检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2022年第15期71卷 299-305页

作者：武鹏张涛张进成郝跃西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室西安 710071

氮化镓材料具有大的禁带宽度(3.4 eV)、高的击穿场强(3.3 MV/cm),在高温、高压等方面有良好的应用前景.尤其是对于铝镓氮/氮化镓异质结构材料而言,由极化效应产生的高面密度和高迁移率二维电子气在降低器件导通电阻、提高器件工作效率... 详细信息

氮化镓材料具有大的禁带宽度(3.4 eV)、高的击穿场强(3.3 MV/cm),在高温、高压等方面有良好的应用前景.尤其是对于铝镓氮/氮化镓异质结构材料而言,由极化效应产生的高面密度和高迁移率二维电子气在降低器件导通电阻、提高器件工作效率方面具有极大的优势.由于缺乏高质量、大尺寸的氮化镓单晶衬底,常规氮化镓材料均是在蓝宝石、硅和碳化硅等异质衬底上外延而成.较大的晶格失配和热失配导致异质外延过程中产生密度高达107—1010 cm–2的穿透位错,使器件性能难以进一步提升.本文采用基于自支撑氮化镓衬底的铝镓氮/氮化镓异质结构材料制备凹槽阳极结构肖特基势垒二极管,通过对欧姆接触区域铝镓氮势垒层刻蚀深度的精确控制,依托单步自对准凹槽欧姆接触技术解决了低位错密度自支撑氮化镓材料的低阻欧姆接触技术难题,实现了接触电阻仅为0.37 W·mm的低阻欧姆接触;通过采用慢速低损伤刻蚀技术制备阳极凹槽区域,使器件阳极金属与氮化镓导电沟道直接接触,实现了高达3×107开关比的高性能器件,且器件开启电压仅为0.67 V,425 K高温下,器件反向漏电仅为1.6×10–7 A/mm.实验结果表明,基于自支撑氮化镓衬底的凹槽阳极结构铝镓氮/氮化镓肖特基势垒二极管可以有效抑制器件反向漏电,极大地提升器件电学性能.

关键词：自支撑氮化镓衬底肖特基势垒二极管低反向漏电铝镓氮/氮化镓

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

各Li吸附组分下硅烯氢存储性能的第一性原理研究

引用

物理学报 2018年第10期67卷 171-178页

作者：盛喆戴显英苗东铭吴淑静赵天龙郝跃西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国家重点学科实验室西安710071

利用Li原子对硅烯进行表面修饰是提高硅烯氢存储能力的一种有效方法.为了充分挖掘Li修饰硅烯的氢存储性能,本文采用范德瓦耳斯作用修正的第一性原理计算方法,对不同Li吸附组分下硅烯的结构、稳定性和氢存储能力进行了研究.研究结果表明... 详细信息

利用Li原子对硅烯进行表面修饰是提高硅烯氢存储能力的一种有效方法.为了充分挖掘Li修饰硅烯的氢存储性能,本文采用范德瓦耳斯作用修正的第一性原理计算方法,对不同Li吸附组分下硅烯的结构、稳定性和氢存储能力进行了研究.研究结果表明,硅烯体系能够在Li组分从0.11增加到0.50时保持稳定,其最大储氢量随Li组分的增加而增大,氢气平均吸附能则存在减小趋势;当Li组分达到0.50而饱和时,硅烯体系具有最大的储氢量,相应的质量储氢密度为11.46 wt%,平均吸附能为0.34 eV/H2,远高于美国能源部设定的储氢标准,表明提高Li组分甚至使其达到饱和在理论上能有效提高Li修饰硅烯的储氢性能.此外,通过对Mulliken电荷布居、差分电荷密度和态密度的分析,发现Li修饰硅烯的储氢机制与电荷转移诱导的静电相互作用和轨道杂化作用有关.研究结果可为Li修饰硅烯在未来氢存储领域的应用提供理论指导.

关键词： Li修饰硅烯氢存储吸附组分第一性原理

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于锡组分和双轴张应力调控的临界带隙应变Ge1-xSnx能带特性与迁移率计算

引用

物理学报 2018年第2期67卷 211-223页

作者：底琳佳戴显英宋建军苗东铭赵天龙吴淑静郝跃西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国家重点学科实验室西安710071

能带工程通过改变材料的能带结构可以显著提升其电学和光学性质,已广泛应用于半导体材料的改性研究.双轴张应力和Sn组分共同作用下的Ge_(1-x)Sn_x合金,不仅可以解决直接带隙转变所需高Sn组分带来的工艺难题,而且载流子迁移率会显著提升... 详细信息

能带工程通过改变材料的能带结构可以显著提升其电学和光学性质,已广泛应用于半导体材料的改性研究.双轴张应力和Sn组分共同作用下的Ge_(1-x)Sn_x合金,不仅可以解决直接带隙转变所需高Sn组分带来的工艺难题,而且载流子迁移率会显著提升,在单片光电集成领域有很好的应用前景.根据形变势理论,分析了(001)面双轴张应变Ge_(1-x)Sn_x的带隙转变条件,并给出了在带隙转变临界点Sn组分和双轴张应力的关系;采用8κ·p方法,得到了临界带隙双轴张应变Ge_(1-x)Sn_x在布里渊区中心点附近的能带结构,进而计算得到电子与空穴有效质量;基于载流子散射模型,计算了电子与空穴迁移率.计算结果表明:较低Sn组分和双轴张应力的组合即可得到直接带隙Ge_(1-x)Sn_x合金,且直接带隙宽度随着应力的增大而减小;临界带隙双轴张应变Ge_(1-x)Sn_x具有极高的电子迁移率,空穴迁移率在较小应力作用下即可显著提升.考虑工艺实现难度和材料性能两个方面,可以选择4%Sn组分与1.2 GPa双轴张应力或3%Sn组分与1.5 GPa双轴张应力的组合用于高速器件和光电器件的设计.

关键词：双轴张应变Ge1-xSnx k·p方法能带结构迁移率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种双采样1.2V 7位125MS/s流水线ADC的设计

引用

西安电子科技大学学报 2016年第4期43卷 23-28页

作者：王晓飞郝跃西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点学科实验室陕西西安710071

为了满足片上系统对模数转换器的低功耗和高性能的要求,设计并实现了一种1.2V7位125MS/s双采样流水线模数转换器.该模数转换器采用了一种新的运算放大器共享技术以及相应的时序关系,从而消除了采样时序失配问题,并减小了整个模数转换器... 详细信息

为了满足片上系统对模数转换器的低功耗和高性能的要求,设计并实现了一种1.2V7位125MS/s双采样流水线模数转换器.该模数转换器采用了一种新的运算放大器共享技术以及相应的时序关系,从而消除了采样时序失配问题,并减小了整个模数转换器的功耗和面积.该模数转换器采用0.13μm CMOS工艺实现,测试结果表明,该模数转换器的最大信噪失真比为43.38dB,有效位数为6.8位.在电源电压为1.2V、采样速率为125MS/s时,该模数转换器的功耗仅为10.8mW.

关键词：双采样运放共享时间交织流水线型模数转换器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

多上下文MQ编码器优化与VLSI实现

引用

电子学报 2013年第5期41卷 918-925页

作者：邸志雄史江义刘凯李云松马佩军郝跃西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室陕西西安710071 西安电子科技大学ISN重点实验室陕西西安710071

MQ(Multiple Quantization)编码器由于效率低下已经成为JPEG2000的性能瓶颈.本文对MQ编码算法中的上下文关系进行了提取,对索引表中的启动态和非暂态进行了分离,并提出一种用于预测索引值的方法.同时,对重归一化运算中出现的大概率事件... 详细信息

MQ(Multiple Quantization)编码器由于效率低下已经成为JPEG2000的性能瓶颈.本文对MQ编码算法中的上下文关系进行了提取,对索引表中的启动态和非暂态进行了分离,并提出一种用于预测索引值的方法.同时,对重归一化运算中出现的大概率事件和小概率事件进行分离,使其可并行对2个上下文完成编码.依据该算法,本文提出了一种多上下文并行处理的MQ编码器VLSI结构.实验结果表明,本文提出的MQ编码器能够工作在286.80MHz,吞吐量为573.60 Msymbols/sec,相比Dyer提出的Brute Force with Modified Byteout结构,本文的吞吐量提升约35%,且面积减小78%.

关键词： MQ编码器 JPEG2000 并行

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

应变锗的导带结构计算与分析

引用

西安电子科技大学学报 2014年第2期41卷 120-124,171页

作者：戴显英李金龙郝跃西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071 西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点学科实验室陕西西安710071

应用胡克定律,建立了单、双轴张应力作用下应变锗在任意面内沿、和方向的应变张量模型.根据线性形变势能理论,计算了单轴应力沿、和方向作用下以及双轴应力在不同晶面内的应变锗导带各个能谷的谷底能级的变化情况.计算结果显示,在方向... 详细信息

应用胡克定律,建立了单、双轴张应力作用下应变锗在任意面内沿<001>、<110>和<111>方向的应变张量模型.根据线性形变势能理论,计算了单轴应力沿<001>、<110>和<111>方向作用下以及双轴应力在不同晶面内的应变锗导带各个能谷的谷底能级的变化情况.计算结果显示,在<001>方向的单轴应力作用下,Δ能谷带边能级分裂,且在压应力为1.8GPa时,Δ能谷的谷底能级变为最低能级.在<110>方向的单轴应力作用下,Δ能谷和L能谷带边能级分裂.在<111>方向的单轴应力作用下,L能谷带边能级分裂.并且随着应力的增加,所有能谷最低能级下降.而在双轴张应力作用下,当面内应变张量达到1.8%时,(001)面应变锗的Γ能谷最低,能级比Δ能谷最低能级还要低.这表明,应变锗由间接带隙半导体变为直接带隙半导体.所得到的结果可为应变锗半导体器件和光电器件的设计提供参考.

关键词：应变锗导带能级结构单轴与双轴应变张量

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

单轴应变锗带隙特性和电子有效质量计算

引用

西安电子科技大学学报 2018年第3期45卷 24-29页

作者：底琳佳戴显英苗东铭吴淑静郝跃西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071 西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点学科实验室陕西西安710071

应变工程在提升Ge器件性能方面起着重要作用,而能带结构是研究应变Ge电学、光学性质的理论基础.文中通过对角化一个包含自旋轨道相互作用和应变效应的30 k·p哈密顿矩阵,得到了单轴应变锗在整个布里渊区内的能带结构.根据能带色散关... 详细信息

应变工程在提升Ge器件性能方面起着重要作用,而能带结构是研究应变Ge电学、光学性质的理论基础.文中通过对角化一个包含自旋轨道相互作用和应变效应的30 k·p哈密顿矩阵,得到了单轴应变锗在整个布里渊区内的能带结构.根据能带色散关系,研究了单轴应变锗导带能谷分裂与偏移、纵向和横向电子有效质量、电子态密度有效质量等随应力的变化情况.计算结果表明:在[001]、[111]方向单轴张应力作用下,锗由间接带隙转变成直接带隙;导带L和Δ能谷纵向、横向电子有效质量并不明显依赖于单轴应力,但沿[111]和[001]方向的单轴压应力可分别使L和Δ能谷态密度有效质量最小,这有利于减小电子散射几率,提升迁移率.

关键词： 30k·p方法单轴应变锗能带结构电子有效质量

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

绝缘层上单轴应变硅的应力计算与分析

引用

西安电子科技大学学报 2018年第1期45卷 162-167页

作者：苗东铭戴显英吴淑静赵天龙邵晨峰郝跃西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071 西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点学科实验室陕西西安710071

为了研究晶圆级绝缘体上单轴应变硅的应力分布与应力变化趋势,首先利用绝缘体上硅晶圆在机械弯曲状态下退火的工艺,成功制作了绝缘层上单轴应变硅晶圆,其优点是工艺简单、成本低、应变量高.应用ANSYS仿真软件,重点对不同弯曲半径、不同... 详细信息

为了研究晶圆级绝缘体上单轴应变硅的应力分布与应力变化趋势,首先利用绝缘体上硅晶圆在机械弯曲状态下退火的工艺,成功制作了绝缘层上单轴应变硅晶圆,其优点是工艺简单、成本低、应变量高.应用ANSYS仿真软件,重点对不同弯曲半径、不同晶向的机械致绝缘层上单轴应变硅晶圆的应力情况进行了模拟计算.模拟结果表明,应力随弯曲半径的减小而显著增加,且沿弯曲方向的应力最大,适于作为应变互补金属氧化半导体器件的沟道方向,但应力分布的均匀性会随弯曲半径的减小而略有下降.最后利用光纤光栅法对制备的绝缘层上单轴应变硅晶圆的应力分布进行了测量,其结果与ANSYS模拟结果吻合,证明了ANSYS模拟分析的准确性.

关键词：机械弯曲退火晶圆级单轴应变绝缘体上硅应力分布有限元分析

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触（英文）

引用

红外与毫米波学报 2018年第6期37卷 679-682,687页

作者：张静吕红亮倪海桥牛智川张义门张玉明西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室陕西西安710071 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室北京100083

为了得到较低的接触电阻,研究了帽层未掺杂的InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触.利用传输线模型(TLM)测量了接触电阻Rc.在最佳的快速热退火条件为275℃和20s时,InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au接触电阻值为0.128Ω·***观... 详细信息

为了得到较低的接触电阻,研究了帽层未掺杂的InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触.利用传输线模型(TLM)测量了接触电阻Rc.在最佳的快速热退火条件为275℃和20s时,InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au接触电阻值为0.128Ω·***观察发现经过快速热退火后Pd已经扩散到半导体中有利于高质量欧姆接触的形成.研究表明经过Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触后Rc有明显减小,适用于InAs/AlSb异质结的应用.

关键词：欧姆接触快速热退火 InAs/AlSb异质结

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

氮化物半导体电子器件新进展

引用

科学通报 2015年第10期60卷 874-881页

作者：郝跃张金风张进成马晓华郑雪峰西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国家重点学科实验室西安710071

氮化物宽禁带半导体是实现大功率、高频率、高电压、高温和耐辐射电子器件的一类理想材料.基于氮化镓(GaN)异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)是氮化物电子器件的主流结构,该结构利用高电导率二维电子气实现强大的电流驱动,同时保持了氮... 详细信息

氮化物宽禁带半导体是实现大功率、高频率、高电压、高温和耐辐射电子器件的一类理想材料.基于氮化镓(GaN)异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)是氮化物电子器件的主流结构,该结构利用高电导率二维电子气实现强大的电流驱动,同时保持了氮化物材料的高耐压能力.近年来,GaN HEMT器件主要在微波功率和电力电子2个领域得到了快速发展.本文评述了GaN微波毫米波功率器件和高效电力电子器件的若干研究进展,并提出了氮化物电子器件仍存在的问题及解决方向.

关键词：氮化物半导体材料微波功率器件电力电子器件

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：