检索结果-内蒙古大学图书馆

激光与光电子学进展 2015年第4期52卷 174-179页

作者：石跃武周辉聂鑫王伟冯寒亮孙蓓云相辉朱志臻杨静西北核技术研究所强辐射脉冲环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

目前电光调制器偏置点自动控制通常采用小信号扰动法,主要应用于高速数字通信,而不适用于模拟信号传输。为此提出了一种迭代算法,通过闭环控制实现调制器最佳偏置点的锁定。从理论上分析了方法的可行性,并搭建了反馈系统。在变温环境中... 详细信息

目前电光调制器偏置点自动控制通常采用小信号扰动法,主要应用于高速数字通信,而不适用于模拟信号传输。为此提出了一种迭代算法,通过闭环控制实现调制器最佳偏置点的锁定。从理论上分析了方法的可行性,并搭建了反馈系统。在变温环境中进行了偏置控制实验,结果表明,环境温度变化率为5℃/min时,被测调制器功率抖动小于1.5%,该方法可用于模拟信号的传输。

关键词：光通信电光调制器自动偏置控制闭环控制模拟信号

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器件辐射效应耦合关系对系统中子辐射效应的影响

器件辐射效应耦合关系对系统中子辐射效应的影响

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2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

作者：刘岩金晓明王晨辉杨善潮齐超贺朝会强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所西安710024 西安交通大学核科学与技术学院西安710049 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所西安710024 西安交通大学核科学与技术学院西安710049

对电源模块和运算放大器组成的电子系统开展了中子辐射环境下的耦合规律及实验研究，开展了不同偏置条件下的辐照实验和失效分析，分析了系统中分立器件辐射效应与单独辐照条件下的差异。研究认为：在中子辐射环境下，器件单独输出与在... 详细信息

对电源模块和运算放大器组成的电子系统开展了中子辐射环境下的耦合规律及实验研究，开展了不同偏置条件下的辐照实验和失效分析，分析了系统中分立器件辐射效应与单独辐照条件下的差异。研究认为：在中子辐射环境下，器件单独输出与在系统中的输出存在较大差异，电路中某一级器件输出受不同级器件的相互影响，上一级器件的失效会导致下级自身未失效的器件输出失效。而加电辐照、不加电辐照和全部短接辐照三种中子辐照方式对电路参数的影响无明显差异。

关键词：中子辐射效应电子系统位移损伤运算放大器电源模块

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离线式电离辐照面阵CCD测试系统

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光电工程 2015年第10期42卷 78-82页

作者：罗通顶杨少华王祖军李刚郭明安严明西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

研究CCD受到射线辐照后的电离辐照效应或者损伤机制,对于在辐射场环境下如何正确应用CCD开展科学研究具有重要的意义。针对面阵CCD的辐照损伤效应的测试方法的要求,选用ICX285面阵CCD作为实验样品,结合辐照板离线和参数测试装置研制了... 详细信息

研究CCD受到射线辐照后的电离辐照效应或者损伤机制,对于在辐射场环境下如何正确应用CCD开展科学研究具有重要的意义。针对面阵CCD的辐照损伤效应的测试方法的要求,选用ICX285面阵CCD作为实验样品,结合辐照板离线和参数测试装置研制了离线式的测试系统,并且针对辐照实验的测试要求,设计了积分时间可调和过扫描设计两种功能,以获取CCD的暗信号和转移效率的变化。在60Co-γ射线源上,运用该系统开展了电离辐照效应实验,获得了受到射线辐照后面阵CCD暗信号的变化规律。

关键词：面阵CCD 电离辐照暗信号过扫描

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金属丝电爆炸等离子体的光辐射特性

金属丝电爆炸等离子体的光辐射特性

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2016年全国“高电压与放电等离子体”学术会议

作者：姚伟博张永民周海滨韩若愚汤俊萍强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所西安 710024 西安交通大学电气工程学院西安 710049 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所西安 710024 西安交通大学电气工程学院西安 710049

金属丝在脉冲大电流作用下产生复杂的物理变化过程,伴随有冲击波和强闪光的产生,广泛应用于纳米材料制备[1]、炸药起爆[2]和Z箍缩[3]等研究方向。本文通过实验研究金属丝电爆炸等离子体的光辐射特性,进而用于分析金属丝电爆炸的物理过程... 详细信息

金属丝在脉冲大电流作用下产生复杂的物理变化过程,伴随有冲击波和强闪光的产生,广泛应用于纳米材料制备[1]、炸药起爆[2]和Z箍缩[3]等研究方向。本文通过实验研究金属丝电爆炸等离子体的光辐射特性,进而用于分析金属丝电爆炸的物理过程,具有重要的研究意义和应用前景。由金属丝电爆炸的一般物理过程出发,分析了金属丝电爆炸产生脉冲强闪光的物理机制,建立了金属丝电爆炸等离子体产生脉冲强闪光的实验研究平台,实验平台由储能电容器、同轴型气体火花开关、放电暗室、触发器和测量设备等单元组成,系统总储能15kJ,可同时测量金属丝电爆炸的放电电流、金属丝加载电压,以及脉冲强闪光的积分光谱和光脉冲宽度等参数。实验结果表明：金属丝的参数与脉冲电容器的总储能存在一定的能量匹配关系,当达到最佳能量匹配条件时,电爆炸等离子体的光辐射强度最强,脉冲宽度最宽;不同材质的金属丝,相比于铝丝和铜丝,钨丝金属丝电爆炸等离子体的光辐射强度最高;不同金属丝电爆炸等离子体的积分光谱均表现为特征谱和连续谱的叠加,但是钨丝电爆炸等离子体具有更宽的光谱宽度,且连续谱强度最高,预示钨丝电爆炸将具有相对较高的等离子体温度。

关键词：金属丝电爆炸等离子体光辐射

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双极晶体管ELDRS实验及数值模拟

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微电子学 2015年第2期45卷 262-266,270页

作者：刘敏波陈伟何宝平黄绍艳姚志斌盛江坤肖志刚王祖军西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

对典型双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应进行了实验和数值模拟研究。选取了两种类型的双极晶体管,利用60Co放射源开展了不同剂量率下的辐照实验,分析了双极晶体管基极电流等参数的变化规律;建立了衬底型NPN晶体管理论模型,利用半... 详细信息

对典型双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应进行了实验和数值模拟研究。选取了两种类型的双极晶体管,利用60Co放射源开展了不同剂量率下的辐照实验,分析了双极晶体管基极电流等参数的变化规律;建立了衬底型NPN晶体管理论模型,利用半导体模拟软件模拟了载流子在氧化层中的输运、捕获及释放等物理过程,得到了NPN晶体管基极电流随总剂量和剂量率的变化规律。结果表明,双极晶体管在不同剂量率下表现出低剂量率辐射损伤增强效应,主要是因为高剂量率和低剂量率下晶体管基区氧化层内产生的氧化物陷阱电荷所形成的空间电场不同。

关键词：双极晶体管低剂量率氧化物陷阱电荷空间电场

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上升时间法的α/γ波形数字化实时甄别

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原子能科学技术 2015年第9期49卷 1685-1689页

作者：李奎念李阳张美李斌康西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室陕西西安710049

基于CsI(Tl)探测器的α/γ波形甄别能力,采用上升时间法,设计了一种波形实时甄别系统,系统由高速ADC和高性能FPGA组成。介绍了实时甄别系统的方案设计和甄别算法设计,利用60 Coγ源、241 Amα源对实时系统进行了甄别测试。研究表明:设... 详细信息

基于CsI(Tl)探测器的α/γ波形甄别能力,采用上升时间法,设计了一种波形实时甄别系统,系统由高速ADC和高性能FPGA组成。介绍了实时甄别系统的方案设计和甄别算法设计,利用60 Coγ源、241 Amα源对实时系统进行了甄别测试。研究表明:设计的数字化实时波形甄别系统体积小,能实时甄别开α、γ粒子,甄别品质因子为0.687 5,事件计数率可达2.5×105 s-1。

关键词：数字化波形甄别实时甄别上升时间法 CsI(Tl)闪烁探测器 FPGA

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准单能直流硬X射线装置的研制

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核电子学与探测技术 2015年第9期35卷 904-908页

作者：周海生罗剑辉马戈魏福利夏惊涛唐波西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射模拟与效应国家重点实验室西安710024

以直流X射线光机为基础,利用元素具有特征X射线和吸收边的原理,通过设置荧光靶、滤光片,滤除不同元素K层特征线中的K_β线,研制了准单能直流硬X射线装置。该装置由直流X光机、荧光靶和滤光片组成,可产生十多种准单能X射线,X射线谱纯度大... 详细信息

以直流X射线光机为基础,利用元素具有特征X射线和吸收边的原理,通过设置荧光靶、滤光片,滤除不同元素K层特征线中的K_β线,研制了准单能直流硬X射线装置。该装置由直流X光机、荧光靶和滤光片组成,可产生十多种准单能X射线,X射线谱纯度大于80%,能峰宽小于3 ke V。各能点转换便利,强度可调,束流稳定性小于0.5%。该装置可部分代替放射源,用于测厚、探测器灵敏度标定、透过率标定等。

关键词：直流特征X射线滤光片准单能

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研究堆可靠性数据的收集与处理方法研究

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核科学与工程 2015年第3期35卷 407-412页

作者：沈志远杨剑陈伟袁建新唐秀欢西北核技术研究所强脉冲辐射模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

面向开展研究堆概率安全分析(PSA)的需求,以研究堆通用可靠性数据库IAEA-TECDOC-930为通用数据源,基于贝叶斯方法建立了研究堆可靠性数据收集与处理方法,并以西安脉冲堆(XAPR)为对象设计开发了研究堆可靠性数据管理与分析系统,通过该系... 详细信息

面向开展研究堆概率安全分析(PSA)的需求,以研究堆通用可靠性数据库IAEA-TECDOC-930为通用数据源,基于贝叶斯方法建立了研究堆可靠性数据收集与处理方法,并以西安脉冲堆(XAPR)为对象设计开发了研究堆可靠性数据管理与分析系统,通过该系统的应用获取了不确定性较小且能反映本堆特征的部件可靠性参数。

关键词：研究堆概率安全分析可靠性数据贝叶斯方法

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混响室频率搅拌方式及其场环境特性分析

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强激光与粒子束 2015年第10期27卷 105-109页

作者：刘逸飞陈永光程二威吴伟李进玺赵墨郭景海西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 北京跟踪与通信技术研究所北京100094 军械工程学院静电与电磁防护研究所石家庄050003

从本征模的角度阐明了频率搅拌技术的混响原理,并根据激励信号的频域特征,系统研究了频率搅拌方式下获取"实时均匀场"与"统计均匀场"的三种有效实现途径。选取线性扫频这一搅拌方式为主要研究对象,检验了混响室频... 详细信息

从本征模的角度阐明了频率搅拌技术的混响原理,并根据激励信号的频域特征,系统研究了频率搅拌方式下获取"实时均匀场"与"统计均匀场"的三种有效实现途径。选取线性扫频这一搅拌方式为主要研究对象,检验了混响室频率搅拌下的最低可用频率、场均匀性与统计特性三项主要技术指标。试验结果表明:线性扫频搅拌方式下,混响室的最低可用频域与机械搅拌方式基本一致;场均匀性满足IEC 61000-4-21标准规定的容差要求;场值波动规律符合理论分布模型。

关键词：混响室频率搅拌最低可用频率场均匀性统计特性

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PPD CMOS图像传感器不同剂量率辐照下的总剂量效应实验及退火研究

PPD CMOS图像传感器不同剂量率辐照下的总剂量效应实验及退火研究

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2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

作者：王祖军刘静薛院院何宝平姚志斌马武英刘敏波盛江坤强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安 710024 湘潭大学材料科学与工程学院湖南湘潭 411105

开展了由0.18 μm工艺制造的PPD CMOS图像传感器在不同剂量率辐照下的总剂量效应实验，分析了PPD CMOS图像传感器的辐射敏感参数如暗电流、暗信号不均匀性(DSNU)、随机噪声、饱和输出、信噪比(SNR)、动态范围(DR)等随总剂量变化的实验... 详细信息

开展了由0.18 μm工艺制造的PPD CMOS图像传感器在不同剂量率辐照下的总剂量效应实验，分析了PPD CMOS图像传感器的辐射敏感参数如暗电流、暗信号不均匀性(DSNU)、随机噪声、饱和输出、信噪比(SNR)、动态范围(DR)等随总剂量变化的实验规律，比较了PPD CMOS图像传感器在剂量率分别为0.3、3.0、30.0 rad(Si)/s辐照时的退化程度.分析了不同剂量率辐照PPD CMOS图像传感器产生退化差异的损伤物理机制.开展了PPD CMOS图像传感器总剂量辐照后的退火测试研究.

关键词： CMOS图像传感器剂量率总剂量暗信号随机噪声退火

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