检索结果-内蒙古大学图书馆

强激光与粒子束 2015年第7期27卷 263-266页

作者：吴撼宇张信军王亮平孙铁平罗维熙李沫吴刚张金海强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024

电子束焦斑偏离轴线中心的现象严重影响器件辐射效应实验的效率.介绍了一种简单有效的抑制电子束焦斑偏心的方法,研制了一种小尺寸不锈钢阴极,比较了不锈钢阴极和传统环形天鹅绒阴极在“强光一号”装置上的实验结果.实验结果表明对于小... 详细信息

电子束焦斑偏离轴线中心的现象严重影响器件辐射效应实验的效率.介绍了一种简单有效的抑制电子束焦斑偏心的方法,研制了一种小尺寸不锈钢阴极,比较了不锈钢阴极和传统环形天鹅绒阴极在“强光一号”装置上的实验结果.实验结果表明对于小尺寸不锈钢阴极,最大辐射剂量位于靶面中心的概率为67%,位于？35mm 圆圈内的概率为100%.相比传统环形天鹅绒阴极（最大剂量落于中心位置的概率约20%,有60%以上概率偏离中心2~3cm）的实验统计数据,焦斑的偏心现象得到明显的抑制.

关键词：电子束焦斑漂移自磁箍缩

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静态随机存储器与电源芯片小系统中子辐射效应研究

静态随机存储器与电源芯片小系统中子辐射效应研究

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2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

作者：杨善潮齐超金晓明刘岩王晨辉王桂珍林东生李瑞宾强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所西安710024

在西安脉冲反应堆，实验研究了静态随机存储器(SRAM)与电源芯片典型电路结构中，电源芯片对SRAM 存储器中子单粒子效应的影响。由于电源芯片位移损伤效应的影响，中子辐照造成电源芯片失效、输出电压陡降，导致后级SRAM 存储器数据全部... 详细信息

在西安脉冲反应堆，实验研究了静态随机存储器(SRAM)与电源芯片典型电路结构中，电源芯片对SRAM 存储器中子单粒子效应的影响。由于电源芯片位移损伤效应的影响，中子辐照造成电源芯片失效、输出电压陡降，导致后级SRAM 存储器数据全部丢失，是该结构电路最重要的失效模式。

关键词：静态随机存储器中子辐射效应中子单粒子效应位移损伤系统

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几种存储器瞬时剂量率效应比较

几种存储器瞬时剂量率效应比较

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2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

作者：王桂珍齐超李瑞宾白小燕杨善潮刘岩强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所西安710024

对三种不同类型存储器(SRAM、EEPROM 和FLASH)开展了“强光一号”瞬时剂量率效应实验,测量了存储器的瞬时辐射响应。对八种不同容量SRAM、三种EEPROM 及两种FLASH,进行了剂量率效应实验测量,测量了不同剂量率辐照下的电源电流、数据翻... 详细信息

对三种不同类型存储器(SRAM、EEPROM 和FLASH)开展了“强光一号”瞬时剂量率效应实验,测量了存储器的瞬时辐射响应。对八种不同容量SRAM、三种EEPROM 及两种FLASH,进行了剂量率效应实验测量,测量了不同剂量率辐照下的电源电流、数据翻转情况、存储器擦除及编程能力及高剂量率辐照下的数据保持能力。研究认为：在瞬时辐照下,SRAM 的存储数据容易发生变化,即发生剂量率翻转效应;EEPROM 和FLASH 是浮栅电路,辐照时存储单元处于不加电状态,所以浮栅电路(EEPROM 和FLASH)存储单元的剂量率翻转阈值很高,在实验室的剂量率范围内,没有发生存储数据变化。分析了造成效应差异的原因。

关键词： SRAM 浮栅器件 EEPROM FLASH 剂量率闩锁阈值剂量率翻转阈值

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双极工艺器件中子、γ协和效应敏感单元甄别

双极工艺器件中子、γ协和效应敏感单元甄别

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2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

作者：王晨辉陈伟金晓明刘岩齐超杨善潮强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所西安710024

通过对纵向NPN 晶体管、衬底PNP 晶体管和横向PNP 晶体管的结构特点和工作原理进行分析，并选取不同类型输入晶体管的双极工艺集成电路开展中子、γ协和效应对比实验，完成了双极工艺器件中子、γ协和效应敏感单元甄别。结果表明，横向... 详细信息

通过对纵向NPN 晶体管、衬底PNP 晶体管和横向PNP 晶体管的结构特点和工作原理进行分析，并选取不同类型输入晶体管的双极工艺集成电路开展中子、γ协和效应对比实验，完成了双极工艺器件中子、γ协和效应敏感单元甄别。结果表明，横向PNP 晶体管是导致双极工艺集成电路出现退化增强的中子、γ协和效应的敏感单元;衬底PNP 晶体管是导致电路出现退化减弱的协和效应的敏感单元;具有纵向NPN 输入晶体管的电路不存在明显的协和效应。研究成果为后续开展双极工艺器件中子、γ协和效应机理研究奠定了基础。

关键词：双极工艺器件中子位移效应总剂量效应中子、γ协和效应敏感单元甄别

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气体开关间隙中电子崩发展特性的实验研究

气体开关间隙中电子崩发展特性的实验研究

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2016年全国“高电压与放电等离子体”学术会议

作者：翟戎骁罗维熙邱孟通丛培天黄涛西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安 710024

自放电是快脉冲直线变压器(FLTD)直流气体开关中存在的一种异常工作现象,相关研究表明,开关的工作系数对自放电概率具有强正相关性.本文利用紫外脉冲激光在阴极表面产生初始电子,在特定的间隙距离(5mm,7mm)和气压(0.1～0.4Mpa)条件下,... 详细信息

自放电是快脉冲直线变压器(FLTD)直流气体开关中存在的一种异常工作现象,相关研究表明,开关的工作系数对自放电概率具有强正相关性.本文利用紫外脉冲激光在阴极表面产生初始电子,在特定的间隙距离(5mm,7mm)和气压(0.1～0.4Mpa)条件下,通过测量电子崩电流,研究了电子崩在不同工作系数下(50％～90％)的发展特性.实验结果表明,间隙中的初始电子将首先经历汤逊过程,通过数代电子崩的积累后转换为流注击穿,且随着工作系数的提高,转化为流注所经历的电子崩发展代数和时间随之减小.实验还得出了不同间隙距离、气压、激光能量(初始电子数目)条件下初始电子有效电离的起始工作系数,并给出了气体开关工作系数选取的建议.

关键词：气体开关自放电电子崩工作系数

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一种强流脉冲电子束入射角等效计算方法

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强激光与粒子束 2015年第1期27卷 137-140页

作者：孙剑锋胡杨孙江杨海亮张鹏飞金亮强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024

对电子束能量沉积剖面的变化规律进行了解释,给出了由能量损失函数和能量沉积效率函数之积表示的定性的能量沉积函数表达式。在此基础上,给出了一种关于能量沉积剖面的电子束等效入射角计算方法,分析了方法所带来的影响和适用的范围,采... 详细信息

对电子束能量沉积剖面的变化规律进行了解释,给出了由能量损失函数和能量沉积效率函数之积表示的定性的能量沉积函数表达式。在此基础上,给出了一种关于能量沉积剖面的电子束等效入射角计算方法,分析了方法所带来的影响和适用的范围,采用蒙特卡罗方法对等效结果进行了验证。证明该方法优于入射角的算术平均,尤其在靶材浅层与混合束符合较好。

关键词：能量沉积剖面强流脉冲电子束入射角

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电极结构对触发管型开关击穿特性的影响

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强激光与粒子束 2015年第6期27卷 262-266页

作者：党腾飞尹佳辉孙凤举王志国姜晓峰曾江涛魏浩邱爱慈西北核技术研究所强辐射脉冲环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

基于600kV触发管型SF6气体开关,设计了三种具有典型电场分布的电极结构,计算分析了各个场分布特点,在-600kV/400ns脉冲电压下对不同电极结构进行了击穿特性实验,分析了场分布对开关击穿特性的影响。实验结果表明:三种结构中平头形电极... 详细信息

基于600kV触发管型SF6气体开关,设计了三种具有典型电场分布的电极结构,计算分析了各个场分布特点,在-600kV/400ns脉冲电压下对不同电极结构进行了击穿特性实验,分析了场分布对开关击穿特性的影响。实验结果表明:三种结构中平头形电极触发击穿模式与其欠压比相关,触发抖动较小;球头形电极自击穿电压抖动最小,能够稳定工作于长时间触发击穿模式;锥头形电极击穿模式较不稳定,可能与其两个间隙击穿特性较相近有关。

关键词：触发管气体开关电极结构击穿特性

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掺锗石英光纤的稳态和瞬态γ辐射效应研究

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原子能科学技术 2015年第12期49卷 2288-2292页

作者：黄绍艳肖志刚刘敏波盛江坤王祖军何宝平姚志斌唐本奇西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

开展了掺锗石英光纤在1.0×10^(-4)~0.5Gy(Si)/s剂量率下的稳态γ辐照实验和10~6~10~9 Gy(Si)/s剂量率下的瞬态γ辐照实验。结果表明:光纤辐射感生损耗与辐照总剂量呈饱和指数关系,与色心浓度微分方程推导出的结论相一致。在辐照总... 详细信息

开展了掺锗石英光纤在1.0×10^(-4)~0.5Gy(Si)/s剂量率下的稳态γ辐照实验和10~6~10~9 Gy(Si)/s剂量率下的瞬态γ辐照实验。结果表明:光纤辐射感生损耗与辐照总剂量呈饱和指数关系,与色心浓度微分方程推导出的结论相一致。在辐照总剂量相同的情况下,光纤辐射感生损耗随辐照剂量率的增大而增大。辐照期间有光注入较无光注入时的光纤辐射感生损耗低,证实了光褪色效应的存在。对实验用650、850和1 310nm 3个波长,光纤辐射感生损耗随波长的增大而减小。与光纤稳态辐射感生损耗相比,光纤瞬态辐射感生损耗要大得多;光纤瞬态辐射感生损耗峰值与脉冲总剂量呈线性关系,这与饱和指数关系在低剂量下的泰勒展开近似一致。

关键词：掺锗石英光纤稳态瞬态辐射感生损耗

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微型法拉第筒阵列束流均匀性测量

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强激光与粒子束 2015年第5期27卷 195-199页

作者：胡杨杨海亮孙剑锋孙江张鹏飞李静雅强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024

研制了一种用于测量强流脉冲电子束束流均匀性的微型法拉第筒阵列,其直径为22mm,由5个微型法拉第筒组成,最大可测束流密度为38A/mm2。利用该系统测量了二极管阳极靶面的束流密度,得到了阳极靶面束流均匀性的分布情况。结果显示,阳极靶... 详细信息

研制了一种用于测量强流脉冲电子束束流均匀性的微型法拉第筒阵列,其直径为22mm,由5个微型法拉第筒组成,最大可测束流密度为38A/mm2。利用该系统测量了二极管阳极靶面的束流密度,得到了阳极靶面束流均匀性的分布情况。结果显示,阳极靶面中心处束流密度高于靶面其他位置,靶面束流存在弱箍缩,束流局部均匀,大面积不均匀,束流密度呈径向分布。该结果与理论预期和仿真计算符合较好。

关键词：微型法拉第筒阵列束流密度分布均匀性

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星用CMOS图像传感器在轨质子辐照损伤蒙特卡罗模拟研究

星用CMOS图像传感器在轨质子辐照损伤蒙特卡罗模拟研究

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2016第八届全国计算物理会议

作者：薛院院王祖军刘静何宝平唐本奇姚志斌刘敏波盛江坤马武英董观涛强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所湘潭大学

CMOS图像传感器具有体积小、质量轻、功耗低、集成度高、噪声低等优点被广泛应用于星敏感器、太阳敏感器、遥感成像等空间领域,在恒星跟踪、姿态确定、着陆控制的降落成像以及对接等空间任务中发挥了重要的作用。然而卫星在轨服役期间... 详细信息

CMOS图像传感器具有体积小、质量轻、功耗低、集成度高、噪声低等优点被广泛应用于星敏感器、太阳敏感器、遥感成像等空间领域,在恒星跟踪、姿态确定、着陆控制的降落成像以及对接等空间任务中发挥了重要的作用。然而卫星在轨服役期间受到具有一定能量的质子等空间带电粒子的长期作用,使得CMOS图像传感器受到辐照损伤,性能发生退化,对其可靠性与寿命产生严重影响。

关键词：图像传感器

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