检索结果-内蒙古大学图书馆

原子能科学技术 2017年第12期51卷 2136-2142页

作者：田晓艳江新标陈立新李华琪杨宁朱磊马腾跃胡攀西北核技术研究所陕西西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

为研究热管冷却双模式空间堆(HP-BSNR)概念设计的可行性和推进模式下堆芯瞬态安全特性,本文基于堆芯结构和稳态程序计算的初始参数分布,建立了堆芯数学物理模型,并开发了适用于HP-BSNR的瞬态安全分析程序TTHA_HPBSNR,计算了HP-BSNR在推... 详细信息

为研究热管冷却双模式空间堆(HP-BSNR)概念设计的可行性和推进模式下堆芯瞬态安全特性,本文基于堆芯结构和稳态程序计算的初始参数分布,建立了堆芯数学物理模型,并开发了适用于HP-BSNR的瞬态安全分析程序TTHA_HPBSNR,计算了HP-BSNR在推进模式下反应性引入和堆芯失流等不同瞬态事故工况下的安全特性,同时分析了反应堆关键参数对HP-BSNR堆芯瞬态安全特性的影响。结果表明,由于堆芯固有负反馈机制的作用,发生反应性引入事故时,堆芯功率最终达到一新的稳定值,且燃料最高温度并未超出安全限值。而发生失流事故时,反应堆能实现自动停堆,且负反馈系数的大小决定了自动停堆的响应时间。相较于反应性引入事故,失流事故对HP-BSNR的安全运行威胁更大。

关键词： HP-BSNR 推进模式热工水力瞬态安全特性

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双极晶体管的系统电磁脉冲与剂量率综合效应

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强激光与粒子束 2017年第2期29卷 96-101页

作者：赵墨吴伟程引会郭景海李进玺马良刘逸飞西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

建立典型半导体器件系统电磁脉冲与剂量率综合效应计算模型,对在瞬态X射线辐照下电缆末端典型n^+-p-n-n^+结构的双极晶体管负载的系统电磁脉冲与剂量率综合效应进行研究,得到了综合效应现象,分析了综合效应机理,总结了综合效应规律。在... 详细信息

建立典型半导体器件系统电磁脉冲与剂量率综合效应计算模型,对在瞬态X射线辐照下电缆末端典型n^+-p-n-n^+结构的双极晶体管负载的系统电磁脉冲与剂量率综合效应进行研究,得到了综合效应现象,分析了综合效应机理,总结了综合效应规律。在系统电磁脉冲与剂量率综合效应作用下,双极晶体管内部,由于载流子数量剧增,其反向击穿阈值降低,综合效应比单一效应更易造成双极晶体管的毁伤。编制的系统电磁脉冲与剂量率综合效应计算程序可用于分析电子学系统中其他类型半导体器件的效应机理与规律。

关键词：系统电磁脉冲剂量率瞬态响应数值模拟

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闪烁体衰减常数对辐射源边界测量影响数值模拟

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强激光与粒子束 2017年第6期29卷 135-140页

作者：严维鹏李斌康宋顾周马继明段宝军韩长材宋岩姚志明西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

在辐射成像系统测量辐射源边界中,有闪烁体时间弥散效应得到的边界值与没有闪烁体时的真实边界值存在差别,影响辐射源尺寸变化计算。研究构建了一类辐射源强时间宽度、半径扩散速率与边界相对强度不同的辐射源,应用卷积和图像强度梯度法... 详细信息

在辐射成像系统测量辐射源边界中,有闪烁体时间弥散效应得到的边界值与没有闪烁体时的真实边界值存在差别,影响辐射源尺寸变化计算。研究构建了一类辐射源强时间宽度、半径扩散速率与边界相对强度不同的辐射源,应用卷积和图像强度梯度法,对选用BC408,LaBr3和LSO闪烁体得到的边界与真实边界的偏差进行了数值模拟计算。结果表明,拍摄时间为20ns时,由BC408闪烁体得到的边界值偏差最小;若偏差小于1mm认为闪烁体适合测量,BC408,LaBr3和LSO测量的强度时间宽度最小值分别为33ns,133ns和266ns;拍摄全积分图像时偏差大小不受闪烁体不同的影响;最终得出的偏差计算公式较好地反映了真实偏差的变化趋势。

关键词：闪烁体时间弥散边界强度梯度时间宽度

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典型无人机飞行控制系统HEMP效应研究

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现代应用物理 2018年第1期9卷 71-74,81页

作者：赵墨吴伟李进玺程引会马良郭景海刘逸飞西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

利用飞行仿真系统、数据采集系统和视景仿真系统开展了地面模拟飞行状态下无人机电子学系统抗高空电磁脉冲效应研究,获取了典型效应现象,分析了薄弱环节,为后续开展其他类型电子学系统的高空电磁脉冲效应研究奠定了技术基础。

关键词：高空核爆电磁脉冲电子系统半实物仿真

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多针水开关放电通道电流均匀性对开关电感的影响

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现代应用物理 2018年第2期9卷 36-40页

作者：杨实黄种亮任书庆西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

通过理论计算和数值模拟方法研究了"闪光二号"加速器多针水开关放电通道电流均匀性对开关电感的影响,得到了各个放电通道电流分布不均匀对开关电感的影响规律。理论计算和数值模拟结果均表明,随着多针水开关放电通道电流不均... 详细信息

通过理论计算和数值模拟方法研究了"闪光二号"加速器多针水开关放电通道电流均匀性对开关电感的影响,得到了各个放电通道电流分布不均匀对开关电感的影响规律。理论计算和数值模拟结果均表明,随着多针水开关放电通道电流不均匀性的增加,开关电感显著提高。采用保角变换和构造拉格朗日函数的方法证明了当多针水开关所有放电通道电流一致时开关电感最小,得到了"闪光二号"加速器多针水开关电感最小值为27nH,最大值为153nH。

关键词： “闪光二号”加速器多针水开关电流不均匀性电感

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模块化粒子输运程序包PHEN的开发与应用

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现代应用物理 2018年第3期9卷 27-31页

作者：朱金辉陶应龙卓俊谢红刚左应红商鹏韦源牛胜利西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

为满足通用蒙特卡罗程序难以处理的特定问题的粒子输运模拟需求,开发了模块化粒子输运蒙特卡罗模拟程序包PHEN。该程序包能够模拟中子、光子、电子及质子与物质相互作用的主要物理过程,具备树结构建模功能、低能带电粒子和反冲质子模拟... 详细信息

为满足通用蒙特卡罗程序难以处理的特定问题的粒子输运模拟需求,开发了模块化粒子输运蒙特卡罗模拟程序包PHEN。该程序包能够模拟中子、光子、电子及质子与物质相互作用的主要物理过程,具备树结构建模功能、低能带电粒子和反冲质子模拟功能及可定制的数据统计功能。利用PHEN程序包,计算了中子与特定核素作用生成次级光子的产额和平均能量,实现了基于指向概率法的点通量角度谱计算,并建立了中子输运时间特性模拟计算方法。PHEN程序包的基本功能模块可用于粒子输运模拟技术应用研究。

关键词：粒子输运 PHEN程序包模块化蒙特卡罗方法

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欠匹配型磁绝缘感应电压叠加器次级阻抗优化方法

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物理学报 2017年第20期66卷 255-261页

作者：魏浩孙凤举呼义翔邱爱慈西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室西安710049 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

磁绝缘感应电压叠加器(MIVA)次级阻抗对脉冲功率驱动源和负载之间的功率耦合具有重要影响.基于稳态磁绝缘Creedon层流理论和鞘层电子流再俘获(re-trapping)理论,建立了负载欠匹配型MIVA电路分析方法,数值分析获得了MIVA输出参数(输出电... 详细信息

磁绝缘感应电压叠加器(MIVA)次级阻抗对脉冲功率驱动源和负载之间的功率耦合具有重要影响.基于稳态磁绝缘Creedon层流理论和鞘层电子流再俘获(re-trapping)理论,建立了负载欠匹配型MIVA电路分析方法,数值分析获得了MIVA输出参数(输出电压、阴/阳极电流和电功率)随负载欠匹配程度的变化规律.考虑阴极传导电流作为闪光X射线照相二极管的有效电流,建立了以MIVA末端X射线剂量率最大为目标的次级阻抗优化方法.获得了欠匹配型MIVA次级优化阻抗Z_(op)~*的变化规律:随着X射线剂量率对电压依赖程度提高,欠匹配型MIVA次级优化阻抗Z_(op)~*呈指数降低;负载阻抗越大,Z_(op)~*越大.

关键词：磁绝缘感应电压叠加器次级阻抗磁绝缘最小电流鞘层电子流再俘获

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电源噪声对静态随机存储器瞬时辐射响应的影响

电源噪声对静态随机存储器瞬时辐射响应的影响

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中国核学会2017年学术年会

作者：王桂珍李瑞宾齐超杨善潮刘岩王晨辉金晓明强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所

对电源模块和静态随机存储器组成的电子系统开展了脉冲X射线辐射响应的实验研究,分析了电源模块辐射响应对SRAM电路抗辐射性能的影响。研究发现,瞬时辐照时电源模块的输出扰动会严重影响SRAM的抗辐射性能,导致SRAM剂量率损伤翻转降低。

关键词：电源模块 SRAM 瞬时辐射效应剂量率翻转

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溴化镧(LaBr_3:Ce) γ谱仪前端读出电子学电路

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现代应用物理 2018年第3期9卷 79-83页

作者：陈彦丽谭新建卢毅宋朝晖易义成渠红光西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

设计了一种结构简单、噪声低、功耗小的溴化镧(LaBr_3:Ce)γ谱仪前端读出电子学电路。该电路包括电压灵敏前置放大电路、谱仪放大电路和供电电源3部分,电路的设计基于传统核电子学方法和较新的电子元器件,采用低噪声设计技术,在能谱测... 详细信息

设计了一种结构简单、噪声低、功耗小的溴化镧(LaBr_3:Ce)γ谱仪前端读出电子学电路。该电路包括电压灵敏前置放大电路、谱仪放大电路和供电电源3部分,电路的设计基于传统核电子学方法和较新的电子元器件,采用低噪声设计技术,在能谱测量中获得了较高的能量分辨率。文中首先介绍了电路的设计方案,包括各部分电路原理、功能和设计要点;然后开展了电路仿真和电路板设计;最后通过实验进行电路功能验证。实验表明:基于研制的前端读出电子学电路、溴化镧(LaBr_3:Ce)探测器及数字多道分析器组成的γ谱仪系统,对^(137)Cs 662 keV γ能峰的能量分辨率可达2.7%,谱仪系统性能稳定。

关键词：溴化镧 (LaBr 3:Ce) γ谱仪前置放大电路谱仪放大电路

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一种非轴对称磁绝缘电子鞘层边界的计算方法

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物理学报 2017年第3期66卷 347-354页

作者：魏浩孙凤举呼义翔梁天学丛培天邱爱慈西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室西安710049 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

长距离磁绝缘传输线内电极偏心、感应腔注入电流非均匀分布引起电子鞘层边界偏心等非对称磁绝缘特性.电子鞘层边界是研究非轴对称磁绝缘特性的重要参数.本文提出一种计算非轴对称磁绝缘电子鞘层边界的方法.通过引入角向非均匀分布的模数... 详细信息

长距离磁绝缘传输线内电极偏心、感应腔注入电流非均匀分布引起电子鞘层边界偏心等非对称磁绝缘特性.电子鞘层边界是研究非轴对称磁绝缘特性的重要参数.本文提出一种计算非轴对称磁绝缘电子鞘层边界的方法.通过引入角向非均匀分布的模数,将经典一维轴对称Creedon稳态磁绝缘理论推广应用于圆柱坐标系下二维(r,θ)平面.建立了感应电压叠加器次级非轴对称磁绝缘的二维Creedon物理模型,给出了非轴对称磁绝缘电子鞘层边界的数值计算方法和计算误差.当阴极角向磁场(阴极电流)角向分布满足余弦函数时,电子鞘层边界接近高斯分布.阴极电流角向不均匀程度越大,电子鞘层边界偏心程度越严重,计算误差越大.

关键词：磁绝缘感应电压叠加器注入电流非均匀分布非轴对称磁绝缘电子鞘层边界

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