检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2023年第9期72卷 110-134页

作者：彭若波董国华刘明西安交通大学电子与信息学部电子科学与工程学院电子陶瓷与器件教育部重点实验室西安710049

随着柔性电子的迅猛发展,越来越多的新型智能可穿戴电子设备,逐渐改变人们的生活方式.同时,可穿戴器件小型化、柔性化、集成化、低功耗等需求不断提高,对柔性功能材料的要求越来越高,特别是亟需具有丰富功能特性的氧化物薄膜材料.近年来... 详细信息

随着柔性电子的迅猛发展,越来越多的新型智能可穿戴电子设备,逐渐改变人们的生活方式.同时,可穿戴器件小型化、柔性化、集成化、低功耗等需求不断提高,对柔性功能材料的要求越来越高,特别是亟需具有丰富功能特性的氧化物薄膜材料.近年来,随着薄膜生长与剥离技术的进步,自支撑单晶氧化物薄膜被开发出来.由于其脱离衬底束缚展现出优异柔性特征的同时,保持了丰富的磁、电、光、热、力等功能,在信息存储、智能传感、生物医疗、能源等领域具有广泛的应用前景.本文从自支撑氧化物薄膜的制备技术出发,展开介绍了基于铁电、压电、铁磁、金属-绝缘体转变等物理效应的晶体管存储器、能量收集、纳米发电机、应变传感器、储能器件及超导等方面的应用.

关键词：功能氧化物单晶薄膜自支撑柔性电子器件

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星载微波部件微放电阈值的改进多粒子蒙特卡罗计算方法

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高电压技术 2024年第4期50卷 1752-1759页

作者：张娜曹猛王瑞白春江崔万照中国空间技术研究院西安分院空间微波通信全国重点实验室西安710100 西安交通大学电信学部电子科学与工程学院电子物理与器件教育部重点实验室西安710049

星载微波部件的微放电效应是导致航天器谐振类设备失谐、噪声电平抬高、输出功率下降,甚至影响通信信道乃至整个微波传输系统彻底失效的瓶颈问题之一。在设计阶段对星载微波部件微放电效应进行精准的评估是减少地面反复试验,避免延误研... 详细信息

星载微波部件的微放电效应是导致航天器谐振类设备失谐、噪声电平抬高、输出功率下降,甚至影响通信信道乃至整个微波传输系统彻底失效的瓶颈问题之一。在设计阶段对星载微波部件微放电效应进行精准的评估是减少地面反复试验,避免延误研制周期的重要手段。为了进一步改善现有蒙特卡洛方法的计算准确度问题,文中提出了一种精度更高的计算星载微波部件微放电阈值的蒙特卡罗方法,该方法对参与微放电过程的初始电子进行了动态调整,采用四阶龙格-库塔法推进微波部件中电子的运动轨迹,基于Furman模型描述电子与微波表面相互作用的二次电子发射过程,按照碰撞电子产生的实际二次电子个数及对应能量参与碰撞时刻后的微放电过程,该多粒子-多碰撞过程更加客观、准确地表征了微放电效应发生的物理过程。以平板传输线和同轴传输线为例,文中所提出的方法相对于已有的蒙特卡罗方法计算精度显著提升,同时计算效率优于商用CST的粒子模拟结果。

关键词：微放电二次电子发射蒙特卡罗方法阈值微波部件

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KcsA钾离子通道电学特性的布朗动力学模拟

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物理学报 2023年第15期72卷 271-279页

作者：高明珠刘纯亮王洪广李永东林舒翟永贵西北核技术研究所先进高功率微波技术重点实验室西安710024 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室电子与信息学部电子科学与工程学院西安710049

钾离子通道作为细胞中阳离子浓度的调节器之一,在神经细胞动作电位去极化及复极化过程中起着重要作用.KcsA(K^(+)conduction and selectivity architecture)通道结构简单又具有钾离子通道的共性,常作为钾通道研究的模板.本文采用布朗动... 详细信息

钾离子通道作为细胞中阳离子浓度的调节器之一,在神经细胞动作电位去极化及复极化过程中起着重要作用.KcsA(K^(+)conduction and selectivity architecture)通道结构简单又具有钾离子通道的共性,常作为钾通道研究的模板.本文采用布朗动力学数值方法,系统地对KcsA钾通道的电学特性进行模拟.得到静电场作用下通道内离子的平均势能分布、均匀与非均匀溶液的电流-电压特性曲线、通道轴向的离子浓度分布曲线以及电导-浓度曲线.研究结果发现,KcsA钾离子通道选择性过滤区域几乎完全阻隔了Cl–通过,呈现倾向于K^(+)通过的特异选择特性;其电流-电压曲线基本呈线性分布,电导-浓度曲线呈现先增大后平缓的趋势,基本规律与实验现象一致.另外,还模拟分析了太赫兹场对通道K^(+)电流的影响,相比于仅施加同幅值静电场,选定的0.6 THz,1.2 THz,5 THz的太赫兹场可通过影响离子对之间的相互作用势能,降低通道平均力势,从而增大K^(+)电流.本文的研究不但加深了对于KcsA钾离子通道的规律性认识,还为其他类型离子通道以及太赫兹场对离子通道特性影响的研究提供了新思路.

关键词：布朗动力学 KcsA 钾通道平均力势太赫兹场

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Sm^(3+)掺杂NaYF4和BiPO4单颗粒微米晶体发光偏振特性研究

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激光与光电子学进展 2023年第11期60卷 312-319页

作者：岳新叶洳言郭雅欣李朋李峰西安交通大学电子与信息学部电子科学与工程学院物理电子与器件教育部重点实验室陕西西安710049

本研究利用搭建的高精度单颗粒偏振光谱表征系统,测量了六方相Na YF_(4):Sm^(3+)和单斜相Bi PO4:Sm^(3+)单颗粒微米晶体的偏振发光特性,并结合偏振庞加莱球法和偏振拟合法对偏振发光峰进行了分析。结果表明,两种晶相中的Sm^(3+)离子均... 详细信息

本研究利用搭建的高精度单颗粒偏振光谱表征系统,测量了六方相Na YF_(4):Sm^(3+)和单斜相Bi PO4:Sm^(3+)单颗粒微米晶体的偏振发光特性,并结合偏振庞加莱球法和偏振拟合法对偏振发光峰进行了分析。结果表明,两种晶相中的Sm^(3+)离子均发射部分偏振光,不同的是,六方相发光峰的线偏角精确沿着或垂直于结晶c轴,而单斜相发光的线偏角与结晶c轴存在非平行或正交的夹角。基于局部点群对称性和晶体宏观对称性,揭示了六方相发光峰的正交线偏角起源于光学跃迁偶极子绕结晶c轴的旋转对称分布,而单斜相中偶极子不具备旋转对称性,导致其发光峰的线偏角随机取向。该发现对于利用晶体结构获得具有理想偏振发光特性的稀土单颗粒晶体具有指导意义。

关键词：稀土单颗粒光谱偏振发光晶体结构点群对称性

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储能聚合物复合方式的研究进展

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功能材料 2023年第9期54卷 9070-9079,9099页

作者：任森庞利霞周迪郭艳王晓龙方振袁世豪西安工业大学光电工程学院陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室西安710021 西安交通大学电信学部电子科学与工程学院电子陶瓷与器件教育部重点实验室西安710049

新能源动力、医疗仪器、地下勘探、高功率脉冲等行业的高速发展对介质电容器的要求越来越高。聚合物基薄膜电容器的高功率密度、高击穿场强、高可靠性、低损耗、小体积等优点备受关注。但由于聚合物本身低介电常数的特点导致了其能量密... 详细信息

新能源动力、医疗仪器、地下勘探、高功率脉冲等行业的高速发展对介质电容器的要求越来越高。聚合物基薄膜电容器的高功率密度、高击穿场强、高可靠性、低损耗、小体积等优点备受关注。但由于聚合物本身低介电常数的特点导致了其能量密度较低,限制了其在高端领域的应用。而聚合物通过不同方式与其他有机或无机物的复合都是提升能量密度的有效途径。介绍了聚合物基薄膜电容器与无机物的复合方式研究现状,分析了不同复合方式的优势与不足,并讨论了未来聚合物基薄膜电容器的发展前景。

关键词：聚合物基复合材料无机纳米填料核壳结构共混层状结构击穿电压储能密度

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Hf^(4+)离子掺杂BNT对电卡性能的影响

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压电与声光 2022年第4期44卷 588-592页

作者：石雯静黄韵瑶魏晓勇靳立西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室国际电介质研究中心电子科学与工程学院电信学部陕西西安710049

该文采用传统固相合成法制备了Bi_(0.5)Na_(0.5)Ti_((1-x))Hf_(x)O_(3)(x=0,0.02,0.04和0.06)陶瓷,通过X线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了其相结构、微观表面,并研究了其介电性能、铁电性能及比热容与相变的关系。通过构建电... 详细信息

该文采用传统固相合成法制备了Bi_(0.5)Na_(0.5)Ti_((1-x))Hf_(x)O_(3)(x=0,0.02,0.04和0.06)陶瓷,通过X线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了其相结构、微观表面,并研究了其介电性能、铁电性能及比热容与相变的关系。通过构建电场和温度的条件,共同调控铁电相变。再借助麦克斯韦方程,通过间接法计算,最终在50℃、70 kV/cm的电场下,在Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_(3)-0.04Hf陶瓷中通过诱导畴变得到了0.5 K的负电卡效应。

关键词： BNT基电卡效应无铅钙钛矿铁电陶瓷

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基于超表面的多波束多模态太赫兹涡旋波产生

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物理学报 2021年第18期70卷 353-359页

作者：李国强施宏宇刘康李博林衣建甲张安学徐卓西安交通大学多功能材料和结构教育部重点实验室西安710049 西安交通大学电子与信息学部信息与通信工程学院西安710049 国防科技大学电子科学学院长沙410073 西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室西安710049

太赫兹涡旋波束可以被用于高速通信及高分辨率成像,其产生方式近年来受到了越来越多的关注.本文提出了一种反射型超表面,它可以在太赫兹频段产生四种不同模态的涡旋波束.超表面单元结构基于几何相位原理,由三层结构组成,上下两层为金属... 详细信息

太赫兹涡旋波束可以被用于高速通信及高分辨率成像,其产生方式近年来受到了越来越多的关注.本文提出了一种反射型超表面,它可以在太赫兹频段产生四种不同模态的涡旋波束.超表面单元结构基于几何相位原理,由三层结构组成,上下两层为金属结构,中间层为介质,其上层金属结构由圆环及椭圆贴片构成.利用几何相位对圆极化波的调控作用,可以实现由线极化波到圆极化波的分解,并实现对不同圆极化波的灵活调控.为了同时调控反射波的偏转方向,本文利用平面反射阵列原理来计算每个超表面单元所需的相位补偿.通过相位叠加原理,在不同传播方向的波束中叠加不同模态的轨道角动量,较好地实现了太赫兹频段复杂波束的调控效果.仿真及测试结果表明设计的超表面能够在太赫兹频段产生带有±1和±2模态的4个波束,在无线通信及高分辨率成像等方面有潜在应用价值.

关键词：太赫兹涡旋波束调控超表面

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基于钙钛矿量子点的电致发光二极管研究进展

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科学通报 2021年第17期66卷 2139-2150页

作者：赵晨静于跃代锦飞祖延清吴朝新西安交通大学电子与信息学部电子科学与工程学院陕西省信息光子技术重点实验室电子物理与器件教育部重点实验室西安710049 西安电子科技大学物理与光电工程学院西安710071 西安交通大学理学院西安710049

钙钛矿量子点因其优异的光电特性,在新型显示和固态照明等领域有着广泛的应用潜力.近年来,钙钛矿量子点成为光电领域的研究热点,钙钛矿量子点发光二极管的器件效率也有了突飞猛进的发展.本文综述了基于钙钛矿量子点的电致发光器件研究进... 详细信息

钙钛矿量子点因其优异的光电特性,在新型显示和固态照明等领域有着广泛的应用潜力.近年来,钙钛矿量子点成为光电领域的研究热点,钙钛矿量子点发光二极管的器件效率也有了突飞猛进的发展.本文综述了基于钙钛矿量子点的电致发光器件研究进展,分析了制约钙钛矿量子点电致发光二极管效率的主要因素,并对钙钛矿量子点电致发光器件效率提升的策略进行了讨论.

关键词：钙钛矿量子点电致发光器件性能

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基于反射型超表面的太赫兹偏折涡旋波束生成

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雷达学报（中英文） 2021年第5期10卷 785-793页

作者：施宏宇李国强刘康李博林衣建甲张安学徐卓西安交通大学多功能材料和结构教育部重点实验室西安710049 西安交通大学电信学部信息与通信工程学院西安710049 国防科技大学电子科学学院长沙410073 西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室西安710049

太赫兹涡旋波束可以提高雷达通信系统通信容量及成像系统的分辨率,如何有效地产生这种波束成为近期研究热点之一。为了克服传统方式的缺点,该文设计加工了5个工作在太赫兹频段的反射型超表面,它们可以产生±1、±2和3共5个不同... 详细信息

太赫兹涡旋波束可以提高雷达通信系统通信容量及成像系统的分辨率,如何有效地产生这种波束成为近期研究热点之一。为了克服传统方式的缺点,该文设计加工了5个工作在太赫兹频段的反射型超表面,它们可以产生±1、±2和3共5个不同模态的涡旋波束。为了避免馈源对涡旋波束的遮挡,通过平面反射阵原理控制了波束的偏转方向。超表面单元为3层结构,其中,上层为金属结构,控制上层结构中8个枝节的长度,可以在基本不改变超表面单元反射系数的情况下,调整它的反射相位。中间层为介质层,为了使超表面单元有较高的反射系数,介质层下方为一金属地。超表面单元仿真显示,其同极化反射率在90%以上,相位分布也满足超表面设计需求。超表面的仿真及测试结果表明,在340 GHz附近,不同超表面在设计的方向上产生了对应模态的涡旋波束,并且涡旋波束中的主模态能量占比最高。

关键词：太赫兹涡旋波束超表面波束调控反射阵

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基于表面终端的增强型金刚石场效应晶体管研究现状

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真空电子技术 2024年第5期 29-46,53页

作者：王玮张明辉王艳丰陈根强何适王宏兴西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室陕西西安710049 西安交通大学电子与信息学部电子科学与工程学院宽禁带半导体与量子器件研究所陕西西安710049

金刚石半导体材料具有禁带宽度大、击穿场强高、载流子迁移率高、热导率高、抗辐照、耐腐蚀等优良性能,基于金刚石的场效应管(Field Effect Transistor,FET)在超高频率、超大功率、高温及特殊环境领域具有极为广阔的应用前景。得益于氢... 详细信息

金刚石半导体材料具有禁带宽度大、击穿场强高、载流子迁移率高、热导率高、抗辐照、耐腐蚀等优良性能,基于金刚石的场效应管(Field Effect Transistor,FET)在超高频率、超大功率、高温及特殊环境领域具有极为广阔的应用前景。得益于氢终端金刚石表面的导电特性,近30年来,金刚石FET器件得到了长足的发展。首先概述了氢终端金刚石导电机理,进而回顾了氢终端金刚石FET的发展历程,随后着重讨论了增强型(常关型)器件的研究现状,并归纳阐述了几种实现增强型特性的技术路径,最后对表面终端增强型金刚石FET亟待解决的问题与发展前景进行了总结和展望。

关键词：超宽禁带金刚石氢终端增强型场效应晶体管

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