检索结果-内蒙古大学图书馆

原子能科学技术 2019年第10期53卷 1999-2011页

作者：欧阳晓平刘林月西北核技术研究院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室

本文从电流型半导体探测器的起源、传统电流型探测器在应用中的问题出发,论述了国内外在新型半导体探测器研制和电流型半导体探测器的研究现状。对半导体探测器结构和物理特性进行了研究,并重点介绍了电流型碳化硅(SiC)探测器的设计制... 详细信息

本文从电流型半导体探测器的起源、传统电流型探测器在应用中的问题出发,论述了国内外在新型半导体探测器研制和电流型半导体探测器的研究现状。对半导体探测器结构和物理特性进行了研究,并重点介绍了电流型碳化硅(SiC)探测器的设计制作、响应性能研究、抗辐照性能研究等内容,为电流型半导体探测器的研究和应用提供参考。

关键词：半导体探测器电流型硅探测器 SiC探测器

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基于频率比较分析的中子/伽马实时甄别方法

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原子能科学技术 2020年第3期54卷 520-525页

作者：彭升宇易义成卢毅宋朝晖谭新建韩和同管兴胤西北核技术研究院辐射探测科学研究中心陕西西安710024 西北核技术研究院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024 北京大学物理学院重离子物理研究所核物理与核技术国家重点实验室北京100871

目前有关中子/伽马甄别的方法在一些较极端的环境如空间粒子能谱测量中,由于测量时间长、环境复杂等原因,难以满足需要。本文研究一种基于频率比较分析的中子/伽马甄别方法,对该方法模拟电路的实现方式进行研究,并将其与频率梯度分析法... 详细信息

目前有关中子/伽马甄别的方法在一些较极端的环境如空间粒子能谱测量中,由于测量时间长、环境复杂等原因,难以满足需要。本文研究一种基于频率比较分析的中子/伽马甄别方法,对该方法模拟电路的实现方式进行研究,并将其与频率梯度分析法进行了对比。结果表明,该方法拥有更好的甄别性能,既可通过数字电路实现粒子实时甄别,也可通过简单的带通滤波器实现实时甄别,有望应用于空间粒子测量以及探测系统小型化设计中。

关键词：液体闪烁探测器中子/伽马甄别频率比较分析带通滤波器

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不同偏置条件下背照式CMOS图像传感器中国散裂中子源辐照实验研究

不同偏置条件下背照式CMOS图像传感器中国散裂中子源辐照实验研究

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中国核学会2023年学术年会

作者：王祖军薛院院陈伟郭晓强杨勰聂栩赖善坤黄港何宝平盛江坤马武英缑石龙强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所) 湘潭大学材料科学与工程学院西安高科技研究所

本文开展了背照式CMOS图像传感器（CIS）中国散裂中子源（CSNS）白光中子辐照实验研究,中子辐照实验的注量范围为1.0×10～2.0×10 n/cm;分析了白光中子辐照诱发背照式CIS暗电流、暗电流非均匀性、固定模式噪声、时域噪声等增... 详细信息

本文开展了背照式CMOS图像传感器（CIS）中国散裂中子源（CSNS）白光中子辐照实验研究,中子辐照实验的注量范围为1.0×10～2.0×10 n/cm;分析了白光中子辐照诱发背照式CIS暗电流、暗电流非均匀性、固定模式噪声、时域噪声等增大的实验规律和损伤机理;给出了暗信号尖峰随中子辐照注量增大而增大的实验分布结果。实验结果还表明:背照式CIS在不同偏置辐照条件下,性能参数退化差异不明显;转换因子在中子辐照前后几乎没有发生退化。本文的实验结果及理论分析为评估背照式CIS中子辐照损伤效应提供了实验依据。

关键词：中国散裂中子源白光中子背照式CMOS图像传感器中子辐照位移损伤损伤机理

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中国散裂中子源在大气中子单粒子效应研究中的应用评估

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物理学报 2019年第5期68卷 44-53页

作者：王勋张凤祁陈伟郭晓强丁李利罗尹虹西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

由于缺少可用的散裂中子源,多年来我国在大气中子单粒子效应方面主要依靠模拟仿真和单能中子试验的方式开展研究.随着中国散裂中子源(CSNS)通过国家验收,基于CSNS开展大气中子单粒子效应研究成为可能.本文利用CSNS反角白光中子源开展多... 详细信息

由于缺少可用的散裂中子源,多年来我国在大气中子单粒子效应方面主要依靠模拟仿真和单能中子试验的方式开展研究.随着中国散裂中子源(CSNS)通过国家验收,基于CSNS开展大气中子单粒子效应研究成为可能.本文利用CSNS反角白光中子源开展多款静态随机存取存储器器件的中子单粒子效应试验,并与早期开展的高原大气试验结果进行对比,对CSNS在大气中子单粒子效应研究中的应用进行评估.结果表明,相同器件在CSNS反角白光中子源测得的单粒子翻转截面小于大气试验的结果,且不同器件的翻转截面与特征尺寸没有明显的单调关系.分析得到前者由于CSNS反角白光中子谱偏软;后者由于特征尺寸降低导致的临界电荷变小和灵敏体积变小对截面的贡献是竞争关系.针对截面偏小的问题,根据能谱差异分析了中子能量阈值对器件翻转截面的影响,发现能量阈值取12MeV进行计算时,器件在CSNS反角白光中子源和高原大气中子环境中能够得到较一致的截面.研究结果表明CSNS反角白光中子源能够用于加速大气中子单粒子效应试验.考虑到CSNS的运行功率正在逐步提高,且多条规划中的白光中子束线与大气中子能谱更为接近,预期未来CSNS将能更好地应用于大气中子单粒子效应研究.

关键词：大气中子单粒子效应中国散裂中子源反角白光中子源

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GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应及加固技术研究进展

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半导体光电 2022年第3期43卷 490-504页

作者：王祖军王兴鸿晏石兴唐宁崔新宇张琦石梦奇黄港聂栩赖善坤西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 湘潭大学材料科学与工程学院湖南湘潭411105 西安高科技研究所西安710025 中国电子科技集团公司第十八研究所天津300384 上海空间电源研究所上海200245

文章首先重点介绍了国内外开展GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子、质子及其他辐射粒子或射线辐照实验的研究进展,然后从辐照损伤效应的仿真模拟研究、抗辐射加固技术、损伤预估方法等方面综述了GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应... 详细信息

文章首先重点介绍了国内外开展GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子、质子及其他辐射粒子或射线辐照实验的研究进展,然后从辐照损伤效应的仿真模拟研究、抗辐射加固技术、损伤预估方法等方面综述了GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应及加固技术的研究进展,最后梳理了当前GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应研究中亟待解决的关键技术问题,为深入开展GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应实验方法标准制定、损伤机理分析、在轨寿命预估及抗辐射加固技术研究提供了理论指导和实验技术支持。

关键词： GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤位移效应抗辐射加固电子辐照质子辐照

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架空线缆高空电磁脉冲传导环境参数的计算与分析

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现代应用物理 2021年第2期12卷 62-68页

作者：刘政黑东炜毛从光聂鑫陈伟崔志同杜传报西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

本文充分考虑了高空电磁脉冲源区与架空电力线缆之间相对位置的随机性,利用多项式混沌方法,计算了不同地磁倾角及不同架空高度下的电力线缆高空电磁脉冲传导环境。结果表明,不同地磁倾角及不同架空高度下,电力线缆终端设备所处的高空电... 详细信息

本文充分考虑了高空电磁脉冲源区与架空电力线缆之间相对位置的随机性,利用多项式混沌方法,计算了不同地磁倾角及不同架空高度下的电力线缆高空电磁脉冲传导环境。结果表明,不同地磁倾角及不同架空高度下,电力线缆终端设备所处的高空电磁脉冲传导环境不尽相同,脉冲电流峰值的变化范围为2~6 kA,脉冲上升沿的变化范围为4~12 ns,脉冲半宽的变化范围为70~150 ns。

关键词：高空电磁脉冲架空线缆传导环境地磁倾角多项式混沌

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纳秒脉冲下几种液态介质绝缘性能的比对

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强激光与粒子束 2020年第4期32卷 110-115页

作者：贾伟陈志强郭帆李尧尧祁宇航程永平杨天西北核技术研究院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西安交通大学电气绝缘与电力设备国家重点实验室西安710049

利用自行研制的纳秒脉冲实验平台(输出脉冲前沿30 ns,半宽百纳秒)和标准介电强度测试仪,对变压器油、甘油、去离子水、Galden HT200四种液体绝缘介质在直流与纳秒脉冲下的击穿特性进行了实验研究与结果比对,结果表明:在直流与纳秒脉冲下... 详细信息

利用自行研制的纳秒脉冲实验平台(输出脉冲前沿30 ns,半宽百纳秒)和标准介电强度测试仪,对变压器油、甘油、去离子水、Galden HT200四种液体绝缘介质在直流与纳秒脉冲下的击穿特性进行了实验研究与结果比对,结果表明:在直流与纳秒脉冲下,Galden HT200均具有最高的击穿场强,且两种情况下均比变压器油高出40%以上;纳秒脉冲下,Galden HT200与变压器油的击穿场强均提高6.5~7倍,Galden HT200击穿过程耗时最短(ns量级),其次是变压器油(20 ns),然后依次为甘油(45 ns)和去离子水(70 ns);多次放电后,粘度系数最大的甘油更易在电极间隙处聚集碳化放电产物,粘度系数较小的Galden HT200和去离子水则无明显痕迹,但二者放电过程会产生明显的冲击波,多次放电后易造成间隙电极松动。

关键词：纳秒脉冲液体介质标准油杯击穿场强绝缘性能

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4m高度同轴馈电线栅型垂直极化EMP辐射波模拟器的辐射特性分析

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现代应用物理 2021年第2期12卷 52-61,85页

作者：朱湘琴吴伟贾伟西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

基于完全理想磁导体镜像的同轴馈电模拟器天线辐射场并行FDTD方法,研究了高度为4 m的同轴馈电线栅型垂直极化辐射波电磁脉冲模拟器的线栅截数、底部金属实体圆锥的高度、线栅的数目与半径、介质支撑圆柱及加载电阻对模拟器辐射场的影响... 详细信息

基于完全理想磁导体镜像的同轴馈电模拟器天线辐射场并行FDTD方法,研究了高度为4 m的同轴馈电线栅型垂直极化辐射波电磁脉冲模拟器的线栅截数、底部金属实体圆锥的高度、线栅的数目与半径、介质支撑圆柱及加载电阻对模拟器辐射场的影响。结果表明,模拟器设计时,选择线栅截数为1可消除线栅连接处对辐射场的不利影响;底部金属实体圆锥的高度越高,模拟器的辐射场越接近全部金属实体模型的辐射场;为保证模拟器的辐射场达到一定的电场强度峰值,底部金属实体圆锥必须达到一定的高度;当线栅数目在24~60变化时,距离中轴线4 m测点的电场强度峰值不小于全部金属实体模型时相应位置的电场强度峰值的93%;线栅半径在1.5~4 mm变化对模拟器的辐射场几乎没有影响;为减弱介质支撑圆柱对辐射场的不利影响,实验验收点不要选择在圆柱的对称面上,可选择在支撑圆柱对角线的延长线上;加载电阻可使某些测点的辐射场时域波形的半高宽变窄,模拟器的有效测试区域可能增大。

关键词：线栅辐射特性垂直极化辐射波模拟器同轴馈电 PMC镜像

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质子单粒子效应试验束流强度监测系统研制

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现代应用物理 2021年第3期12卷 98-102,111页

作者：王迪王敏文杨业王忠明闫逸花王茂成刘卧龙赵铭彤吕伟王百川陈伟西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

针对质子单粒子效应试验的需求,研制了适用于束流强度监测的电离室探测器,并在西安200 MeV质子应用装置的辐照终端进行了测试,分析了影响探测器测量结果的各项因素,并进行了不确定度评定。测试结果表明:所研制的基于电离室探测器的束流... 详细信息

针对质子单粒子效应试验的需求,研制了适用于束流强度监测的电离室探测器,并在西安200 MeV质子应用装置的辐照终端进行了测试,分析了影响探测器测量结果的各项因素,并进行了不确定度评定。测试结果表明:所研制的基于电离室探测器的束流强度监测系统,在106~1010 s-1束流强度范围内可稳定工作,测量结果的相对不确定度小于10%。

关键词：质子单粒子效应束流强度监测系统电离室不确定度

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LTD型多路并联15 MA Z箍缩装置的电流波形调控方法

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现代应用物理 2022年第4期13卷 89-95页

作者：卢元博王振宇王志国姜晓峰魏浩孙凤举吴坚西安交通大学电气工程学院西安710049 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024

针对Z箍缩装置的电流波形前沿、幅值及调控范围等装置输出能力的重要指标,研究了LTD(linear transformer driver)型多路并联大型Z箍缩装置的电流输出能力及调控方法。首先,基于20路LTD并联的15 MA Z箍缩装置电路模型,获得了15 MA装置典... 详细信息

针对Z箍缩装置的电流波形前沿、幅值及调控范围等装置输出能力的重要指标,研究了LTD(linear transformer driver)型多路并联大型Z箍缩装置的电流输出能力及调控方法。首先,基于20路LTD并联的15 MA Z箍缩装置电路模型,获得了15 MA装置典型触发时序下的电流输出参数;其次,基于装置参数,建立了与电路模型耦合的波形调控算法;最后,以Z refurbishment(ZR)装置3种标准波形及材料实验中的典型电流波形为目标,分析了15 MA装置的波形调节能力,并讨论了隔离时间对装置调节能力的影响。结果表明,15 MA装置具备200~800 ns的脉冲波形输出能力,能输出ZR装置几种标准波形、材料实验中高速飞片实验脉冲波形和高平台双斜坡脉冲波形;但受隔离时间限制,装置对长脉宽波形的调节能力较弱。同时,15 MA装置LTD组件触发方式允许稳定调节时序系数,有利于平滑负载侧输出脉冲波形。

关键词： 15 MA装置 LTD 波形调控算法隔离时间触发时序系数遗传算法

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