检索结果-内蒙古大学图书馆

核电子学与探测技术 2015年第9期35卷 921-925页

作者：王晶张雁霞田耕田晓霞阮林波李海涛西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

本文设计了一种0~±1 000 V双极性数字可控式高压电压源。该电压源用触控液晶屏或远程控制PC作为人机接口,使用C8051F340单片机对使用人员的操作进行解读并控制DAC输出,由DAC输出电压的大小控制高压模块的输出。解决了同一输出接口... 详细信息

本文设计了一种0~±1 000 V双极性数字可控式高压电压源。该电压源用触控液晶屏或远程控制PC作为人机接口,使用C8051F340单片机对使用人员的操作进行解读并控制DAC输出,由DAC输出电压的大小控制高压模块的输出。解决了同一输出接口下正负电源共地兼容的难题。经过测试,该高压电源线性度好,控制精度高,体积小,可以满足辐射探测器用低纹波偏置电压、固体绝缘材料体积电阻率和表面电阻率试验、半导体材料或压敏电阻等的I-V性能测试等实验要求。

关键词：数字高压源程控电压源直流稳压源高精度

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应用于脉冲辐射场测量的分布式无人值守测试系统

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核电子学与探测技术 2015年第5期35卷 506-509页

作者：田耕渠红光阮林波张雁霞李海涛田晓霞王晶李显宝西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

介绍了一种用于脉冲辐射场测量的分布式无人值守测试系统的开发。该测试系统采用分布式结构,通过LAN网络和光纤通讯设备进行互联。系统利用基于TCP/IP协议开发的网络程序实现了实验数据传输、备份与显示。采用服务器和工业PC计算机控制... 详细信息

介绍了一种用于脉冲辐射场测量的分布式无人值守测试系统的开发。该测试系统采用分布式结构,通过LAN网络和光纤通讯设备进行互联。系统利用基于TCP/IP协议开发的网络程序实现了实验数据传输、备份与显示。采用服务器和工业PC计算机控制实验设备,利用VISA技术开发测试控制程序实现了对多种仪器设备的控制。通过用VNC技术实现了基于LAN的网络计算机状态监控和控制,并利用NTP技术实现了测试系统时钟同步。

关键词：分布式无人值守 LAN 脉冲辐射场测量系统

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瞬态微弱信号输出稳定性分析

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核电子学与探测技术 2016年第12期36卷 1215-1218页

作者：渠红光王晶韩光王玲西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

本文分析了在辐射探测瞬态微弱信号获取中,系统输出不稳定的原因,并通过改变放大电路中的反馈网络结构,利用频域特性,采用最佳相位补偿的方法实现微弱信号稳定放大输出。最后利用CZT探测器在低能γ射线的辐射探测系统中验证测试,实验表... 详细信息

本文分析了在辐射探测瞬态微弱信号获取中,系统输出不稳定的原因,并通过改变放大电路中的反馈网络结构,利用频域特性,采用最佳相位补偿的方法实现微弱信号稳定放大输出。最后利用CZT探测器在低能γ射线的辐射探测系统中验证测试,实验表明,辐射脉冲信号调理系统通过增加稳定性措施后,可有效提高CZT探测器对^(241)Am源的能量分辨率。

关键词：微弱信号放大器相位补偿 CZT

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N阱电阻的单粒子效应仿真

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物理学报 2023年第2期72卷 209-218页

作者：琚安安郭红霞张凤祁刘晔钟向丽欧阳晓平丁李利卢超张鸿冯亚辉湘潭大学材料科学与工程学院湘潭411105 西北核技术研究院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

利用计算机辅助设计(technology computer aided design,TCAD)软件针对N型阱电阻的单粒子效应开展仿真研究,结果表明单个重离子入射到N阱电阻中会造成器件输出电流的扰动.经过对电阻的工作机理和单粒子效应引入的物理机制进行分析,结果... 详细信息

利用计算机辅助设计(technology computer aided design,TCAD)软件针对N型阱电阻的单粒子效应开展仿真研究,结果表明单个重离子入射到N阱电阻中会造成器件输出电流的扰动.经过对电阻的工作机理和单粒子效应引入的物理机制进行分析,结果表明重离子在N阱电阻中产生的电子-空穴对中和了N阱电阻中的空间电荷区,使得N阱电阻的阻抗瞬间减小、电流增大,且空间电荷区被破坏的面积越大瞬态电流的峰值越高.随着阱结构中的高浓度过剩载流子被收集,单粒子效应的扰动会消失.但N阱电阻独特的长宽比设计导致器件中的过剩载流子收集效率低、单粒子效应对阱电阻的扰动时间长.文中还对影响N阱电阻单粒子效应的其他因素开展了研究,结果表明重离子的线性能量传输(linear energy transfer,LET)值越高、入射位置距离输入电极越远,N阱电阻的单粒子效应越严重.此外,适当缩短N阱电阻的长度、提高阱电阻的输入电压、降低电路电流可以增强其抗单粒子效应表现.

关键词：阱电阻空间电荷区单粒子效应瞬态电流

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MC模拟中子探测器监测脉冲堆燃料元件破损响应特性

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核电子学与探测技术 2018年第4期38卷 491-494页

作者：杨宁张良张文首西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

为评估缓发中子探测器监测脉冲堆燃料元件破损的响应特性,建立了MCNP中子源模型和3He球形计数管探测器模型,应用MC方法计算给出了最佳监测位置和该位置处不同聚乙烯厚度下探测器对缓发中子的探测效率曲线。结果表明:最佳监测位置紧贴换... 详细信息

为评估缓发中子探测器监测脉冲堆燃料元件破损的响应特性,建立了MCNP中子源模型和3He球形计数管探测器模型,应用MC方法计算给出了最佳监测位置和该位置处不同聚乙烯厚度下探测器对缓发中子的探测效率曲线。结果表明:最佳监测位置紧贴换热器外表面且偏向入口端,偏移距离和冷却剂贯穿换热器耗时有关,耗时越长,偏移越大;探测效率曲线的变化趋势取决于平均反应截面与中子注量率的积,采用聚乙烯慢化层在提高平均反应截面的同时会降低中子注量率,存在最优厚度4 cm使探测器对缓发中子探测效率最大,其值约为1.1×10-5。

关键词：缓发中子破损探测效率 MCNP

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高速实时一维阵列光电探测系统

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核电子学与探测技术 2014年第9期34卷 1110-1113,1144页

作者：严明李斌康杨少华郭明安罗通顶西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

设计实现了基于PIN光电二极管一维阵列的紧凑型实时光电探测系统。系统在16 cm的宽度内实现了32路PIN光电二极管信号的处理与采样;探测器弱电流信号的高带宽调制电路在实现104倍信号增益的同时,信号带宽约35 MHz;多通道ADC电路采样频率7... 详细信息

设计实现了基于PIN光电二极管一维阵列的紧凑型实时光电探测系统。系统在16 cm的宽度内实现了32路PIN光电二极管信号的处理与采样;探测器弱电流信号的高带宽调制电路在实现104倍信号增益的同时,信号带宽约35 MHz;多通道ADC电路采样频率75 MHz,采样周期约13.3 ns,采样精度12 bits;基于高性能FPGA的信号处理电路实现了对32路高速ADC采样信号的实时处理,数据处理速度达到28.8 Gbps,每通道采样深度8 000。

关键词： PIN光电二极管高带宽信号调制高性能现场可编程门阵列实时信号处理

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印制电路板 X 射线瞬态响应计算

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核电子学与探测技术 2014年第10期34卷 1267-1270页

作者：李进玺程引会吴伟马良赵墨郭景海周辉西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

印制电路板的X射线瞬态辐照响应是系统电磁脉冲(SGEMP)效应主要研究内容之一。脉冲X射线辐照后,电荷的重新分布在印制电路板布线上会引起电压电流响应。建立了两种结构印制电路板瞬态辐照响应的传输线计算模型,并介绍了计算模型中电流... 详细信息

印制电路板的X射线瞬态辐照响应是系统电磁脉冲(SGEMP)效应主要研究内容之一。脉冲X射线辐照后,电荷的重新分布在印制电路板布线上会引起电压电流响应。建立了两种结构印制电路板瞬态辐照响应的传输线计算模型,并介绍了计算模型中电流源、电容参数的物理意义及其计算方法;该模型考虑了电子的运动规律及响应的产生机理,适用于瞬态辐照响应规律研究和工程预估,采用的方法和思想可以应用于其它复杂结构印制电路板瞬态辐照响应的模拟。最后,给出了一个计算实例。

关键词： X射线印制电路板传输线瞬态响应

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样品颗粒度对X射线荧光强度影响模拟方法研究

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核电子学与探测技术 2017年第11期37卷 1132-1135页

作者：刘旭黑东炜霍艳坤魏福利马戈夏惊涛罗剑辉唐波张德志强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所西安710024

通过MCNP软件建立均匀颗粒的面心立方最密堆积模型,以硫酸铜-锌组合样品为例,研究样品在X射线激发下的荧光强度随颗粒大小的变化情况。采用研磨方法制备不同颗粒度的无限厚样品并进行实验,以验证建模方法的正确性;在此基础上研究颗粒度... 详细信息

通过MCNP软件建立均匀颗粒的面心立方最密堆积模型,以硫酸铜-锌组合样品为例,研究样品在X射线激发下的荧光强度随颗粒大小的变化情况。采用研磨方法制备不同颗粒度的无限厚样品并进行实验,以验证建模方法的正确性;在此基础上研究颗粒度效应对有限质量厚度样品荧光强度的影响。结果表明,自然状态的无限厚硫酸铜颗粒样品的荧光强度随颗粒尺寸增加而下降,变化程度小于统计涨落,与相同条件下的模拟结果基本一致;在质量厚度相同的情况下,样品颗粒尺寸增大,铜-锌荧光强度之比减小。

关键词：荧光分析参考元素颗粒度 MCNP

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离散电阻加载的大型垂直极化EMP辐射波模拟器的并行FDTD模拟

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计算物理 2019年第3期36卷 349-356页

作者：朱湘琴陈再高吴伟马良程引会贾伟西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

将电阻设置为跨网格有耗介质,进行离散电阻加载的大型垂直极化电磁脉冲(EMP)辐射波模拟器时域场的并行FDTD模拟.给出不同离散电阻加载方式下模拟器辐射场的时域波形,分析离散电阻加载对模拟器辐射场的影响,并给出离散电阻加载的模拟器... 详细信息

将电阻设置为跨网格有耗介质,进行离散电阻加载的大型垂直极化电磁脉冲(EMP)辐射波模拟器时域场的并行FDTD模拟.给出不同离散电阻加载方式下模拟器辐射场的时域波形,分析离散电阻加载对模拟器辐射场的影响,并给出离散电阻加载的模拟器有圆筒效应物时的时域波形.结果表明:电阻加载能有效减小模拟器顶端的电流反射,从而改善辐射场的时域波形,但电阻加载也可能会导致模拟器辐射性能的降低;当效应物开孔所在的侧面靠近模拟器且与模拟器极化方向平行时耦合进入圆筒内的电磁波能量较多.计算方法具有通用性,可用于进行离散电阻加载的其它大型垂直极化EMP辐射波模拟器时域场的模拟,包括导电地面存在且有效应物存在时的时域耦合场的模拟.

关键词：离散电阻跨网格电磁脉冲辐射波模拟器 FDTD

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不同偏置条件下光电耦合器的总剂量效应

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半导体光电 2015年第5期36卷 708-712页

作者：黄绍艳刘敏波盛江坤姚志斌王祖军何宝平肖志刚唐本奇西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

开展了4N49光电耦合器不同辐照偏置条件下的辐照实验,结果表明:电流传输比的下降幅度与辐照期间的偏置条件有关,处于工作状态的光电耦合器比短路状态的总剂量效应要弱,其根源是光电耦合器的LED施加了电流,而与光敏晶体管的偏置状态关系... 详细信息

开展了4N49光电耦合器不同辐照偏置条件下的辐照实验,结果表明:电流传输比的下降幅度与辐照期间的偏置条件有关,处于工作状态的光电耦合器比短路状态的总剂量效应要弱,其根源是光电耦合器的LED施加了电流,而与光敏晶体管的偏置状态关系不大;电流传输比随偏置条件的变化关系是由初级光电流决定的,而C-B区光响应度是初级光电流退化的主导因素。

关键词：光电耦合器总剂量效应不同偏置电流传输比

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