检索结果-内蒙古大学图书馆

强激光与粒子束 2021年第3期33卷 113-118页

作者：来定国邱孟通杨实苏兆锋徐启福丛培天任书庆强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所西安710024

介绍了利用串级二极管产生高强度脉冲硬X射线的方法及其辐射场参数。以“闪光二号”加速器为平台,通过适应性改造,产生快前沿电压脉冲;研制了两级阻抗1Ω串级二极管,通过串联分压降低二极管端电压、各级二极管电子束独立打靶在空间叠加... 详细信息

介绍了利用串级二极管产生高强度脉冲硬X射线的方法及其辐射场参数。以“闪光二号”加速器为平台,通过适应性改造,产生快前沿电压脉冲;研制了两级阻抗1Ω串级二极管,通过串联分压降低二极管端电压、各级二极管电子束独立打靶在空间叠加形成高强度均匀辐射场。解决了悬浮电极绝缘支撑、二极管阴极均匀发射等技术难题,实现了串级二极管的稳定工作。在总电压约700 kV、电流约310 kA条件下,X射线平均能量87 keV,500 cm^(2)上的平均能注量36 mJ/cm^(2),剂量均匀性(最大值比最小值)达到2∶1。

关键词：串级二极管强流电子束脉冲硬X射线闪光二号加速器辐射模拟

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9.5 m高水平极化有界波电磁脉冲模拟器内场分布特性的初步实验研究

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强激光与粒子束 2021年第4期33卷 45-50页

作者：吴伟王海洋吴刚朱湘琴肖晶程乐西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

测量了9.5 m高的水平极化有界波电磁脉冲模拟器的内部场,并根据实验测量结果分析了该模拟器内场分布特性,包括一定区域内场均匀性的定量分析及模拟器内部有效测试空间的确定方法,进而对最低位置为距离地面2 m的有效测试空间进行了预估... 详细信息

测量了9.5 m高的水平极化有界波电磁脉冲模拟器的内部场,并根据实验测量结果分析了该模拟器内场分布特性,包括一定区域内场均匀性的定量分析及模拟器内部有效测试空间的确定方法,进而对最低位置为距离地面2 m的有效测试空间进行了预估。实验结果表明:位于该模拟器双锥中心正下方且距离该中心5.5~7.5 m的测点场的峰值基本按照测点与双锥中心间距的倒数衰减,且随着测点与双锥中心间距的增大,因锥与极板不连续结构导致的波形变化在时间轴上滞后,而因地面影响导致的波形变化在时间轴上提前;在距离地面比较高的水平面上,两极板之间场的外泄方向场的衰减比双锥中轴线方向场的衰减更慢;该模拟器内部距离地面2 m的水平面上12 m×12 m的区域内所取测点的归一化场平均峰值约为0.678,归一化场平均峰值的标准偏差约为0.0689,场的均匀性约为2.039 dB。

关键词：水平极化有界波模拟器电磁脉冲场分布

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电磁脉冲模拟装置用3 MV中储电容器的研制

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强激光与粒子束 2021年第9期33卷 141-146页

作者：陈志强谢霖燊贾伟何小平汤俊萍陈维青西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

介绍了一台大型垂直极化有界波模拟装置所用中间储能电容器(简称中储电容器)的设计过程和实验结果。电容器采用基于元件和组件的模块化设计,呈锥台状结构,支撑壳体为真空工艺玻璃钢材料。电容器容值由模拟装置等效的二级脉冲压缩回路决... 详细信息

介绍了一台大型垂直极化有界波模拟装置所用中间储能电容器(简称中储电容器)的设计过程和实验结果。电容器采用基于元件和组件的模块化设计,呈锥台状结构,支撑壳体为真空工艺玻璃钢材料。电容器容值由模拟装置等效的二级脉冲压缩回路决定,取值为1.8 nF。电容器内部绝缘介质为十二烷基苯,外部绝缘介质为45#变压器油,设计耐压3 MV,其绝缘长度主要由元件的体绝缘特性决定。采用三维电磁仿真软件估算中储电容器与中储开关构成回路的电感为659 nH,接近于实测数据623 nH。电容器上脉冲电压的测量通过对电容器电流进行积分来获取,而电流的采集采用封装在SF_(6)气体中的3个膜电阻并联后所构成测量模块实现。实际运行数据表明,中储电容器容值达到设计值,测量探头标定系数稳定,在工作电压3.1 MV条件下未发生绝缘问题。

关键词：电磁脉冲模拟装置中储电容器脉冲压缩绝缘设计脉冲电压测量

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反场构型平面薄膜电爆炸等离子体电流通道

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物理学报 2022年第3期71卷 231-242页

作者：刘永棠盛亮李阳张金海欧阳晓平清华大学工程物理系北京100084 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

Z箍缩负载初始化电流通道的形成建立过程、电流密度分布模式及其演化特征对研究等离子体动力学发展、分析等离子体不稳定性模式、开展磁流体数值模拟工作等具有重要意义.平面薄膜是研究这一问题中具有连续二维结构的理想构型.基于理想... 详细信息

Z箍缩负载初始化电流通道的形成建立过程、电流密度分布模式及其演化特征对研究等离子体动力学发展、分析等离子体不稳定性模式、开展磁流体数值模拟工作等具有重要意义.平面薄膜是研究这一问题中具有连续二维结构的理想构型.基于理想无限长平板假设下的反场薄膜-回流柱负载模型,通过理论对电感主导模式下的电流通道建立和演化过程、薄膜平面磁场分布特征和薄膜各部分受力特征进行了计算分析.通过开展对称型与非对称型下的平面薄膜电爆炸实验,以可见光分幅相机记录薄膜等离子体自辐射光分布为主要诊断手段开展了实验验证.结果显示,早期电流的建立与分布符合电感模型预期,薄膜等离子体表现出电流密度边缘聚集和钳状型等离子体发光形态.中后期图像显示发光强区会由薄膜边界向中心位置转移并导致峰状凸起型等离子体发光形态的演化,表明电流分配受等离子体发展影响,边界融蚀等离子体向心汇聚导致电流随之转移,最终造成电流通道的快速切换.

关键词：电爆炸薄膜反场构型电感模式电流密度分布

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金属冷压方程的数值分析

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核聚变与等离子体物理 2015年第3期35卷 198-203页

作者：段耀勇郭永辉邱爱慈强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所西安710024

在金属等温体积模量和冲击波动态压缩实验数据基础上,利用胡-经(HJ)方法计算了57种金属材料在Born-Mayer(BM)模型中冷压参数q和Q,同时提出了在没有足够实测冲击波数据前提下结合零温Thomas-Fermi(TF)模型与低压实验数据计算冷压参数的... 详细信息

在金属等温体积模量和冲击波动态压缩实验数据基础上,利用胡-经(HJ)方法计算了57种金属材料在Born-Mayer(BM)模型中冷压参数q和Q,同时提出了在没有足够实测冲击波数据前提下结合零温Thomas-Fermi(TF)模型与低压实验数据计算冷压参数的试探法。组合Faussurier电子热压模型、Cowan离子热压模型和以上方法得到的冷压拟合式,通过对Be、Co和Pb的计算和实验的冲击绝热数据的对比,分析了HJ法与综合优选法得到的q和Q之间的差异。进一步计算了Sr、Ba和Sm材料沿冲击绝热曲线上的热力学量,通过与相应的实测结果以及与其他模型对比来评估HJ冷压方程的精度。

关键词：状态方程冲击波胡-经关系式 FCZH模型

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电缆X射线辐射感应电导率引起的非线性效应

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强激光与粒子束 2016年第11期28卷 83-88页

作者：马良周辉郭景海吴伟程引会李进玺赵墨刘逸飞西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

对电缆X射线辐照非线性响应进行了数值模拟。分析了电缆X射线辐照的物理过程,针对同轴电缆和屏蔽多导体电缆,建立了基于有限元方法的二维电缆模型诺顿等效电流源计算方法,着重描述了二维模型下电缆介质辐射感应电导率效应求解方法,模拟... 详细信息

对电缆X射线辐照非线性响应进行了数值模拟。分析了电缆X射线辐照的物理过程,针对同轴电缆和屏蔽多导体电缆,建立了基于有限元方法的二维电缆模型诺顿等效电流源计算方法,着重描述了二维模型下电缆介质辐射感应电导率效应求解方法,模拟了电缆X射线辐照非线性效应,给出了诺顿等效电流源非线性响应规律,并依据物理过程进行了合理性分析。模拟结果显示,由于辐射感应电导率的存在,随着X射线注量的增加,电缆响应幅度会存在明显的饱和现象。对特定类型的电缆,响应电流随着X射线注量增加,依次出现3个时间位置不同的电流峰值。

关键词：辐射感应电导率 X射线辐照响应电缆数值模拟

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基于载流子猝灭模型的闪烁体发光非线性效应理论分析及实验验证

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物理学报 2021年第24期70卷 84-90页

作者：魏坤黑东炜刘军徐青翁秀峰谭新建西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 清华大学工程物理系北京100084

闪烁体探测器是辐射物理领域重要的探测器件,闪烁体作为其中的核心部分,其特性受到广泛研究,特别是闪烁体在高激发密度下的非线性效应由于其对测量结果的直接影响而得到格外关注.本文结合目前国内外闪烁体发光的相关理论,以载流子方程... 详细信息

闪烁体探测器是辐射物理领域重要的探测器件,闪烁体作为其中的核心部分,其特性受到广泛研究,特别是闪烁体在高激发密度下的非线性效应由于其对测量结果的直接影响而得到格外关注.本文结合目前国内外闪烁体发光的相关理论,以载流子方程为基础,量化分析了激子的二阶猝灭效应对于载流子动力学过程的影响,着重计算分析了脉冲测量场景下不同激发密度产生的不同初始载流子浓度对于闪烁体光衰减曲线、光产额以及效率的影响.接着利用光致激发实验,研究了CeF_(3)闪烁体光产额与激发密度的关系,并利用载流子猝灭模型对实验数据进行了拟合,拟合曲线与实验数据一致性较高,并得到了CeF_(3)闪烁体10%非线性效应对应的能量密度阈值.通过本文研究工作建立的物理模型,结合不同的模型参数,可以实现多种闪烁材料发光非线性特性的预测和解释,对于理解及解决实验中遇到的闪烁体在高激发密度下产生的非线性效应问题具有重要作用.

关键词：闪烁体非线性效应载流子猝灭光致激发

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kA级脉冲电流注入环的电路建模与分析

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强激光与粒子束 2022年第9期34卷 110-115页

作者：董亚运崔志同程引会秦锋聂鑫西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

为满足kA级脉冲电流注入应用需求,设计了一种基于非晶磁芯的电流注入环,其初级线圈采用线缆直接引出的方式,有效解决了传统注入环N型电缆接头耐压不足的问题。之后根据注入环结构建立了其电路模型,并应用粒子群优化算法确定了模型参数... 详细信息

为满足kA级脉冲电流注入应用需求,设计了一种基于非晶磁芯的电流注入环,其初级线圈采用线缆直接引出的方式,有效解决了传统注入环N型电缆接头耐压不足的问题。之后根据注入环结构建立了其电路模型,并应用粒子群优化算法确定了模型参数值。频域和时域的验证实验表明,仿真结果和实验结果具有较好的一致性,验证了该电路模型的可靠性和正确性。对注入环的实际应用场景进行了仿真分析,结果表明该电流注入环可满足实际应用中kA级脉冲电流注入的需求。

关键词：脉冲电流注入 kA级非晶磁芯电流注入环感性耦合

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SiGe BiCMOS低噪声放大器激光单粒子效应研究

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物理学报 2024年第4期73卷 200-208页

作者：李培董志勇郭红霞张凤祁郭亚鑫彭治钢贺朝会西安交通大学核科学与技术学院西安710049 西北核技术研究院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

随着CMOS工艺的日益成熟和SiGe外延技术水平的不断提高,SiGe BiCMOS低噪声放大器(LNA)广泛应用于空间射频收发系统的第一级模块.SiGe HBT作为SiGe BiCMOS LNA的核心器件,天然具有优异的低温特性、抗总剂量效应和抗位移损伤效应的能力,然... 详细信息

随着CMOS工艺的日益成熟和SiGe外延技术水平的不断提高,SiGe BiCMOS低噪声放大器(LNA)广泛应用于空间射频收发系统的第一级模块.SiGe HBT作为SiGe BiCMOS LNA的核心器件,天然具有优异的低温特性、抗总剂量效应和抗位移损伤效应的能力,然而,其瞬态电荷收集引起的空间单粒子效应是制约其空间应用的瓶颈问题.本文基于SiGe BiCMOS工艺低噪声放大器开展了单粒子效应激光微束实验,并定位了激光单粒子效应敏感区域.实验结果表明,SiGe HBT瞬态电荷收集是引起SiGe BiCMOS LNA单粒子效应的主要原因.TCAD模拟表明,离子在CMOS区域入射时,电离径迹会越过深沟槽隔离结构,进入SiGe HBT区域产生电子空穴对并引起瞬态电荷收集.ADS电路模拟分析表明,单粒子脉冲瞬态电压在越过第1级与第2级之间的电容时,瞬态电压峰值骤降,这表明电容在传递单粒子效应产生的瞬态脉冲过程中起着重要作用.本文实验和模拟工作为SiGe BiCMOS LNA单粒子效应抗辐射设计加固提供了技术支持.

关键词： SiGe BiCMOS工艺低噪声放大器单粒子效应激光模拟实验 TCAD数值模拟 ADS电路模拟

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GJB151B CS115的电路仿真分析(二)--标准应用分析

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强激光与粒子束 2022年第6期34卷 35-40页

作者：崔志同陈伟董亚运聂鑫吴伟刘政西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

为解决GJB151B CS115电缆束注入脉冲传导敏感度测试项目中的试验设计、效果预估等问题,在介绍不同类型受试线缆感性脉冲电流注入电路模型的基础上,仿真分析了试验设置中的各项因素(线缆设置、末端负载等)对注入到受试设备端口耦合电流/... 详细信息

为解决GJB151B CS115电缆束注入脉冲传导敏感度测试项目中的试验设计、效果预估等问题,在介绍不同类型受试线缆感性脉冲电流注入电路模型的基础上,仿真分析了试验设置中的各项因素(线缆设置、末端负载等)对注入到受试设备端口耦合电流/电压的影响,得到了CS115试验设置中存在的一些规律性特征,给出了应用电路仿真开展CS115试验设置分析和优化的方法。

关键词：电磁脉冲 CS115 脉冲电流注入感性耦合电路仿真

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