检索结果-内蒙古大学图书馆

强激光与粒子束 2015年第4期27卷 228-231页

作者：张信军吴撼宇西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

开展了百kVμs前沿脉冲作用下激光触发水开关的研究。水开关采用球板电极结构,球头轴向开激光通孔,高压极为平板电极。开关自击穿电压133kV,抖动263ns。实验研究了激光击穿弧长占据间隙不同比例、不同触发能量和不同触发时刻等因素对触... 详细信息

开展了百kVμs前沿脉冲作用下激光触发水开关的研究。水开关采用球板电极结构,球头轴向开激光通孔,高压极为平板电极。开关自击穿电压133kV,抖动263ns。实验研究了激光击穿弧长占据间隙不同比例、不同触发能量和不同触发时刻等因素对触发抖动的影响。结果表明激光触发可将抖动有效减小到30ns以内。触发能量高于19mJ时触发抖动与能量大小关系不大。

关键词：激光触发水开关抖动击穿时延

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40级串联FLTD驱动杆箍缩二极管的箍缩特性模拟

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强激光与粒子束 2013年第11期25卷 3065-3068页

作者：张鹏飞孙凤举杨海亮孙剑锋孙江李静雅西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

快放电直线型变压器(FLTD)直接驱动阳极杆箍缩二极管(RPD)技术的紧凑型闪光照相装置是当前研究的热点。采用数值模拟(PIC)方法,建立了40级串联FLTD的粒子模拟模型,研究了不同触发时序下次级分别为正、负极性时的输出特性;在此基础上,初... 详细信息

快放电直线型变压器(FLTD)直接驱动阳极杆箍缩二极管(RPD)技术的紧凑型闪光照相装置是当前研究的热点。采用数值模拟(PIC)方法,建立了40级串联FLTD的粒子模拟模型,研究了不同触发时序下次级分别为正、负极性时的输出特性;在此基础上,初步模拟了RPD在4 MV电压下的箍缩特性。结果为:在脉冲源参数和负载相同的情况下,次级MITL内筒为正极性时的阴极传导电流比例明显低于负极性情况;在脉冲源输出电压4MV时,RPD电子束箍缩良好,电子束的轴向分布较为集中,38%的电子束沉积在距离针尖1.5mm的区域。

关键词：闪光照相磁绝缘传输线杆箍缩二极管粒子模拟

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基于SiC探测器的裂变靶探测系统中子灵敏度标定

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原子能科学技术 2018年第10期52卷 1847-1854页

作者：张显鹏张建福易义成刘金良刘林月西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

在高压倍加器上,采用直流法和脉冲法分别标定了235 U和238 U靶构成的探测系统对14.9 MeV中子的灵敏度。对脉冲法的原理、方法及结果进行了介绍,并与直流法的测量结果进行了对比。结果表明:脉冲法和直流法的结果在不确定度范围内一致。... 详细信息

在高压倍加器上,采用直流法和脉冲法分别标定了235 U和238 U靶构成的探测系统对14.9 MeV中子的灵敏度。对脉冲法的原理、方法及结果进行了介绍,并与直流法的测量结果进行了对比。结果表明:脉冲法和直流法的结果在不确定度范围内一致。脉冲法可在一次测量中直接扣除本底,而直流法的本底测量不准确,因此脉冲法是一种更准确的方法。本文方法可为脉冲中子源裂变探测器的相关研究提供参考。

关键词：裂变靶探测系统高压倍加器 SiC探测器中子灵敏度脉冲中子

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西安脉冲堆概率安全分析技术要点及分析框架研究

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核动力工程 2018年第3期39卷 100-105页

作者：王宝生唐秀欢沈志远朱磊西北核技术研究所强脉冲辐射模拟与效应国家重点实验室西安710024

针对西安脉冲堆(XAPR)自身设计特点及安全特性,研究了XAPR概率安全分析(PSA)的技术特殊要点,提出了XAPR PSA分析框架及技术要素具体实施方法。最后以XAPR堆水池中破口失水事故为始发事件,验证了XAPR PSA研究思路。分析表明:以始发事件... 详细信息

针对西安脉冲堆(XAPR)自身设计特点及安全特性,研究了XAPR概率安全分析(PSA)的技术特殊要点,提出了XAPR PSA分析框架及技术要素具体实施方法。最后以XAPR堆水池中破口失水事故为始发事件,验证了XAPR PSA研究思路。分析表明:以始发事件为起点、事件序列为主干、放射性释放类为终点的一体化事件树结构分析框架适合于XAPR PSA。

关键词：西安脉冲堆概率安全分析框架放射性释放类堆水池失水事故

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γ射线在大气中产生康普顿电流的快速计算方法

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强激光与粒子束 2015年第7期27卷 290-294页

作者：朱金辉谢红刚牛胜利左应红西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

康普顿电流是激励核电磁脉冲的主要机制。为了提高核电磁脉冲数值模拟中γ射线产生康普顿电流过程的计算效率,发展了一种γ射线在均匀大气中产生康普顿电流的快速计算方法。首先通过计算康普顿电子在出射方向上的衰减特征,得到在电子出... 详细信息

康普顿电流是激励核电磁脉冲的主要机制。为了提高核电磁脉冲数值模拟中γ射线产生康普顿电流过程的计算效率,发展了一种γ射线在均匀大气中产生康普顿电流的快速计算方法。首先通过计算康普顿电子在出射方向上的衰减特征,得到在电子出射方向净电子流与其射程和出射距离的拟合关系,然后结合康普顿散射微分截面,给出单能γ射线在大气中产生的康普顿电流密度的解析数值计算方法。和蒙特卡罗程序的计算结果比较,用该方法计算得到的电流密度值差异在10%以内,计算速度提高两个量级以上。该计算方法可用于大气中康普顿电流的快速估算。

关键词：康普顿电流电磁脉冲蒙特卡罗方法快速算法

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快谱小堆堆芯三维瞬态核-热-力耦合计算方法研究

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原子能科学技术 2023年第7期57卷 1347-1354页

作者：胡田亮姜夺玉李达王立鹏曹璐张信一苏春磊西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

快谱小堆具有紧凑设计、能谱硬、中子泄漏强的特点。不同于热谱反应堆,温度载荷作用下的力学效应导致的几何变形是快谱小堆堆芯反应性反馈的重要来源,因此开展基于核-热-力耦合的瞬态分析对于准确模拟快谱小堆堆芯动态特性具有重要意义... 详细信息

快谱小堆具有紧凑设计、能谱硬、中子泄漏强的特点。不同于热谱反应堆,温度载荷作用下的力学效应导致的几何变形是快谱小堆堆芯反应性反馈的重要来源,因此开展基于核-热-力耦合的瞬态分析对于准确模拟快谱小堆堆芯动态特性具有重要意义。本文基于开源多物理耦合框架MOOSE,开展了三维核-热-力耦合计算研究,采用JFNK方法联立求解热-力耦合方程,热-力耦合方程通过Picard方法与中子时空动力学方程耦合求解,最终实现了基于动网格的三维核-热-力耦合求解。本文将该方法应用于Goidva-Ⅰ快中子脉冲反应堆瞬发超临界瞬态计算,采用三维核-热-力耦合求解方法计算得到了脉冲动态过程中的裂变率、温升、表面位移等物理量随时间变化规律,并与参考结果进行了比较,计算结果表明该方法可准确考虑热膨胀变形引起的反应性反馈效应。

关键词：多物理耦合快谱小堆力学反馈效应 MOOSE Godiva

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脉宽调制器单粒子效应测试系统研制

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原子能科学技术 2014年第S1期48卷 717-722页

作者：赵雯郭红霞张凤祁郭晓强罗尹虹王燕萍肖尧西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

本文在分析脉宽调制器(PWM)单粒子效应主要失效模式的基础上,研制了具备频率异常测试、占空比异常测试和参考电压测试功能的PWM单粒子效应测试系统,并在中国原子能科学研究院HI-13串列加速器上开展了单粒子效应试验。试验结果表明:单粒... 详细信息

本文在分析脉宽调制器(PWM)单粒子效应主要失效模式的基础上,研制了具备频率异常测试、占空比异常测试和参考电压测试功能的PWM单粒子效应测试系统,并在中国原子能科学研究院HI-13串列加速器上开展了单粒子效应试验。试验结果表明:单粒子效应会导致PWM输出信号的脉冲丢失和占空比改变,脉冲丢失时间和占空比改变的持续时间有时可达数ms;UC1825AJ型PWM的单粒子效应LET阈值约为4.4MeV·cm2·mg-1,UC1845AJ型PWM的抗单粒子性能受工艺批次的影响较大。

关键词：脉宽调制器单粒子效应测试系统

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Flash型FPGA的单粒子效应测试系统研制

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原子能科学技术 2015年第12期49卷 2266-2271页

作者：王忠明闫逸华陈荣梅王园明赵雯张凤祁郭晓强郭红霞西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

研制了一套Flash型FPGA的单粒子效应测试系统,其具有片上SRAM/Flash ROM单粒子翻转效应测试、D触发器单粒子效应测试、锁相环与时钟网络单粒子瞬态效应测试、单粒子瞬态脉冲宽度测试等功能。本文介绍了该系统的测试原理和软硬件实现方法。

关键词：单粒子效应 Flash型FPGA 单粒子瞬态

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光电耦合器不同辐照剂量率下的伽玛总剂量效应

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强激光与粒子束 2014年第8期26卷 241-245页

作者：黄绍艳刘敏波姚志斌盛江坤肖志刚何宝平王祖军唐本奇西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

开展了光电耦合器在0.01,0.1,1.0和50rad(Si)/s四种剂量率下的伽玛射线(60 Coγ)辐照实验,结果表明:γ辐照导致光电耦合器电流传输比下降,辐照到相同总剂量,电流传输比下降幅度基本上随剂量率的减小而增大。在不拆封破坏光电耦合器的情... 详细信息

开展了光电耦合器在0.01,0.1,1.0和50rad(Si)/s四种剂量率下的伽玛射线(60 Coγ)辐照实验,结果表明:γ辐照导致光电耦合器电流传输比下降,辐照到相同总剂量,电流传输比下降幅度基本上随剂量率的减小而增大。在不拆封破坏光电耦合器的情况下,通过对光电耦合器中的发光二极管I-V特性、光敏晶体管增益及初级光电流的测试,以及耦合介质传输损耗特性的分析,证明了导致光电耦合器电流传输比退化的主导因素是光敏晶体管C-B区光响应度的下降。

关键词：光电耦合器 γ总剂量低剂量率辐照损伤增强

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基于物理的体硅CMOS存储器多位翻转特性电路级仿真分析

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原子能科学技术 2021年第12期55卷 2121-2127页

作者：王坦丁李利罗尹虹赵雯张凤祁强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安710024

本文提出了一种电路级仿真方法,对体硅CMOS存储器中由单粒子效应引发的多位翻转特性进行了建模分析。该方法综合考虑了扩散效应及寄生双极放大效应引发的电荷共享收集机制,能基于版图特征重构多节点电荷收集的电流源,实现对单粒子效应... 详细信息

本文提出了一种电路级仿真方法,对体硅CMOS存储器中由单粒子效应引发的多位翻转特性进行了建模分析。该方法综合考虑了扩散效应及寄生双极放大效应引发的电荷共享收集机制,能基于版图特征重构多节点电荷收集的电流源,实现对单粒子效应位翻转截面的预估计算。针对一款65 nm工艺体硅CMOS存储器,对不同能量及角度入射的重离子引发的多位翻转效应(MCU)进行了仿真计算,并与试验结果进行了对比。

关键词：单粒子效应多位翻转电路级仿真位翻转截面倾角入射

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