检索结果-内蒙古大学图书馆

上海计量测试 2018年第2期45卷 45-47页

作者：姚志明严维鹏段宝军宋岩韩长材马继明宋顾周西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室

以低压汞灯的标准谱线为基准,采用MATLAB数值处理技术对ANDOR SR-500型光栅光谱仪的波长进行了校准。校准后测量谱与标准谱峰位一致性明显改善。采用校准后的光谱仪测量了上海硅酸盐研究所最新研制的LSO:Ce闪烁体在X射线照射下的发射光... 详细信息

以低压汞灯的标准谱线为基准,采用MATLAB数值处理技术对ANDOR SR-500型光栅光谱仪的波长进行了校准。校准后测量谱与标准谱峰位一致性明显改善。采用校准后的光谱仪测量了上海硅酸盐研究所最新研制的LSO:Ce闪烁体在X射线照射下的发射光谱。实验结果与标称值一致性较好,峰值波长偏差小于2 nm。

关键词： SR-500光谱仪波长校准 LSOCe闪烁体发射光谱

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130 nm Flash型FPGA单粒子瞬态效应研究

130 nm Flash型FPGA单粒子瞬态效应研究

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中国核学会2019年学术年会

作者：郭晓强曹良志陈伟张凤祁王勋丁李利罗尹虹赵雯郭刚西安交通大学核科学与技术学院陕西西安710049 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安710024 西安交通大学核科学与技术学院陕西西安710049 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安710024 中国原子能科学研究院北京102413

Flash型FPGA具有非易失性配置存储特点，在空间系统中得到广泛应用。本文选取了特征尺寸为130 nm的Flash型FPGA作为研究对象，开展了重离子辐照条件下的组合逻辑电路单粒子瞬态脉冲测试研究，分析得到了典型逻辑单元产生单粒子瞬态脉冲... 详细信息

Flash型FPGA具有非易失性配置存储特点，在空间系统中得到广泛应用。本文选取了特征尺寸为130 nm的Flash型FPGA作为研究对象，开展了重离子辐照条件下的组合逻辑电路单粒子瞬态脉冲测试研究，分析得到了典型逻辑单元产生单粒子瞬态脉冲的敏感性规律及其在电路中的传播捕获特征。

关键词： Flash型FPGA 组合逻辑电路单粒子瞬态

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纳秒级脉冲电流下铁氧体磁环饱和特性

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高电压技术 2017年第10期43卷 3381-3386页

作者：秦锋周辉毛从光吴刚崔志同强电磁脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所) 西安710024

针对铁氧体环应用于复杂电磁环境防护设计问题,研究了脉冲传导电流作用下铁氧体磁环的饱和特性。在伏安法测得磁环的磁化曲线的基础上,采用磁性朗之万函数拟合磁化曲线,分别获得不同脉冲电流脉宽、磁环厚度、截面积、内外径之比以及材... 详细信息

针对铁氧体环应用于复杂电磁环境防护设计问题,研究了脉冲传导电流作用下铁氧体磁环的饱和特性。在伏安法测得磁环的磁化曲线的基础上,采用磁性朗之万函数拟合磁化曲线,分别获得不同脉冲电流脉宽、磁环厚度、截面积、内外径之比以及材料种类等参数下,磁环的饱和电流特性。结果表明:纳秒级脉冲电流的脉宽对磁环的饱和特性几乎没有影响;磁环的截面积与磁环的饱和电流成线性正比关系,而磁环的厚度以及磁环的内外径之比对磁环的饱和特性几乎没有影响;初始磁导率越大的磁环其饱和电流越小,且饱和电流随截面积的增速也越小。

关键词：电磁脉冲电磁防护磁环铁氧体饱和特性

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电离辐射效应对铁电薄膜畴结构影响模拟

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湘潭大学学报（自然科学版） 2019年第4期41卷 30-39页

作者：谭鹏飞李波王金斌钟向丽郭红霞王芳强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所) 陕西西安710024 湘潭大学材料科学与工程学院湖南湘潭411105 湖南科技大学机械设备与健康维护湖南省重点实验室湖南湘潭411201

运用蒙特卡洛方法计算电离辐射对铁电存储器(MFIS型铁电场效应晶体管)的损伤情况,再结合相场方法,建立了MFIS型铁电场效应晶体管相场模型.考虑电离辐射效应对场效应晶体管中铁电薄膜与电极以及绝缘体存在界面效应对存储器中铁电薄膜畴... 详细信息

运用蒙特卡洛方法计算电离辐射对铁电存储器(MFIS型铁电场效应晶体管)的损伤情况,再结合相场方法,建立了MFIS型铁电场效应晶体管相场模型.考虑电离辐射效应对场效应晶体管中铁电薄膜与电极以及绝缘体存在界面效应对存储器中铁电薄膜畴结构的影响.探究从畴结构的角度直观分析电离辐射效应对存储器损伤的可能原因.证实了界面厚度对BaTiO3(BTO)铁电薄膜的畴结构会产生一定的影响;界面厚度的增加会使90°畴结构发生移动,主要为畴壁的移动,主要原因是界面处的极化小于内部,以及界面处的电势与内部形成的电势差,这些都会引起畴壁的移动,畴壁的移动以及畴壁数量减少,会减少体系的畴壁能,从而降低总体的能量.

关键词：电离辐射铁电存储器相场法 90°畴结构

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反冲质子磁谱仪的性能模拟与分析

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现代应用物理 2018年第4期9卷 54-60页

作者：张建福张小东张显鹏刘金良强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024

采用蒙特卡罗和束流光学方法,对反冲质子磁谱仪系统的中子-反冲质子输运及反冲质子在磁场中的偏转和聚焦的全过程进行了物理建模,基于Matlab平台,开发了带电粒子输运模拟计算程序,模拟了反冲质子磁谱仪系统的性能参数,获得了不同参数条... 详细信息

采用蒙特卡罗和束流光学方法,对反冲质子磁谱仪系统的中子-反冲质子输运及反冲质子在磁场中的偏转和聚焦的全过程进行了物理建模,基于Matlab平台,开发了带电粒子输运模拟计算程序,模拟了反冲质子磁谱仪系统的性能参数,获得了不同参数条件下反冲质子在焦平面上的空间分布、中子能量分辨率及中子探测效率。结果表明,反冲质子磁谱仪的中子能量分辨率和中子探测效率是对立性较强的2个性能参数,主要决定于反冲聚乙烯靶尺寸和反冲质子准直器尺寸,二极分析磁铁的磁感应强度对中子能量分辨率和中子探测效率的影响不大,但会影响反冲质子磁谱仪的紧凑性。对能量为14MeV的氘氚聚变中子,磁谱仪的中子能量分辨率小于1%时,中子探测效率可达10^(-8)cm^2。

关键词：反冲质子磁谱仪蒙特卡罗模拟中子探测效率中子能量分辨率氘氚中子

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半导体器件辐射效应数值模拟技术研究现状与发展趋势

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现代应用物理 2018年第1期9卷 1-7页

作者：陈伟丁李利郭晓强西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

半导体器件辐射效应数值模拟技术主要研究辐射与材料相互作用的粒子输运模拟、器件内部辐射感生载流子漂移扩散的器件级模拟及器件性能退化对电路功能影响的电路级模拟等,是抗辐射加固设计和抗辐射性能评估中的关键技术。随着先进微电... 详细信息

半导体器件辐射效应数值模拟技术主要研究辐射与材料相互作用的粒子输运模拟、器件内部辐射感生载流子漂移扩散的器件级模拟及器件性能退化对电路功能影响的电路级模拟等,是抗辐射加固设计和抗辐射性能评估中的关键技术。随着先进微电子技术的快速发展,新材料、新结构和新器件的应用为辐射效应建模与数值仿真带来了新挑战。辐射效应数值模拟涉及材料学、电子学和核科学的交叉领域,技术难度大,建模和仿真比较复杂,一些瓶颈问题尚未完全解决。围绕粒子输运模拟、器件级辐射效应数值模拟和电路级辐射效应数值模拟3个方面,梳理急需解决的关键技术问题,介绍半导体器件辐射效应数值模拟技术的发展趋势。

关键词：辐射效应粒子输运模拟器件模拟电路模拟发展趋势

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基于SiC的裂变靶室中子灵敏度标定技术

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现代应用物理 2018年第2期9卷 19-23,35页

作者：陈亮刘金良刘林月张显鹏张忠兵欧阳晓平阮金陆金鹏何世熠西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

为实现对基于SiC探测器的裂变靶室极低中子灵敏度的准确标定,提出了利用不同的中子源分别测量中子探测效率与裂变碎片的等效平均沉积能量,再将实验结果合成得到中子灵敏度的标定方法。利用该方法,获得了SiC探测器与不同厚度^(235) U或^(... 详细信息

为实现对基于SiC探测器的裂变靶室极低中子灵敏度的准确标定,提出了利用不同的中子源分别测量中子探测效率与裂变碎片的等效平均沉积能量,再将实验结果合成得到中子灵敏度的标定方法。利用该方法,获得了SiC探测器与不同厚度^(235) U或^(238) U裂变靶组成的探测系统对14.9 MeV中子的响应灵敏度,灵敏度的相对标准不确定度为7.5%(k=1),较好地满足了应用需求。与传统带屏蔽体的标定方法相比,该方法测得的中子灵敏度可标定下限拓展了1个量级以上,同时,散射本底的影响可以通过挡影锥的方法准确扣除,显著提高了标定结果的精度。

关键词：碳化硅探测器裂变靶室脉冲中子探测中子灵敏度标定

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美国快Z箍缩装置的建设、应用与发展规划

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现代应用物理 2018年第1期9卷 26-35页

作者：焦晓静孙凤举杨海亮西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

综述了美国圣地亚国家实验室ZR(Z Refurbished)装置的建设背景、结构及最新进展,梳理了自2011年以来在ZR装置上开展的实验研究工作,主要包括辐射效应、惯性约束聚变、极端条件下的材料科学和天体物理学等研究。最后,介绍了美国未来基于... 详细信息

综述了美国圣地亚国家实验室ZR(Z Refurbished)装置的建设背景、结构及最新进展,梳理了自2011年以来在ZR装置上开展的实验研究工作,主要包括辐射效应、惯性约束聚变、极端条件下的材料科学和天体物理学等研究。最后,介绍了美国未来基于直线变压器驱动器技术的快Z箍缩装置发展规划。

关键词：快Z箍缩辐射效应惯性约束聚变材料科学直线变压器驱动器

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基于粗糙集理论和PSpice仿真的脉冲功率装置故障诊断方法

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原子能科学技术 2017年第7期51卷 1316-1321页

作者：胡杨杨海亮张鹏飞孙江孙剑锋强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024 西北核技术研究所陕西西安710024

粗糙集是一种在数据发掘和故障诊断方面有极大发展潜力的软计算方法,可对不精确、不一致、不完整的信息进行分析和处理,且不需要任何对数据的先验知识。脉冲功率装置结构复杂、部件多、故障模式繁多,故障诊断是该领域亟需克服的难题。... 详细信息

粗糙集是一种在数据发掘和故障诊断方面有极大发展潜力的软计算方法,可对不精确、不一致、不完整的信息进行分析和处理,且不需要任何对数据的先验知识。脉冲功率装置结构复杂、部件多、故障模式繁多,故障诊断是该领域亟需克服的难题。本文利用PSpice软件对典型的"Marx-脉冲形成线-二极管"型脉冲功率装置进行了整机仿真,建立了精确度较高的模型。在此模型的基础上进行了典型的故障仿真,提取了故障波形参数,运用粗糙集进行了处理,得出了适用性较广的诊断规则,初步建立了基于粗糙集理论的脉冲功率装置诊断方法,为脉冲功率系统可靠性研究提供了新的思路。

关键词：粗糙集脉冲功率 PSpice仿真故障诊断

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脉冲X射线能谱测量技术发展综述

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现代应用物理 2018年第3期9卷 32-39页

作者：苏兆锋邱爱慈来定国任书庆孙铁平西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

介绍了辐射模拟加速器辐射场中脉冲X射线能谱的几种常用测量方法,阐述了基本原理、测量装置的典型系统组成、主要参数特性、技术发展状况和研究进展,描述了各种方法的优缺点和适用范围。以吸收法为例,综述了解谱技术的发展状况,并描述... 详细信息

介绍了辐射模拟加速器辐射场中脉冲X射线能谱的几种常用测量方法,阐述了基本原理、测量装置的典型系统组成、主要参数特性、技术发展状况和研究进展,描述了各种方法的优缺点和适用范围。以吸收法为例,综述了解谱技术的发展状况,并描述了多种解谱方法的特点。最后,重点介绍了西北核技术研究所脉冲X射线能谱测量的进展,并对测量系统抗噪和散射控制技术进行了评述。结合现有条件和技术成熟度,对今后工作的发展方向进行了展望。

关键词：脉冲X射线能谱吸收法解谱方法

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