检索结果-内蒙古大学图书馆

强激光与粒子束 2017年第6期29卷 41-44页

作者：杨实任书庆杨海亮丛培天来定国张玉英西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

为了满足"闪光二号"加速器材料热力学效应研究的新需求,设计了一套电容器储能型脉冲强磁场装置。装置主要由储能电容器、半导体放电开关、磁场线圈及高压恒流充电源组成。磁场线圈中心处最大磁感应强度可达5T,并且可以通过调... 详细信息

为了满足"闪光二号"加速器材料热力学效应研究的新需求,设计了一套电容器储能型脉冲强磁场装置。装置主要由储能电容器、半导体放电开关、磁场线圈及高压恒流充电源组成。磁场线圈中心处最大磁感应强度可达5T,并且可以通过调整磁场线圈与二极管的相对位置实现磁透镜比的调节。通过理论计算和数值模拟相结合的方法对脉冲强磁场的关键参数进行了分析,然后进行了脉冲强磁场的工程设计,最后使用该强磁场装置进行了实验研究。强磁场实验中,当储能电容器充电21kV时,在磁场线圈中心处获得了5.3T脉冲强磁场。

关键词：脉冲强磁场 “闪光二号”加速器热力学效应磁感应强度

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电离总剂量效应诱发PPD CMOS图像传感器性能退化的实验研究

电离总剂量效应诱发PPD CMOS图像传感器性能退化的实验研究

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中国核学会2017年学术年会

作者：王祖军薛院院马武英何宝平姚志斌盛江坤董观涛西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室

通过开展0.18/μm工艺制造的PPDCMOS图像传感器Coγ射线电离总剂量辐照效应实验,得出了PPD CMOS图像传感器的时域、空域和光谱类参数随总剂量增大的退化规律,分析了总剂量效应诱发PPDCMOS图像传感器暗电流、随机噪声、暗信号不均匀性（D... 详细信息

通过开展0.18/μm工艺制造的PPDCMOS图像传感器Coγ射线电离总剂量辐照效应实验,得出了PPD CMOS图像传感器的时域、空域和光谱类参数随总剂量增大的退化规律,分析了总剂量效应诱发PPDCMOS图像传感器暗电流、随机噪声、暗信号不均匀性（DSNU）、光响应不均匀性（PRNU）、系统总增益、饱和输出、信噪比（SNR）、动态范围（DR）、量子效率（QE）、光响应度（R）等辐射敏感参数退化的实验规律,揭示了总剂量诱发PPDCMOS图像传感器性能退化的损伤机理,为开展CMOS图像传感器抗电离辐射加固和损伤评估技术研究提供了理论和实验技术支持。

关键词： CMOS图像传感器总剂量辐照损伤暗信号量子效率

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XRF分析中近距离探测X射线荧光强度计算修正方法

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核电子学与探测技术 2017年第12期37卷 1260-1265页

作者：刘旭黑东炜马戈魏福利罗剑辉夏惊涛唐波强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所西安710024

针对圆形探测面的半导体探测器,采用解析几何和角度积分的方法,对采用基本参数荧光强度表达式计算材料荧光绝对计数的方法进行了改进,获得了荧光绝对计数随样品厚度变化的曲线。实验测量不同厚度的铜箔的荧光计数与理论计算结果的相对... 详细信息

针对圆形探测面的半导体探测器,采用解析几何和角度积分的方法,对采用基本参数荧光强度表达式计算材料荧光绝对计数的方法进行了改进,获得了荧光绝对计数随样品厚度变化的曲线。实验测量不同厚度的铜箔的荧光计数与理论计算结果的相对偏差在6.21%以内,理论曲线与实验数据趋势相符,理论计算荧光绝对强度曲线在基于荧光绝对测量方法的厚度测量中具有一定的应用价值。

关键词：荧光分析绝对测量立体角数值计算

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基于EMVA1288标准的图像传感器辐照效应参数测试系统的研制

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半导体光电 2017年第4期38卷 515-520页

作者：王祖军薛院院姚志斌马武英何宝平刘敏波盛江坤西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

提出了光电图像传感器辐照效应参数测试需要解决的问题,简述了光电图像传感器参数测试国际标准(EMVA1288)的原理和要求,建立了基于EMVA1288国际标准的光电图像传感器辐照效应测试系统,并进行了辐照试验验证。验证试验表明:该系统能对光... 详细信息

提出了光电图像传感器辐照效应参数测试需要解决的问题,简述了光电图像传感器参数测试国际标准(EMVA1288)的原理和要求,建立了基于EMVA1288国际标准的光电图像传感器辐照效应测试系统,并进行了辐照试验验证。验证试验表明:该系统能对光电图像传感器辐照前后的时域、空域和光谱类参数进行测试,较好地解决了光电图像传感器辐照效应测试难题,如测试效率、数据可比对、兼容和拓展性等,具有较好的推广应用前景。

关键词：光电图像传感器辐照效应测试系统 EMVA1288国际标准

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低触发阈值FLTD多间隙气体开关研制

低触发阈值FLTD多间隙气体开关研制

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2018年全国高电压与放电等离子体学术会议

作者：降宏瑜丛培天孙凤举王志国姜晓峰黄涛西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

目前国际上提出的多种数十MA的快Z箍缩直线变压器驱动源(Fast Linear Transformer Driver, FLTD)概念设计均需要数万至十几万只高功率气体开关按时序精确触发,所需电脉冲触发电压大于100kV,触发系统庞大复杂,可靠性低。

关键词：多间隙气体开关低触发阈值电压分配电阻电容网络

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IVA型脉冲X射线源技术研究进展

IVA型脉冲X射线源技术研究进展

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2018年全国高电压与放电等离子体学术会议

作者：丛培天黑东炜邱爱慈强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所西安710024

基于感应电压叠加器( IVA)的脉冲X射线源具有结构紧凑、绝缘安全、波形可调和X射线亮度高的优点，是国际上竞相发展的先进辐射源。本文阐述了感应电压叠加型X射线源的原理及主要用途;介绍了西北核技术研究所在IVA型脉冲X射线源关键技术... 详细信息

基于感应电压叠加器( IVA)的脉冲X射线源具有结构紧凑、绝缘安全、波形可调和X射线亮度高的优点，是国际上竞相发展的先进辐射源。本文阐述了感应电压叠加型X射线源的原理及主要用途;介绍了西北核技术研究所在IVA型脉冲X射线源关键技术方面的研究进展，包括：低抖动Marx发生器、高功率闭合开关、MV级感应腔、脉冲传输线和阳极杆箍缩型二极管(RPD)等;简要说明了国内首台IVA型X射线源"剑光一号"的系统组成和技术性能，以及新建4MV电压的IVA装置基本情况;最后论述了IVA型脉冲X射线源技术动向与发展趋势。

关键词：感应电压叠加器(IVA) 脉冲X射线低抖动开关

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纳米器件空间辐射效应机理和模拟试验技术研究进展

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科学通报 2018年第13期63卷 1211-1222页

作者：陈伟刘杰马晓华郭刚赵元富郭晓强罗尹虹姚志斌丁李利王晨辉陈荣梅何宝平赵雯张凤祁马武英翟鹏飞王祖军刘天奇郭红霞刘建德杨海亮胡培培丛培天李宗臻西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 中国科学院近代物理研究所兰州730000 西安电子科技大学微电子学院西安710126 中国原子能研究院抗辐照应用技术创新中心北京102413 北京微电子技术研究所北京100076 清华大学工程物理系北京100084

电子器件空间辐射效应是影响航天器在轨长期可靠运行的重要因素之一,一直是国际上抗辐射加固技术领域研究的热点和难点.高可靠、高集成度、高性能、低功耗、低成本是未来新一代先进电子系统发展的必然要求,采用更高性能的抗辐射加固纳... 详细信息

电子器件空间辐射效应是影响航天器在轨长期可靠运行的重要因素之一,一直是国际上抗辐射加固技术领域研究的热点和难点.高可靠、高集成度、高性能、低功耗、低成本是未来新一代先进电子系统发展的必然要求,采用更高性能的抗辐射加固纳米器件是必然的趋势.本文在深入调研国内外研究现状的基础上,分析了纳米器件辐射效应面临的新问题.纳米工艺存在着很多不同于大尺寸工艺的特点,沟道长度缩小到十几个纳米,栅氧化层等效厚度小于1 nm.在工艺上引入了纵向逆掺杂阱或横向晕环掺杂技术,以降低栅极诱导漏极漏电效应;在材料上引入了多元半导体材料、应变硅、锗硅、高k栅介质、金属栅极等,以降低器件功耗;在结构上引入了三维Fin FET结构,以增强栅的控制能力.这种趋于物理极限的工艺特点、新材料和新结构的采用产生了许多新的辐射效应现象和机制,模拟试验技术更加复杂,给抗辐射加固技术研究带来了新的挑战.本文综述了纳米器件辐射效应的研究现状和趋势,重点针对28 nm及以下特征工艺纳米器件辐射效应研究及模拟试验的需求,提出了需要研究的科学问题和关键技术,希望能为纳米器件抗辐射加固与空间应用提供参考.

关键词：纳米器件空间辐射效应抗辐射加固模拟试验

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磁绝缘感应电压叠加器注入电流空间非均匀分布及影响因素分析

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电工技术学报 2017年第20期32卷 62-70,103页

作者：魏浩孙凤举邱爱慈呼义翔强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所) 西安710024 电力设备电气绝缘国家重点实验室(西安交通大学) 西安710049

磁绝缘感应电压叠加器(MIVA)脉冲馈入方式导致感应腔注入电流空间非均匀分布,这对感应腔性能(如等效电感、电磁场分布、输出参数等)和MIVA次级磁绝缘特性(如电子鞘层、流阻抗、电流损失等)产生影响。建立MIVA感应腔全电磁模型,并得到典... 详细信息

磁绝缘感应电压叠加器(MIVA)脉冲馈入方式导致感应腔注入电流空间非均匀分布,这对感应腔性能(如等效电感、电磁场分布、输出参数等)和MIVA次级磁绝缘特性(如电子鞘层、流阻抗、电流损失等)产生影响。建立MIVA感应腔全电磁模型,并得到典型结构下感应腔初级注入电流空间分布和次级磁场强度的分布特性。给出电流不均匀系数δ(t)的动态变化过程,仿真分析注入电流脉宽、感应腔初级绝缘介质、脉冲馈入路数及时间抖动等因素对δ(t)的影响规律。结果表明,δ(t)动态过程分为快速下降、稳定和缓慢下降三个阶段,注入电流脉宽影响稳定阶段持续时间和缓慢下降阶段;初级绝缘介质影响感应腔内电磁脉冲传播速率,进而对电流空间分布产生影响;注入脉冲路数对注入电流空间分布有决定性影响;双路脉冲馈入感应腔注入时间不同步时,不均匀系数发生改变。开展了单级感应腔注入电流空间分布实验,验证了电磁计算的正确性。

关键词：磁绝缘感应电压叠加器感应腔注入电流空间非均匀分布不均匀系数

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闪光X射线衍射成像系统设计及实验方法

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光子学报 2017年第12期46卷 78-82页

作者：唐波黑东炜马戈盛亮魏福利夏惊涛罗剑辉周海生清华大学工程物理系北京100084 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所) 西安710024

为实现材料在冲击加载下微观动力学响应测量,基于小型闪光X射线源开展衍射成像系统设计.利用直流X光机及高纯锗探测器实现系统衍射光路的精确调节,克服了闪光X射线瞬时强度高及连续辐射本底强导致的衍射角度确定困难,并采用Scandiflash... 详细信息

为实现材料在冲击加载下微观动力学响应测量,基于小型闪光X射线源开展衍射成像系统设计.利用直流X光机及高纯锗探测器实现系统衍射光路的精确调节,克服了闪光X射线瞬时强度高及连续辐射本底强导致的衍射角度确定困难,并采用Scandiflash AB公司TD-450S和成像板建立了衍射成像系统.应用该系统在冲击加载实验中获得了LiF单晶单脉冲的Mo-Kα线静态及动态衍射图像.该闪光X射线衍射系统时间分辨率可达25ns,为冲击压缩实验中材料瞬时结构变化测量提供了新的实验方法.

关键词： X射线衍射闪光X射线冲击压缩实验 LiF单晶微观响应

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轻气炮加载下晶格响应的实时X射线衍射测量

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光学精密工程 2017年第11期25卷 2829-2834页

作者：唐波黑东炜马戈盛亮周海生刘旭夏惊涛罗剑辉魏福利清华大学工程物理系北京100084 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

开展了轻气炮加载条件下材料动力学微观响应测量的实验研究。基于脉冲宽度约25ns的商业化闪光X射线源,采用积分式记录设备,建立了轻气炮加载条件下的实时X射线衍射诊断系统。介绍了实时X射线衍射测量原理及系统,讨论了由于冲击过程持续... 详细信息

开展了轻气炮加载条件下材料动力学微观响应测量的实验研究。基于脉冲宽度约25ns的商业化闪光X射线源,采用积分式记录设备,建立了轻气炮加载条件下的实时X射线衍射诊断系统。介绍了实时X射线衍射测量原理及系统,讨论了由于冲击过程持续时间短,且闪光源输出X射线脉冲时具有延时和抖动,X射线脉冲与冲击波到达样品被探测区域难以同步的问题。最后,提出了采用精细的多层靶结构设计和纳秒响应的压电探针实现探测X射线脉冲和冲击波精确同步的方法,并获得了轻气炮加载下LiF晶体峰值压缩状态的实时X射线衍射图像。实验结果显示:加载压力为2.33GPa时,LiF晶体的晶格形变量为1.73%。该实验技术为开展轻气炮加载下材料微观特性研究提供了一种有效技术途径。

关键词：实时X射线衍射测量材料动力学微观响应晶格形变轻气炮加载

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