检索结果-内蒙古大学图书馆

原子能科学技术 2014年第8期48卷 1502-1507页

作者：盛江坤邱孟通姚志斌何宝平黄绍艳刘敏波肖志刚王祖军西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

针对镁光公司的4种NAND型Flash存储器,开展了不同辐照偏置下的总剂量效应实验及不同工艺尺寸器件的静态加电辐照实验。实验结果表明,器件在静态加电和动态辐照偏置下的总剂量效应相似,而与不加电辐照偏置下的总剂量效应不同。不同工艺... 详细信息

针对镁光公司的4种NAND型Flash存储器,开展了不同辐照偏置下的总剂量效应实验及不同工艺尺寸器件的静态加电辐照实验。实验结果表明,器件在静态加电和动态辐照偏置下的总剂量效应相似,而与不加电辐照偏置下的总剂量效应不同。不同工艺尺寸器件的敏感参数有相同的变化趋势,由于受其他因素的综合影响,各敏感参数并不随工艺尺寸单调变化。

关键词： NAND型Flash存储器总剂量效应辐照偏置工艺尺寸

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两种不同引燃结构放电稳定性研究

两种不同引燃结构放电稳定性研究

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中国核学会2015年学术年会

作者：孙江呼义翔曾江涛孙凤举胡杨孙剑锋张鹏飞强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安710024

间隙击穿和滑闪击穿是电触发trigatron开关常见的两种引燃结构,本文通过统计方法研究了这两种不同引燃结构放电击穿电压和脉冲放电时刻的稳定性.研究结果表明,滑闪击穿结构击穿电压小于间隙击穿结构,其对触发脉冲幅值的要求更低,同时滑... 详细信息

间隙击穿和滑闪击穿是电触发trigatron开关常见的两种引燃结构,本文通过统计方法研究了这两种不同引燃结构放电击穿电压和脉冲放电时刻的稳定性.研究结果表明,滑闪击穿结构击穿电压小于间隙击穿结构,其对触发脉冲幅值的要求更低,同时滑闪击穿放电时刻也较间隙击穿早,抖动也较小,采用滑闪击穿引燃trigatron开关有利于减小整个trigatron开关的击穿时间延迟和抖动.

关键词： Trigatron开关间隙击穿滑闪击穿击穿电压放电稳定性

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中子辐照后CMOS工艺静态随机存储器瞬时电离辐射翻转效应实验研究

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原子能科学技术 2014年第S1期48卷 723-726页

作者：刘岩陈伟杨善潮齐超王桂珍林东生郭晓强金军山西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

对0.15μm特征尺寸CMOS工艺商用静态随机存储器(SRAM)开展了中子辐照后的瞬时电离辐射效应实验研究,获得了中子辐照后SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律,并与未经中子辐照SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律进行对比。结果表明:中子辐照... 详细信息

对0.15μm特征尺寸CMOS工艺商用静态随机存储器(SRAM)开展了中子辐照后的瞬时电离辐射效应实验研究,获得了中子辐照后SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律,并与未经中子辐照SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律进行对比。结果表明:中子辐照能有效提高CMOS工艺SRAM器件的瞬时剂量率翻转阈值,中子辐照引起的少数载流子的寿命降低是产生这种现象的主要原因。

关键词：翻转效应翻转阈值中子辐照 SRAM

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脉冲硬X射线能谱软化方法数值分析

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原子能科学技术 2014年第2期48卷 336-340页

作者：来定国张永民李进玺全林姚伟博杨莉张玉英任书庆杨实程亮西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

基于轫致辐射原理,提出了通过轫致辐射靶优化设计软化脉冲硬X射线能谱的方法。采用MCNP程序模拟了复合薄靶和反射靶的输出参数,分析了复合薄靶中转化靶和电子吸收材料厚度对脉冲硬X射线能谱、转换效率以及透射电子份额的影响;给出了反... 详细信息

基于轫致辐射原理,提出了通过轫致辐射靶优化设计软化脉冲硬X射线能谱的方法。采用MCNP程序模拟了复合薄靶和反射靶的输出参数,分析了复合薄靶中转化靶和电子吸收材料厚度对脉冲硬X射线能谱、转换效率以及透射电子份额的影响;给出了反射靶透射和反射X射线能谱、转换效率的差异及其随电子入射角度的变化规律。根据模拟结果分析了两种方法的可行性,并进行了实验验证,为轫致辐射靶的优化设计提供参考。

关键词：轫致辐射脉冲硬X射线能谱复合靶反射靶

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EEPROM瞬时剂量率效应实验研究

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原子能科学技术 2014年第S1期48卷 727-731页

作者：王桂珍齐超林东生白小燕杨善潮李瑞宾刘岩金晓明西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

对3种不同容量的EEPROM开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验研究,测量电路的剂量率闩锁特性、高剂量率辐照下的数据保持能力及电路功能。辐照前,利用编程器在EEPROM中全地址写入55H,加电辐照,测量辐照后的电源电流;辐照后,再... 详细信息

对3种不同容量的EEPROM开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验研究,测量电路的剂量率闩锁特性、高剂量率辐照下的数据保持能力及电路功能。辐照前,利用编程器在EEPROM中全地址写入55H,加电辐照,测量辐照后的电源电流;辐照后,再利用编程器对EEPROM的存储数据及读写功能进行测量。研究结果表明:EEPROM在瞬时辐照下,主要表现为外围电路的剂量率闩锁效应;在1.0×109 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,3种电路存储的数据保持完好,未发生变化,存储器的擦除、编程及读出功能正常。给出了3种EEPROM电路的剂量率闩锁阈值,并对EEPROM的瞬时剂量率效应特点进行了分析。

关键词：浮栅器件 EEPROM 剂量率闩锁闩锁阈值

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0.18μm CMOS电路瞬时剂量率效应实验研究

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原子能科学技术 2014年第11期48卷 2165-2169页

作者：王桂珍林东生齐超白小燕杨善潮李瑞宾马强金晓明刘岩西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量... 详细信息

利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量率性能的影响与电路的规模有关。0.18μm CMOS反相器的抗瞬时剂量率性能远优于微米级反相器,而0.18μm CMOS静态随机存储器的抗瞬时剂量率性能远低于微米级及亚微米级存储器。

关键词： CM OS电路脉冲激光剂量率翻转翻转阈值特征尺寸

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基于Jeffreys先验的PSA通用数据贝叶斯处理方法

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核动力工程 2014年第6期35卷 84-87页

作者：沈志远陈伟袁建新唐秀欢杨剑西北核技术研究所强脉冲辐射模拟与效应国家重点实验室西安710024

利用Jeffreys先验理论推导出gamma分布和beta分布的Jeffreys先验,在此基础上通过贝叶斯方法得到通用数据分布超参数计算表达式,最后以文献数据为例对失效率分布的超参数进行计算。与经典统计学方法所得结果相比,基于Jeffreys先验的数据... 详细信息

利用Jeffreys先验理论推导出gamma分布和beta分布的Jeffreys先验,在此基础上通过贝叶斯方法得到通用数据分布超参数计算表达式,最后以文献数据为例对失效率分布的超参数进行计算。与经典统计学方法所得结果相比,基于Jeffreys先验的数据处理方法简单易行,可最大限度地保留样本信息,给出的概率分布不确定性较小。

关键词：贝叶斯方法 Jeffreys先验概率安全评价可靠性数据

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Burn-in对SRAM器件电离总剂量效应的影响

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原子能科学技术 2014年第S1期48卷 708-711页

作者：刘敏波姚志斌黄绍艳何宝平盛江坤西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

针对辐照前高温老练(Burn-in)影响SRAM器件的抗总剂量辐射能力问题,进行了实验研究。选取了3种不同工艺尺寸SRAM存储器,利用60 Co放射源对经过高温老炼和不经过高温老炼(No Burnin)的样品进行了总剂量辐照实验,测量了辐照引起的SRAM器... 详细信息

针对辐照前高温老练(Burn-in)影响SRAM器件的抗总剂量辐射能力问题,进行了实验研究。选取了3种不同工艺尺寸SRAM存储器,利用60 Co放射源对经过高温老炼和不经过高温老炼(No Burnin)的样品进行了总剂量辐照实验,测量了辐照引起的SRAM器件的数据位翻转数,得到了Burn-in对不同工艺尺寸SRAM器件总剂量效应的影响规律。针对0.25μm工艺SRAM器件开展了不同Burn-in温度影响器件抗辐射能力的实验研究,得到了器件抗辐射性能与Burn-in温度之间的关系。结果表明,SRAM器件的工艺尺寸越小,抗总剂量能力越强,且受Burn-in的影响越小;Burn-in时的温度越高,对器件的抗总剂量水平影响越大。

关键词： SRAM器件工艺尺寸高温老炼电离总剂量效应

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纳秒级时间分辨光谱诊断系统及其辐射防护

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光谱学与光谱分析 2014年第6期34卷 1446-1449页

作者：姚伟博郭建明张永民汤俊萍程亮徐启福强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024 西北核技术研究所陕西西安710024

强流电子束二极管是强脉冲辐射环境模拟装置和高功率微波技术中的重要研究方向,通过时间分辨光谱诊断研究阴极等离子体的特性是分析强流脉冲电子束二极管工作性能的可靠方法之一。介绍了具有纳秒级时间分辨能力的光谱诊断系统及其工作... 详细信息

强流电子束二极管是强脉冲辐射环境模拟装置和高功率微波技术中的重要研究方向,通过时间分辨光谱诊断研究阴极等离子体的特性是分析强流脉冲电子束二极管工作性能的可靠方法之一。介绍了具有纳秒级时间分辨能力的光谱诊断系统及其工作原理、系统组成和性能参数,并阐述了低抖动同步触发系统的实现方法和时序关系。同时,针对强脉冲辐射模拟装置产生的强脉冲电磁辐射和强X、γ射线辐射对光谱诊断系统造成严重干扰的情况,设计了电磁屏蔽室和铅屏蔽室对诊断系统进行保护。对黄铜阴极的等离子体进行时间分辨光谱测量,实验结果表明,随着二极管脉冲电压和电流的上升,参与形成阴极等离子体的元素和物质成分明显增多。该光谱诊断系统的时间分辨能力为10ns,最小可达2ns,同步触发系统的抖动小于4.0ns,为深入研究二极管的阴极发射机理开辟了新的技术途径。

关键词：时间分辨光谱阴极等离子体辐射防护

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“强光一号”等离子体开关及负载稳定性分析

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强激光与粒子束 2014年第8期26卷 296-300页

作者：罗维熙王亮平吴刚张信军从培天曾正中西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟及效应国家重点实验室西安710024

"强光一号"等离子体断路开关(POS)及负载二极管系统工作性能不够稳定,通过分析数据指出POS等离子体源参数差异性是导致系统不稳定的主要原因。POS等离子体源参数重复性测量结果表明,在开关断路时刻等离子体源瞬时发射等离子... 详细信息

"强光一号"等离子体断路开关(POS)及负载二极管系统工作性能不够稳定,通过分析数据指出POS等离子体源参数差异性是导致系统不稳定的主要原因。POS等离子体源参数重复性测量结果表明,在开关断路时刻等离子体源瞬时发射等离子体密度重复性极差在10%左右,而开关区间累积等离子体密度极差超过100%。开关区间累积等离子体密度和阴极重粒子发射会对POS断路性能产生显著影响。计算表明开关区间累积等离子体密度差异对POS断路电流阈值影响达到200kA,与运行数据统计结果一致;在断路电流阈值相同的条件下,阴极物质逸出对二极管电压影响显著,MCNP程序计算结果表明,产生辐射剂量差别可以达到80%,与统计数据相当。

关键词：等离子体断路开关稳定性等离子体密度阴极物质逸出

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