检索结果-内蒙古大学图书馆

中国电机工程学报 2013年第27期33卷 78-87,12页

作者：陈章勇肖皓中陈利许建平磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室西南交通大学电气工程学院四川省成都市610031

提出一种全桥副边双谐振(full-bridge secondary-dual-resonance,FB-SDR)DC-DC变换器。变换器无需添加辅助电路即可在全负载范围内实现开关管的零电压开关和副边整流二极管的零电流关断,减小了开通损耗和反向恢复损耗;同时,采用不对称... 详细信息

提出一种全桥副边双谐振(full-bridge secondary-dual-resonance,FB-SDR)DC-DC变换器。变换器无需添加辅助电路即可在全负载范围内实现开关管的零电压开关和副边整流二极管的零电流关断,减小了开通损耗和反向恢复损耗;同时,采用不对称控制策略,消除了传统移相全桥变换器的环流损耗,提高了变换器的效率;有效抑制了整流二极管的电压尖峰和振荡,将整流二极管电压箝位在输出电压,减小了电压应力,进一步提高了变换器的性能。详细研究FB-SDR变换器的工作原理及稳态特性,并对电路关键参数进行设计。最后,通过搭建一台1 kW、400 V/48 V的实验样机,验证理论分析的正确性。

关键词：移相全桥谐振零电压开关零电流开关

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反激PFC变换器输出电压纹波分析

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电力自动化设备 2013年第9期33卷 41-46页

作者：阎铁生许建平张斐周国华西南交通大学电气工程学院磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室四川成都610031

详细分析了断续导电模式(DCM)反激功率因数校正(PFC)变换器和临界连续导电模式(CRM)反激PFC变换器实现功率因数校正的工作原理。通过推导DCM和CRM反激PFC变换器的输入电流的表达式,证明2种变换器都可以实现PFC功能。进一步推导DCM和CRM... 详细信息

详细分析了断续导电模式(DCM)反激功率因数校正(PFC)变换器和临界连续导电模式(CRM)反激PFC变换器实现功率因数校正的工作原理。通过推导DCM和CRM反激PFC变换器的输入电流的表达式,证明2种变换器都可以实现PFC功能。进一步推导DCM和CRM反激PFC变换器的输出电压纹波峰峰值的表达式,揭示了工作模式对PFC变换器的输出电压纹波的影响,发现CRM反激PFC变换器的输出电压纹波峰峰值比DCM反激PFC变换器的输出电压纹波峰峰值小。最后通过仿真和实验验证了理论推导的正确性。

关键词：输出电压纹波断续模式临界连续模式功率因数校正变换器反激

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变导通时间控制临界连续模式反激PFC变换器

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中国电机工程学报 2013年第27期33卷 60-68,10页

作者：阎铁生许建平张斐何圣仲董政磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室西南交通大学电气工程学院四川省成都市610031

提出了一种变导通时间(variable on-time,VOT)控制临界连续模式(critical conduction mode,CRM)反激功率因数校正(power factor correction,PFC)变换器的控制策略。引入输入电压和反激变压器辅助绕组电压参与CRM反激PFC变换器开关管的... 详细信息

提出了一种变导通时间(variable on-time,VOT)控制临界连续模式(critical conduction mode,CRM)反激功率因数校正(power factor correction,PFC)变换器的控制策略。引入输入电压和反激变压器辅助绕组电压参与CRM反激PFC变换器开关管的导通时间控制,解决了传统恒定导通时间(constant on-time,COT)控制CRM反激PFC变换器功率因数(power factor,PF)低和总谐波畸变(total harmonic distortion,THD)高的问题。分析传统COT控制CRM反激PFC变换器和VOT控制CRM反激PFC变换器的工作原理,实验验证结果表明,VOT控制CRM反激PFC变换器比传统COT控制CRM反激PFC变换器具有更高的PF值和更低的THD。

关键词：临界连续模式反激变换器总谐波畸变功率因数校正变导通时间

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电压型双频率控制开关变换器的动力学建模与多周期行为分析

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物理学报 2013年第21期62卷 417-427页

作者：吴松荣何圣仲许建平周国华王金平磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室西南交通大学电气工程学院成都610031 合肥工业大学电气与自动化工程学院合肥230009

在断续导电模式下,建立了电压型双频率控制开关变换器的动力学模型,并推导了相应的特征值方程.根据动力学模型,采用分岔图研究了电路参数变化时变换器存在的边界碰撞分岔行为和周期2,周期3,周期4等多周期行为,结果表明:变换器经历了周期... 详细信息

在断续导电模式下,建立了电压型双频率控制开关变换器的动力学模型,并推导了相应的特征值方程.根据动力学模型,采用分岔图研究了电路参数变化时变换器存在的边界碰撞分岔行为和周期2,周期3,周期4等多周期行为,结果表明:变换器经历了周期1态、多周期态、周期1态的分岔路由;周期态的转变均是由边界碰撞分岔引起的.根据特征值方程,采用Lyapunov指数研究了变换器的稳定性,结果表明:随着电路参数的变化,Lyapunov指数始终小于零,变换器一直工作于稳定的周期态,验证了电压型双频率控制开关变换器的周期3行为并不意味着变换器会必然发生混沌.通过电路仿真,分析了负载变化时变换器的时域波形、相轨图和频谱图,验证了动力学模型的可行性和理论分析的正确性.实验结果验证了文中的仿真结果.

关键词：开关变换器双频率控制边界碰撞分岔多周期行为

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输出电压纹波控制两开关PCCM Buck-Boost PFC变换器

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电机与控制学报 2013年第7期17卷 113-118页

作者：张斐许建平董政舒立三西南交通大学电气工程学院磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室四川成都610031

研究了两开关伪连续导电模式(pseudo continuous conduction mode,PCCM)Buck-Boost功率因数校正(power factor correction,PFC)变换器的工作原理,为了简化两开关PCCM Buck-BoostPFC变换器的控制器设计,在分析单相PFC变换器输出电压纹波的基础上,提出了输出电压纹波反馈控制算法。该算法采样PFC变换器的输出电压,通过计算得到输出电压纹波值来实时调整电流控制环的补偿系数,无需增加额外的硬件电路,利用数字信号处理器的编程方式即可实现。仿真与实验结果表明,当负载功率发生大范围变化时所设计的系统具有快速动态响应能力。

关键词：快速动态响应功率因数校正伪连续导电模式两开关Buck—Boost变换器

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使用无氟化学法在NiO/NiW上制备超导涂层导体用SmBiO_3缓冲层

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材料导报（纳米与新材料专辑） 2014年第2期28卷 98-101页

作者：张红赵勇蒲明华西南交通大学超导与新能源研究开发中心磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室成都610031 新南威尔士大学材料与科学工程学院

在能源日趋紧缺的形势下,高温超导材料的应用具有可观的前景。经济、高效、节能的REBCO超导涂层导体的制备技术成为其大规模应用的关键,目前,非真空的化学溶液沉积技术是降低涂层导体制备成本的重要途径。于空气条件下制备了NiO薄膜,并... 详细信息

在能源日趋紧缺的形势下,高温超导材料的应用具有可观的前景。经济、高效、节能的REBCO超导涂层导体的制备技术成为其大规模应用的关键,目前,非真空的化学溶液沉积技术是降低涂层导体制备成本的重要途径。于空气条件下制备了NiO薄膜,并在NiO薄膜上使用无氟化学方法制备了SmBiO3薄膜,作为REBCO超导涂层导体的缓冲层。研究了NiO薄膜质量对制备SmBiO3薄膜的影响,旨在为REBa2Cu3O7-δ涂层导体的制备提供一条非真空全化学法的途径。

关键词：涂层导体 NiOS mBiO3缓冲层

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基于T-S模糊神经网络的齿槽效应补偿方法研究

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传感技术学报 2013年第8期26卷 1121-1125页

作者：靖永志肖建磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室成都610031 西南交通大学电气工程学院成都610031

针对齿槽效应带来的齿槽误差问题,提出在传感器探头内布设齿槽位置检测线圈,建立传感器齿槽特性模型和基于T-S模糊神经网络的齿槽补偿系统模型,依据齿槽位置信号对传感器进行齿槽误差补偿。利用附加动量的BP学习方法对网络进行学习和测... 详细信息

针对齿槽效应带来的齿槽误差问题,提出在传感器探头内布设齿槽位置检测线圈,建立传感器齿槽特性模型和基于T-S模糊神经网络的齿槽补偿系统模型,依据齿槽位置信号对传感器进行齿槽误差补偿。利用附加动量的BP学习方法对网络进行学习和测试。仿真结果表明补偿模型的输出不再随齿槽位置波动,最大误差为±0.2 mm,该种方法可以有效地消除齿槽效应并提高传感器的检测精度,满足高速磁浮车悬浮控制系统要求。

关键词：间隙传感器齿槽效应 T-S模型模糊神经网络高速磁浮列车

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不对称半桥副边谐振PWM变换器

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电机与控制学报 2013年第10期17卷 39-45,51页

作者：陈章勇许建平张斐王金平西南交通大学电气工程学院四川成都610031 西南交通大学磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室四川成都610031

针对不对称半桥(asymmetric half bridge,AHB)变换器占空比变化范围宽而带来输出二极管电压应力高、且存在电压增益曲线呈非线性特性的问题,研究了AHB副边谐振(secondary side resonant,SSR)PWM开关变换器。AHB-SSR-PWM变换器原边采用... 详细信息

针对不对称半桥(asymmetric half bridge,AHB)变换器占空比变化范围宽而带来输出二极管电压应力高、且存在电压增益曲线呈非线性特性的问题,研究了AHB副边谐振(secondary side resonant,SSR)PWM开关变换器。AHB-SSR-PWM变换器原边采用不对称脉冲宽度调制,实现了开关管的零电压开通(zero voltage switching,ZVS),且原边开关管的电压应力箝位在输入电压;AHB-SSR-PWM变换器副边用带滤波电感的谐振支路代替传统的半波整流支路,实现了输出二极管的零电流关断(zero current switching,ZCS)。此外,AHB-SSR PWM开关变换器的输出端存在滤波电感,减小了输出电压的纹波。分析结果表明,输出二极管的电压应力几乎与占空比无关;电压增益与隔离Buck类变换器类似,呈现线性增益特性。通过一台200 V输入,24V/2A输出的实验模型验证了理论分析的正确性。

关键词： AHB—SSR—PWM变换器不对称半桥谐振变换器零电压开通零电流关断

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溅射时间对Mo薄膜结晶取向的影响

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功能材料 2013年第6期44卷 888-892页

作者：张艳霞冀亚欣欧玉峰闫勇李莎莎刘连张勇赵勇余洲西南交通大学磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室四川成都610031 新南威尔士大学材料科学与工程学院

采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,并用XRD、SEM、四探针等对薄膜进行表征,研究了沉积时间对薄膜晶体结构、表面形貌以及电学性能的影响。研究发现,沉积时间能够调节Mo薄膜的择优取向。溅射时间较短(5～10min)时,沉积的Mo薄膜呈... 详细信息

采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,并用XRD、SEM、四探针等对薄膜进行表征,研究了沉积时间对薄膜晶体结构、表面形貌以及电学性能的影响。研究发现,沉积时间能够调节Mo薄膜的择优取向。溅射时间较短(5～10min)时,沉积的Mo薄膜呈(110)择优取向。溅射时间超过15min后,薄膜呈现(211)取向,且(211)晶面择优程度随沉积时间的增加而提高。随着择优取向的改变,薄膜的表面形貌由三角形颗粒变为长条形颗粒,电阻率也发生相应变化,由3.92×10-5Ω·cm增加到4.27×10-5Ω·cm再降低,对应薄膜生长的晶带模型由晶带T型组织变为晶带2组织。

关键词：直流磁控溅射择优取向晶带模型电性能

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La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3单晶外延薄膜制备及其磁电阻特性

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西南交通大学学报 2013年第5期48卷 961-967页

作者：张欣羊新胜程翠华张勇吕莉张敏赵勇西南交通大学磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室四川成都610031 西南交通大学超导与新能源研究开发中心四川成都610031 新南威尔士大学材料工程学院

为制得性能良好的涂层导体用La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)缓冲层薄膜、研究LSMO薄膜的低磁场磁电阻效应,利用高分子辅助化学溶液沉积法,在LaAlO3(LAO)单晶基底上制备了一系列钙钛矿LSMO单晶外延薄膜.考虑氩气和氧气退火气氛对LSMO成相的影响,... 详细信息

为制得性能良好的涂层导体用La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)缓冲层薄膜、研究LSMO薄膜的低磁场磁电阻效应,利用高分子辅助化学溶液沉积法,在LaAlO3(LAO)单晶基底上制备了一系列钙钛矿LSMO单晶外延薄膜.考虑氩气和氧气退火气氛对LSMO成相的影响,研究了氩气退火条件下样品的织构、形貌情况和氧气退火条件下制得的样品的输运性质及磁电阻效应.研究结果表明:氩气下采用高分子辅助的化学溶液沉积法有利于制备出低成本、高性能的涂层导体用单一LSMO缓冲层;氧气下退火制得的薄膜c轴取向生长良好,并且电阻-温度曲线出现绝缘体-金属相变,其磁电阻值在200～300 K范围内不随温度变化,在1 T磁场室温下磁电阻值约为-26.0%.

关键词：化学溶液沉积法钙钛矿缓冲层庞磁电阻

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