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作者

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  • 48 篇 吴伟
  • 47 篇 邱爱慈
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语言

  • 613 篇 中文
检索条件"机构=西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室"
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基于薄膜开关的全自动快前沿高压方波发生器研制
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原子能科学技术 2015年 第B10期49卷 533-538页
作者: 张国伟 陈志 王海洋 陈维青 谢霖燊 何小平 赵昕 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室 陕西西安710024
本文研制了一台基于薄膜开关的全自动方波发生器,设计了紧凑化低电感薄膜开关,分析了影响薄膜开关输出特性的因素,包括回路电感、阻抗、传输线长度、杂散电容、电感等对输出波形的影响;设计了自动换膜结构及基于触摸屏和PI。C控制... 详细信息
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γ射线在大气中产生康普顿电流的快速计算方法
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激光与粒子束 2015年 第7期27卷 290-294页
作者: 朱金辉 谢红刚 牛胜利 左应红 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室 西安710024
康普顿电流是激励核电磁脉冲的主要机制。为了提高核电磁脉冲数值模拟中γ射线产生康普顿电流过程的计算效率,发展了一种γ射线在均匀大气中产生康普顿电流的快速计算方法。首先通过计算康普顿电子在出射方向上的衰减特征,得到在电子出... 详细信息
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X-ray CCD相机在杆箍缩二极管X射线焦斑诊断中的应用
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原子能科学技术 2015年 第4期49卷 759-764页
作者: 宋岩 周鸣 宋顾周 马继明 段宝军 韩长材 姚志明 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室 陕西西安710024
针孔成像法是诊断杆箍缩二极管X射线焦斑的常用方法。本文建立基于增感屏、光锥耦合、CCD相机的X-ray CCD相机系统,取代针孔成像法中基于闪烁体、物镜、CCD相机的图像获取系统,提高了诊断系统的紧凑性。对建立的X-ray CCD相机系统的... 详细信息
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60m×20m×10m大尺寸TEM天线传输特性
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激光与粒子束 2015年 第6期27卷 206-211页
作者: 张国伟 王海洋 陈维青 谢霖燊 王伟 杨天 何小平 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室 西安710024 西北核技术研究所 西安710024
实验研究了长60m、宽20m、高10m的大尺寸TEM天线的传输特性,其脉冲源采用薄膜开关与天线一体化设计,输出电压幅值可达10kV,上升沿约1.2ns。实测了TEM天线内部的电场分布,研究了该大尺寸TEM天线中电场分布规律,给出了脉冲上升沿与传输距... 详细信息
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四路并联二极管辐射X射线场参数计算
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原子能科学技术 2015年 第8期49卷 1460-1466页
作者: 李进玺 邱孟通 程引会 吴伟 来定国 马良 赵墨 郭景海 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室 陕西西安710024
利用二极管的电压、电流计算了发射电子束能谱参数,建立了四路并联二极管阳极靶蒙特卡罗粒子输运计算模型,给出了辐射X射线场参数;将四路并联二极管的每个二极管划分为若干小单元,将其作为点源,采用数值积分的方法计算了辐射X射线剂量分... 详细信息
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空间核热推进粒子球床堆堆芯设计参数敏感性分析
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原子能科学技术 2015年 第B05期49卷 107-112页
作者: 姜夺玉 江新标 王立鹏 潘孝兵 张信一 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室 陕西西安710024
基于空间核热推进(SNTP)粒子球床堆的物理模型,研究了控制鼓外径与反射层厚度、10 B富集度及厚度、栅径比与高径比、燃料球体积填充率等对粒子球床堆堆芯设计参数敏感性的影响。结果表明:反射层厚度取决于控制鼓外径的选择;10B富集度及... 详细信息
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CMOS组合逻辑电路总剂量最劣试验条件研究
CMOS组合逻辑电路总剂量最劣试验条件研究
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2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议
作者: 何宝平 姚志斌 马武英 王祖军 盛江坤 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室 西北核技术研究所西安710613
本文研究了CMOS 组合逻辑电路总剂量诱导逻辑失效的激发条件,分析了电路底层器件失效机理与电路辐射损伤表征的相互关系,建立了电路节点辐射敏感节点和敏感路径甄别技术,提出了总剂量最劣试验条件(辐射输入偏置和测试输入偏置组合)的产... 详细信息
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电极结构对触发管型开关击穿特性的影响
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激光与粒子束 2015年 第6期27卷 262-266页
作者: 党腾飞 尹佳辉 孙凤举 王志国 姜晓峰 曾江涛 魏浩 邱爱慈 西北核技术研究所 强辐射脉冲环境模拟与效应国家重点实验室西安710024
基于600kV触发管型SF6气体开关,设计了三种具有典型电场分布的电极结构,计算分析了各个场分布特点,在-600kV/400ns脉冲电压下对不同电极结构进行了击穿特性实验,分析了场分布对开关击穿特性的影响。实验结果表明:三种结构中平头形电极... 详细信息
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静态随机存储器与电源芯片小系统中子辐射效应研究
静态随机存储器与电源芯片小系统中子辐射效应研究
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2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议
作者: 杨善潮 齐超 金晓明 刘岩 王晨辉 王桂珍 林东生 李瑞宾 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室 西北核技术研究所西安710024
在西安脉冲反应堆,实验研究了静态随机存储器(SRAM)与电源芯片典型电路结构中,电源芯片对SRAM 存储器中子单粒子效应的影响。由于电源芯片位移损伤效应的影响,中子辐照造成电源芯片失效、输出电压陡降,导致后级SRAM 存储器数据全部... 详细信息
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轫致辐射产生脉冲X射线的数值模拟
轫致辐射产生脉冲X射线的数值模拟
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2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议
作者: 李进玺 吴伟 郭景海 赵墨 刘逸飞 程引会 马良 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室 西北核技术研究所 西安 710024
电子束辐照材料后,发生轫致辐射可以产生脉冲X 射线;轫致辐射产生X射线的能谱、转换效率与电子束能量、靶材料、结构相关。利用二极管的电压电流波形计算了电子束参数,建立了复合靶蒙特卡罗粒子输运计算模型,模拟了电子和光子在不同... 详细信息
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