检索结果-内蒙古大学图书馆

原子能科学技术 2019年第7期53卷 1331-1337页

作者：黄涛丛培天翟戎骁王志国张天洋西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室

针对中空和非中空触发电极结构的两间隙开关,进行了触发击穿特性实验,对比两个间隙的击穿抖动和通道数,分析了串级两间隙的相互影响机制。实验结果表明:两只开关触发间隙击穿抖动和通道数变化规律基本一致;非中空开关自击穿间隙击穿抖... 详细信息

针对中空和非中空触发电极结构的两间隙开关,进行了触发击穿特性实验,对比两个间隙的击穿抖动和通道数,分析了串级两间隙的相互影响机制。实验结果表明:两只开关触发间隙击穿抖动和通道数变化规律基本一致;非中空开关自击穿间隙击穿抖动随工作系数的增大而减小,最小约3 ns,中空开关自击穿间隙击穿抖动始终约1 ns;非中空开关自击穿间隙难形成多通道放电,中空开关自击穿间隙通道数明显多于其他间隙。触发间隙首先放电产生紫外光,通过触发电极中空通孔预先照射自击穿间隙产生初始电子,是自击穿间隙击穿抖动减小、通道数增加的主要作用机制。

关键词：气体开关多间隙开关击穿抖动多通道放电紫外预电离

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300 eV—1GeV质子在硅中非电离能损的计算

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物理学报 2014年第6期63卷 182-187页

作者：朱金辉韦源谢红刚牛胜利黄流兴西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

非电离能损(NIEL)引起的位移损伤是导致空间辐射环境中新型光电器件失效的主要因素.引起质子在硅中NIEL的作用机理有库仑相互作用和核相互作用,质子能量范围从位移损伤阈能到1 GeV.当质子能量位于低能区时,库仑相互作用占主导地位,采用... 详细信息

非电离能损(NIEL)引起的位移损伤是导致空间辐射环境中新型光电器件失效的主要因素.引起质子在硅中NIEL的作用机理有库仑相互作用和核相互作用,质子能量范围从位移损伤阈能到1 GeV.当质子能量位于低能区时,库仑相互作用占主导地位,采用解析方法和TRIM程序计算NIEL;当质子能量位于高能区时,NIEL主要来自质子与靶原子核的弹性和非弹性相互作用,使用MCNPX/HTAPE3X进行模拟仿真计算由核反应引起的NIEL.实现了能量范围为300 eV—1 GeV的质子入射硅时NIEL的计算.计算结果表明,MCNPX/HTAPE3X可用于计算高能质子在材料中产生的反冲核所引起的NIEL,结合解析方法和TRIM程序可计算得到由于库仑相互作用引起的NIEL.

关键词：质子非电离能损库仑相互作用核反应

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强流电子束入射角二维分布测量方法

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物理学报 2015年第24期64卷 273-279页

作者：胡杨杨海亮孙剑锋孙江张鹏飞强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024

电子束与靶物质相互作用时的入射角测量是强流电子束热-力学效应研究中的难点问题.提出了一种新的基于覆盖不同厚度衰减片微型法拉第筒阵列的电子束入射角测量方法,与现有方法相比,可获得具有时域特性和位置分布的强流电子束入射角分布... 详细信息

电子束与靶物质相互作用时的入射角测量是强流电子束热-力学效应研究中的难点问题.提出了一种新的基于覆盖不同厚度衰减片微型法拉第筒阵列的电子束入射角测量方法,与现有方法相比,可获得具有时域特性和位置分布的强流电子束入射角分布.以此方法进行了入射角二维分布(r,θ)测量实验,结果表明,电子束入射角二维分布与束流箍缩情况紧密相关.如果箍缩不明显,则电子主要在自身做回旋运动的同时沿着电力线运动,多以垂直或者小角度(40?以下)轰击到阳极靶面;如果箍缩明显,受E×B漂移影响,电子束入射角度会明显变大,从40?以下增至60?左右.

关键词：强流电子束入射角测量方法法拉第筒阵列

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65 nm互补金属氧化物半导体场效应和晶体管总剂量效应及损伤机制

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物理学报 2018年第14期67卷 223-229页

作者：马武英姚志斌何宝平王祖军刘敏波刘静盛江坤董观涛薛院院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024

对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET和PMOSFET)开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明:PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖性,而NMOSFET表现... 详细信息

对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET和PMOSFET)开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明:PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖性,而NMOSFET表现出较强的抗总剂量性能;在累积相同总剂量时,PMOSFET的辐照损伤远大于NMOSFET.结合理论分析和数值模拟给出了PMOSFET的辐射敏感位置及辐射损伤的物理机制.

关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 ^60Coγ辐照辐射损伤数值仿真

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表面绝缘铝平面丝阵Z箍缩实验研究

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物理学报 2014年第5期63卷 289-296页

作者：盛亮李阳袁媛彭博栋李沫张美赵吉祯魏福利王亮平黑东炜邱爱慈强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所) 西安710024 西北核技术研究所西安710024

在"强光一号"装置(1.3 MA,100 ns)上进行了镀2μm聚酰亚胺绝缘膜平面铝丝阵与普通铝丝阵Z箍缩对比实验研究.实验结果表明,表面绝缘能够影响Z箍缩内爆动力学和辐射特性.通过简单理论分析,表面绝缘可能会增加初始阶段的能量沉... 详细信息

在"强光一号"装置(1.3 MA,100 ns)上进行了镀2μm聚酰亚胺绝缘膜平面铝丝阵与普通铝丝阵Z箍缩对比实验研究.实验结果表明,表面绝缘能够影响Z箍缩内爆动力学和辐射特性.通过简单理论分析,表面绝缘可能会增加初始阶段的能量沉积和参与内爆的质量;表面绝缘对于抑制平面丝阵多峰现象有明显作用,然而在所进行的实验中,并未观察到对X射线产额的改善作用.

关键词：表面绝缘铝平面丝阵 Z箍缩内爆特性

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基于中国散裂中子源的商用静态随机存取存储器中子单粒子效应实验研究

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物理学报 2020年第16期69卷 33-42页

作者：王勋张凤祁陈伟郭晓强丁李利罗尹虹西北核技术研究院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

利用中国散裂中子源反角白光中子束线开展13款商用静态随机存取存储器的中子单粒子效应实验.研究了测试图形、特征尺寸和版图工艺差异对单粒子效应的影响.结果表明测试图形对器件的单粒子翻转截面影响不大,但对部分器件的多单元翻转占... 详细信息

利用中国散裂中子源反角白光中子束线开展13款商用静态随机存取存储器的中子单粒子效应实验.研究了测试图形、特征尺寸和版图工艺差异对单粒子效应的影响.结果表明测试图形对器件的单粒子翻转截面影响不大,但对部分器件的多单元翻转占比有较大的影响;特征尺寸对器件单粒子翻转截面的影响没有明显的规律,但对多单元翻转的影响规律明显,多单元翻转占比和最大位数都随着特征尺寸的降低而增大;器件版图工艺差异对器件的单粒子翻转截面和多单元翻转占比都有较大的影响.此外,通过与高原辐照实验结果对比,发现在反角白光中子源获得的多单元翻转占比小于高原辐照实验的结果,其原因是反角白光中子源实验中,中子的最高能量和高能成分占比偏小,且中子束流只有垂直入射.因此,利用反角白光中子源评估器件的大气中子单粒子效应时可能会低估多单元翻转情况.本文的结果可为研究者利用反角白光中子源开展相关研究提供参考.

关键词：中国散裂中子源中子单粒子效应单粒子翻转多单元翻转

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工作系数对直流耐压气体开关间隙中初始电子发展特性的影响

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高电压技术 2019年第3期45卷 826-831页

作者：翟戎骁罗维熙邱孟通丛培天黄涛姜晓峰西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

为研究工作系数对直流耐压气体开关间隙中初始电子发展特性的影响,利用皮秒级紫外脉冲激光在开关间隙中产生初始电子,通过测量初始电子在间隙中运动所产生的电流,获得了在间隙距离5 mm、气压范围0.1～0.4MPa、工作系数范围50%～75%条件... 详细信息

为研究工作系数对直流耐压气体开关间隙中初始电子发展特性的影响,利用皮秒级紫外脉冲激光在开关间隙中产生初始电子,通过测量初始电子在间隙中运动所产生的电流,获得了在间隙距离5 mm、气压范围0.1～0.4MPa、工作系数范围50%～75%条件下,工作系数对初始电子发展特性的影响规律。实验结果表明:初始电子的增殖发展程度随着工作系数的提高而增强,并且存在一个对初始电子产生有效电离作用的工作系数阈值;该阈值随着气压从0.1 MPa增至0.4 MPa略有升高,但基本维持在63%±3%范围附近,且与间隙有效电离系数为零时对应的工作系数相一致;随着工作系数进一步地提高,初始电子将通过多代电子崩过程继续发展。为改善气体开关的直流耐压稳定性,可将开关工作系数设置在有效电离工作系数阈值附近。

关键词：气体开关初始电子自放电工作系数直流耐压脉冲功率技术

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脉冲硬X射线能注量测量技术

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物理学报 2020年第14期69卷 157-162页

作者：苏兆锋来定国邱孟通徐启福任书庆西北核技术研究院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

阐述了全吸收法测量脉冲硬X射线能注量的基本原理,选择了光电管配合硅酸镥(LSO)闪烁体作为探测系统的核心部件,研制了脉冲硬X射线能注量测量系统.利用该系统测量了"闪光二号"加速器产生的脉冲硬X射线强度,结合灵敏度的实验标... 详细信息

阐述了全吸收法测量脉冲硬X射线能注量的基本原理,选择了光电管配合硅酸镥(LSO)闪烁体作为探测系统的核心部件,研制了脉冲硬X射线能注量测量系统.利用该系统测量了"闪光二号"加速器产生的脉冲硬X射线强度,结合灵敏度的实验标定结果,计算得到了脉冲硬X射线的能注量.在连续5发次的实验中,能注量平均测量结果为35.9 mJ/cm^2,根据实测剂量和能谱计算得到的能注量为39.8 mJ/cm^2,两者的结果比较一致.

关键词：脉冲硬X射线能注量闪烁探测器硅酸镥闪烁体

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中子单粒子效应研究现状及进展

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强激光与粒子束 2015年第11期27卷 4-10页

作者：杨善潮齐超刘岩郭晓强金晓明陈伟白小燕林东生王桂珍王晨辉李斌强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所) 西安710024

回顾了中子单粒子研究的国内外发展情况,介绍了近几年西北核技术研究所在西安脉冲堆开展的低能中子单粒子效应研究进展。比较了稳态与脉冲工况下中子单粒子效应的异同性;分析了含有SRAM结构器件随着特征尺寸的减小,中子单粒子效应敏感... 详细信息

回顾了中子单粒子研究的国内外发展情况,介绍了近几年西北核技术研究所在西安脉冲堆开展的低能中子单粒子效应研究进展。比较了稳态与脉冲工况下中子单粒子效应的异同性;分析了含有SRAM结构器件随着特征尺寸的减小,中子单粒子效应敏感性加剧的物理机制。分析认为目前中子单粒子效应已成为小尺寸大规模互补金属氧化物半导体器件的主要中子效应表现;中子辐射效应研究中,除了位移损伤效应以外还必需重视由中子电离造成的中子单粒子效应。

关键词：中子辐照效应中子单粒子效应随机静态存储器低能中子

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带状电缆的直流X射线辐照响应

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强激光与粒子束 2014年第1期26卷 200-205页

作者：马良周辉程引会吴伟李进玺赵墨郭景海西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

对真空环境下带状电缆模型直流X射线辐照响应进行了实验和数值模拟研究;研制了电缆直流X射线辐照实验系统;使用蒙特卡罗模拟软件计算了直流X光机产生的X射线能谱、通量等参数;建立了带状电缆X射线辐照响应一维计算模型,该计算模型包括... 详细信息

对真空环境下带状电缆模型直流X射线辐照响应进行了实验和数值模拟研究;研制了电缆直流X射线辐照实验系统;使用蒙特卡罗模拟软件计算了直流X光机产生的X射线能谱、通量等参数;建立了带状电缆X射线辐照响应一维计算模型,该计算模型包括电缆导体与介质层间隙和介质层电导率模型。实验测量了两个带状电缆模型的直流X射线辐照响应电流波形,并对其进行了数值模拟。结果显示,在一定的电缆导体与介质层间隙大小假设条件下,采用带状电缆X射线辐照响应计算模型计算的结果与实验测量结果在波形特征和绝对幅度方面比较接近,说明了利用该模型描述电缆直流X射线辐照响应具有其合理性。

关键词：带状电缆直流X射线电缆辐照响应蒙特卡罗

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