献表明,电流密度是影响磁绝缘传输线(Magnetically insula...

柱孔结构(Post-hole convolute,PHC)是大型脉冲功率装置中的关键部件,起到传输和汇流的作用.PHC传输特性直接影响到脉冲功率装置的运行效率,是脉冲功率技术的研究热点问题.已有文献表明,电流密度是影响磁绝缘传输线(Magnetically insulated transmission line,MITL)和PHC传输特性的重要因素.在“ZR”装置上的实验证实当外MITL馈入电流超过20 MA时,在PHC处存在显著的电流损失.对该现象的物理机制的理解和掌握是研制下一代脉冲功率装置的重要基础.本文分析了“ZR”装置PHC的几何尺寸和电流面密度等参数,针对“强光一号”加速器的电参数设计了一个PHC,其电流面密度参数与“ZR”装置使用的PHC相近.由于“强光一号”加速器的输出电流仅为1.5 MA左右,实验用PHC采用了单孔结构以达到所需电流面密度.同时,PHC的馈入部分采用开放式三板传输线以便利用激光测量其内部等离子体运动特性.

关键词：

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基于红外测温技术的强流脉冲电子束能注量测量

基于红外测温技术的强流脉冲电子束能注量测量

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2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

作者：苏兆锋孙帅杨海亮郭建明强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安710024 国防科技大学

设计了以在线式红外测温仪为测温系统的全吸收量热计,以“晨光号”发生器为实验平台测量得到了加速器出射的强流脉冲电子束能注量.通过设计透红外窗口,解决了二极管内部高温、高真空环境对测温仪的影响,用标准热源做了标定实验,消除了... 详细信息

设计了以在线式红外测温仪为测温系统的全吸收量热计,以“晨光号”发生器为实验平台测量得到了加速器出射的强流脉冲电子束能注量.通过设计透红外窗口,解决了二极管内部高温、高真空环境对测温仪的影响,用标准热源做了标定实验,消除了透红外窗口对测量精度的影响.进而研制成功了一套以在线式红外测温仪为基础的电子束能注量测量系统.得到了“晨光号”加速器第15139 炮电子束在吸收体中的能量沉积,实验结果为436.83J,能注量为122.65J/cm2,并进行了不确定度分析.

关键词：电子束能注量全吸收量热计红外测温仪晨光号加速器

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中国散裂中子源白光中子辐照诱发CIS单粒子瞬态响应和位移损伤的实验研究

中国散裂中子源白光中子辐照诱发CIS单粒子瞬态响应和位移损伤的...

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中国核学会2019年学术年会

作者：王祖军薛院院陈伟宁浩徐瑞郭晓强姚志斌马武英何宝平董观涛西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室湘潭大学材料科学与工程学院

开展了中国散裂中子源（CSNS）白光中子辐照CMOS图像传感器（CIS）的实验研究。白光中子的能量范围涵盖1 eV～200 MeV的宽广能谱。本次实验中,CIS的中子辐照注量率约为1.4×10～6n/（cm·s）。分析了白光中子辐照CIS诱发位移损... 详细信息

开展了中国散裂中子源（CSNS）白光中子辐照CMOS图像传感器（CIS）的实验研究。白光中子的能量范围涵盖1 eV～200 MeV的宽广能谱。本次实验中,CIS的中子辐照注量率约为1.4×10～6n/（cm·s）。分析了白光中子辐照CIS诱发位移损伤的实验规律,获得了中子位移损伤诱发产生二阶和多阶随机电报噪声（RTS）的实验规律;揭示了位移损伤诱发CIS暗信号增大、暗信号不均匀性（DSNU）增大、暗信号尖峰和RTS产生的物理机制。通过实时采集中子在线辐照CIS时的暗场图像数据,分析了白光中子辐照CIS诱发的单粒子瞬态响应特征规律,揭示了单粒子瞬态诱发CIS暗信号尖峰和亮线产生的物理机制。

关键词：中国散裂中子源 CMOS图像传感器中子辐照位移损伤单粒子瞬态响应

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三代压水堆堆芯中子探测器响应计算方法验证和实验研究

三代压水堆堆芯中子探测器响应计算方法验证和实验研究

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中国核学会2023年学术年会

作者：周遥曹良志王立鹏张好雨吴宏春西安交通大学核科学与技术学院西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室

作为广泛应用于第三代核电技术的堆芯中子注量率监测仪器,自给能探测器的高精度数值研究和国产化研制具有重要意义。本研究针对自给能探测器的响应机制,利用蒙特卡罗方法建立了一种更全面的探测器响应一步计算模型,其具备灵敏度组分分... 详细信息

作为广泛应用于第三代核电技术的堆芯中子注量率监测仪器,自给能探测器的高精度数值研究和国产化研制具有重要意义。本研究针对自给能探测器的响应机制,利用蒙特卡罗方法建立了一种更全面的探测器响应一步计算模型,其具备灵敏度组分分析和空间电荷效应评估等主要功能。为了进一步确认数值工具的有效性,西安交通大学核工程计算物理实验室进行了针对国产化探测器样品的相关实验研究。在基础性能和形式鉴定实验方面,发现探测器绝缘电阻在堆芯350℃时下降了5个量级,并通过一系列结构测试、材料检验、电气性能测试、浸没测试、渗透检验、振动测试和射线检查等实验,证明了样品符合堆上实验的技术要求。基于西安脉冲堆稳态运行工况的辐照测试,考核了探测器在1×10～1×10 n/（cm·s）中子注量率范围内响应电流的线性化特征,测得2 MW辐照腔环境的热中子灵敏度为1.62×10n/（cm·s）。通过堆内孔道的辐照实验,重点研究了功率台阶的探测器电流曲线和停堆后的响应衰减特性。对实测电流信号中β衰变效应的分析表明:钒自给能探测器的堆芯伽马响应贡献为负电流,且在压水堆的实际测量不能忽略伽马效应。此外,依托Co伽马射线源对探测器的伽马灵敏度进行了标定实验。实验测量与理论计算的结果表明:所提出的探测器数值计算方法能够有效适用于多种实际场景,并支持对实验现象的机理分析。同时,本研究证明了国产化钒自给能探测器堆上实验的可行性,为传感器灵敏度模型的开发和验证提供了实验数据。

关键词：反应堆在线监测辐照实验响应电流特性高温绝缘电阻 60Co伽马射线源

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40~180 nm COTS SRAM累积总剂量效应研究

40~180 nm COTS SRAM累积总剂量效应研究

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中国核学会2019年学术年会

作者：李俊霖陈伟李瑞宾杨善潮刘敏波刘岩强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究院) 陕西西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究院) 陕西西安710024 西安交通大学核科学与技术学院陕西西安710049

静态随机存储器(Static Random Access Memory,SRAM)以其存取速度快的特点在电子系统中应用广泛。针对电子系统在空间辐射环境中的应用需求,本文选取特征尺寸分别为40 nm、90 nm与180 nm的三款纳米级至超深亚微米级SRAM器件开展了累积... 详细信息

静态随机存储器(Static Random Access Memory,SRAM)以其存取速度快的特点在电子系统中应用广泛。针对电子系统在空间辐射环境中的应用需求,本文选取特征尺寸分别为40 nm、90 nm与180 nm的三款纳米级至超深亚微米级SRAM器件开展了累积总剂量辐照实验,辐照过程中分别测试了三款SRAM器件的读、写功能以及静态功耗电流随累积总剂量的变化。根据三款芯片的累积总剂量辐照实验测试结果,180 nm SRAM器件静态功耗电流出现快速增长时累积总剂量为95 krad(Si)(1rad=10-2Gy),出现功能失效时累积总剂量为140 krad(Si);90 nm SRAM器件静态功耗电流出现快速增长时累积总剂量为90 kard(Si),出现功能失效时累积总剂量为105 krad(Si);40 nm SRAM器件在累积总剂量至600 krad(Si)的范围内,静态功耗电流随累积总剂量线性增加,读写功能正常。

关键词： SRAM 累积总剂量效应静态功耗电流功能失效

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