检索结果-内蒙古大学图书馆

太赫兹科学与电子信息学报 2019年第2期17卷 338-342页

作者：胡杨杨海亮张鹏飞孙江孙剑锋西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

在"剑光一号"上搭建了二极管平台,理论估计了二极管阻值,进行了平板二极管阻抗和束流分布测量实验。结合法拉第筒阵列测得的束流密度分布、粒子模拟(PIC)仿真结果对二极管阻抗特性进行了全面的对比分析。结果表明,二极管工作... 详细信息

在"剑光一号"上搭建了二极管平台,理论估计了二极管阻值,进行了平板二极管阻抗和束流分布测量实验。结合法拉第筒阵列测得的束流密度分布、粒子模拟(PIC)仿真结果对二极管阻抗特性进行了全面的对比分析。结果表明,二极管工作于弱箍缩状态,阻抗阻值略低于估计值,阻抗曲线、法拉第筒波形以及束流箍缩程度三者间存在高度的相关性。当阻抗曲线处在前端(导通前)和末期(崩溃段)时,束流均处在未箍缩期间,法拉第筒信号无有效数据;阻抗曲线处在平区时,二极管工作平稳,束流箍缩情况和法拉第筒信号稳定,阳极边缘处的法拉第筒波形呈现双峰,与束流箍缩运动情况相符。

关键词：阻抗束流箍缩强流平板二极管法拉第筒

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65 nm互补金属氧化物半导体场效应和晶体管总剂量效应及损伤机制

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物理学报 2018年第14期67卷 223-229页

作者：马武英姚志斌何宝平王祖军刘敏波刘静盛江坤董观涛薛院院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024

对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET和PMOSFET)开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明:PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖性,而NMOSFET表现... 详细信息

对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET和PMOSFET)开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明:PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖性,而NMOSFET表现出较强的抗总剂量性能;在累积相同总剂量时,PMOSFET的辐照损伤远大于NMOSFET.结合理论分析和数值模拟给出了PMOSFET的辐射敏感位置及辐射损伤的物理机制.

关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 ^60Coγ辐照辐射损伤数值仿真

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含有峰化电容器的垂直极化EMP辐射波模拟器辐射场的初步模拟

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现代应用物理 2020年第3期11卷 42-49页

作者：朱湘琴吴伟陈志强贾伟强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024 西安交通大学电气绝缘与电力设备国家重点实验室西安710049

建立了含有多层薄膜结构的同轴型峰化电容器的垂直极化电磁脉冲辐射波模拟器的FDTD计算模型,用导通柱模型代替输出开关,模拟了开关导通后的放电过程,得到了辐射电场的时域波形,并与实验结果进行了对比。结果表明,模拟计算结果与实验结... 详细信息

建立了含有多层薄膜结构的同轴型峰化电容器的垂直极化电磁脉冲辐射波模拟器的FDTD计算模型,用导通柱模型代替输出开关,模拟了开关导通后的放电过程,得到了辐射电场的时域波形,并与实验结果进行了对比。结果表明,模拟计算结果与实验结果符合较好,证明了所用模型的可靠性和计算的准确性。在此基础上,计算了峰化电容器内芯长度及电极端面半锥角对模拟器辐射场的影响。结果表明:锥面天线中引入一体化设计的峰化电容器后,辐射场时域波形在达到峰值前后,均出现了预脉冲及高频振荡叠加,这与理想锥天线的辐射场时域波形明显不同;峰化电容器内芯长度的变化对模拟器辐射场的峰值影响不大,但对低频特性有一定的影响;峰化电容器电极端面半锥角与模拟器的半锥角相同时,可以获得快上升沿的辐射场。

关键词：电磁脉冲垂直极化辐射波模拟器同轴型峰化电容器

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宇航器件空间辐射效应地面模拟试验与评估标准规范体系

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现代应用物理 2020年第2期11卷 61-70页

作者：陈伟唐民郭晓强于庆奎罗尹虹梅博姚志斌丁李利李瑞宾王桂珍杨善潮王祖军马武英西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 中国空间技术研究院宇航物资保障事业部北京100029

宇航器件抗辐射性能主要依靠地面辐射模拟装置开展试验和评估,试验与评估标准规范是科学评价宇航器件抗辐射性能的重要依据。本文针对宇航器件空间辐射效应地面模拟试验的需求,分析了国内外宇航器件空间辐射效应地面模拟试验与评估标准... 详细信息

宇航器件抗辐射性能主要依靠地面辐射模拟装置开展试验和评估,试验与评估标准规范是科学评价宇航器件抗辐射性能的重要依据。本文针对宇航器件空间辐射效应地面模拟试验的需求,分析了国内外宇航器件空间辐射效应地面模拟试验与评估标准规范的发展现状,研究了器件发展给辐射效应试验方法带来的挑战,提出了满足空间抗辐射性能要求的宇航器件地面模拟试验与评估标准规范体系建设建议,对规范宇航器件抗辐射性能地面模拟试验方法具有参考价值。

关键词：宇航器件空间辐射效应试验与评估标准规范

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基于SiC探测器的裂变靶探测系统中子灵敏度标定

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原子能科学技术 2018年第10期52卷 1847-1854页

作者：张显鹏张建福易义成刘金良刘林月西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

在高压倍加器上,采用直流法和脉冲法分别标定了235 U和238 U靶构成的探测系统对14.9 MeV中子的灵敏度。对脉冲法的原理、方法及结果进行了介绍,并与直流法的测量结果进行了对比。结果表明:脉冲法和直流法的结果在不确定度范围内一致。... 详细信息

在高压倍加器上,采用直流法和脉冲法分别标定了235 U和238 U靶构成的探测系统对14.9 MeV中子的灵敏度。对脉冲法的原理、方法及结果进行了介绍,并与直流法的测量结果进行了对比。结果表明:脉冲法和直流法的结果在不确定度范围内一致。脉冲法可在一次测量中直接扣除本底,而直流法的本底测量不准确,因此脉冲法是一种更准确的方法。本文方法可为脉冲中子源裂变探测器的相关研究提供参考。

关键词：裂变靶探测系统高压倍加器 SiC探测器中子灵敏度脉冲中子

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西安脉冲堆燃耗对中子代时间的影响研究

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核科学与工程 2019年第3期39卷 357-362页

作者：张信一张良江新标何彬王立鹏郭和伟姜夺玉朱养妮火箭军工程大学核工程学院陕西西安710025 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

本文研究了计算反应堆中子代时间(Λ)的瞬发中子通量密度衰减法,基于反应堆仅释放瞬发中子的假设条件,研究了瞬发中子动力学方程,将Λ的计算转变为α本征值的计算问题,采用MCNP程序模拟瞬发中子通量密度的衰减特性以拟合出α值。该方法... 详细信息

本文研究了计算反应堆中子代时间(Λ)的瞬发中子通量密度衰减法,基于反应堆仅释放瞬发中子的假设条件,研究了瞬发中子动力学方程,将Λ的计算转变为α本征值的计算问题,采用MCNP程序模拟瞬发中子通量密度的衰减特性以拟合出α值。该方法避免了抽样计算中子价值函数的复杂问题,实现相对容易。并根据西安脉冲堆(XAPR)堆芯三维燃耗分布拟合出不同燃耗深度下瞬发中子通量密度衰减系数α,计算出堆芯中子代时间。结果表明:随着XAPR堆芯燃耗的加深,中子代时间呈增大趋势,从新堆芯到第一循环末(120EFPD),Λ增大幅度为8.93%。

关键词：西安脉冲堆中子代时间燃耗瞬发中子 MCNP

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低剂量率辐照损伤增强效应的高温辐照加速试验机理研究

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原子能科学技术 2018年第6期52卷 1144-1152页

作者：姚志斌陈伟何宝平马武英盛江坤刘敏波王祖军金军山张帅西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度... 详细信息

本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度的影响。结果表明,最佳辐照温度是辐射感生产物产生与退火相互竞争的结果,且辐射感生产物的退火行为是决定最佳辐照温度的主要因素,因此氧化物陷阱的热激发能及界面陷阱的钝化能对最佳辐照温度的影响最为明显,是不同器件最佳辐照温度差异性的主要原因。

关键词：低剂量率辐照损伤增强效应数值仿真总剂量效应高温辐照加速试验

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中国散裂中子源白光中子辐照诱发CIS单粒子瞬态响应和位移损伤的实验研究

中国散裂中子源白光中子辐照诱发CIS单粒子瞬态响应和位移损伤的...

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中国核学会2019年学术年会

作者：王祖军薛院院陈伟宁浩徐瑞郭晓强姚志斌马武英何宝平董观涛西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室湘潭大学材料科学与工程学院

开展了中国散裂中子源（CSNS）白光中子辐照CMOS图像传感器（CIS）的实验研究。白光中子的能量范围涵盖1 eV～200 MeV的宽广能谱。本次实验中,CIS的中子辐照注量率约为1.4×10～6n/（cm·s）。分析了白光中子辐照CIS诱发位移损... 详细信息

开展了中国散裂中子源（CSNS）白光中子辐照CMOS图像传感器（CIS）的实验研究。白光中子的能量范围涵盖1 eV～200 MeV的宽广能谱。本次实验中,CIS的中子辐照注量率约为1.4×10～6n/（cm·s）。分析了白光中子辐照CIS诱发位移损伤的实验规律,获得了中子位移损伤诱发产生二阶和多阶随机电报噪声（RTS）的实验规律;揭示了位移损伤诱发CIS暗信号增大、暗信号不均匀性（DSNU）增大、暗信号尖峰和RTS产生的物理机制。通过实时采集中子在线辐照CIS时的暗场图像数据,分析了白光中子辐照CIS诱发的单粒子瞬态响应特征规律,揭示了单粒子瞬态诱发CIS暗信号尖峰和亮线产生的物理机制。

关键词：中国散裂中子源 CMOS图像传感器中子辐照位移损伤单粒子瞬态响应

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气体开关触发间隙与过压间隙击穿特性研究

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原子能科学技术 2018年第10期52卷 1904-1910页

作者：翟戎骁黄涛丛培天罗维熙王志国张天洋强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024 西北核技术研究所陕西西安710024

为研究快脉冲直线变压器驱动源(FLTD)多间隙气体开关的触发击穿特性,针对一种环形电极两间隙等效实验开关,开展不同触发电压、工作系数和电极材料下的击穿特性实验,对比两个间隙的击穿延时和抖动,分析间隙击穿特性的主要影响因素和作用... 详细信息

为研究快脉冲直线变压器驱动源(FLTD)多间隙气体开关的触发击穿特性,针对一种环形电极两间隙等效实验开关,开展不同触发电压、工作系数和电极材料下的击穿特性实验,对比两个间隙的击穿延时和抖动,分析间隙击穿特性的主要影响因素和作用机制。实验结果表明:触发间隙击穿延时主要受触发电压影响,而工作系数是过压间隙击穿延时的主要影响因素;开关抖动主要来自于触发间隙,触发间隙抖动随触发电压的增大明显减小,过压间隙抖动基本不随触发电压和工作系数变化且维持在较低值;石墨电极开关的击穿延时和抖动明显小于不锈钢、黄铜和钨铜电极开关,具有良好的触发击穿性能。通过分析指出,是否有预电离可能是两个间隙击穿特性差异的主要原因。

关键词：脉冲功率气体开关触发间隙过压间隙电极材料

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共形单步交替方向隐式时域有限差分方法及其改进

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强激光与粒子束 2018年第7期30卷 104-111页

作者：王文兵周辉马良程引会刘逸飞郭景海赵墨西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

提出了一种基于共形网格技术的共形单步交替方向隐式时域有限差分(CLeapfrog ADI-FDTD)方法。与常规FDTD方法相比,此方法能够减小由于目标边界不契合网格划分而引入的阶梯近似误差,提高算法计算不规则目标时的精度;同时算法稳定性更强,... 详细信息

提出了一种基于共形网格技术的共形单步交替方向隐式时域有限差分(CLeapfrog ADI-FDTD)方法。与常规FDTD方法相比,此方法能够减小由于目标边界不契合网格划分而引入的阶梯近似误差,提高算法计算不规则目标时的精度;同时算法稳定性更强,计算效率更高。由于引入共形技术后显著降低了原差分法的无条件稳定性,本文利用增长矩阵本征值方法理论分析了算法的稳定性,然后采用了一种改进的共形面积计算方法,在此基础上提出了一种稳定性更高的改进的共形单步交替方向隐式时域有限差分(ICLeapfrog ADI-FDTD)方法。数值算例验证了ICLeapfrog ADI-FDTD是一种具有高稳定性和高精度的高效算法。

关键词：共形网格时域有限差分 Leapfrog ADI-FDTD 无条件稳定稳定性改进

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