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  • 26 篇 期刊文献
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  • 28 篇 电子文献
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    • 1 篇 机械工程
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    • 1 篇 动力工程及工程热...
    • 1 篇 电气工程
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    • 1 篇 管理科学与工程(可...
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主题

  • 3 篇 扩频通信
  • 2 篇 algan/gan
  • 2 篇 氧化镓
  • 2 篇 电磁脉冲
  • 1 篇 器件仿真
  • 1 篇 频繁子电路
  • 1 篇 redundancy logic
  • 1 篇 逻辑单元
  • 1 篇 扩散
  • 1 篇 石墨烯
  • 1 篇 吸波材料
  • 1 篇 gaas赝配高电子迁...
  • 1 篇 循环移位
  • 1 篇 同步
  • 1 篇 高电子迁移率晶体...
  • 1 篇 规则性系数
  • 1 篇 欧姆接触
  • 1 篇 规律性提取
  • 1 篇 specific on-resi...
  • 1 篇 肖特基二极管

机构

  • 28 篇 西安电子科技大学
  • 2 篇 工业和信息化部电...
  • 2 篇 中北大学
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  • 2 篇 模拟集成电路国家...
  • 2 篇 湘潭大学
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  • 1 篇 中国科学院微电子...
  • 1 篇 国防科技大学
  • 1 篇 中国电子科技集团...
  • 1 篇 山东大学
  • 1 篇 电子科技大学
  • 1 篇 鲁东大学
  • 1 篇 宽禁带半导体材料...
  • 1 篇 西北核技术研究院

作者

  • 7 篇 郝跃
  • 6 篇 hao yue
  • 4 篇 liu hongxia
  • 4 篇 杨银堂
  • 4 篇 庄奕琪
  • 4 篇 刘红侠
  • 3 篇 曾志斌
  • 3 篇 zhuang yi-qi
  • 3 篇 yang yintang
  • 3 篇 向新
  • 2 篇 zhou qingjun
  • 2 篇 hao rui-jing
  • 2 篇 董世剑
  • 2 篇 钟向丽
  • 2 篇 袁博
  • 2 篇 卫晓黑
  • 2 篇 jia renxu
  • 2 篇 guo hong-xia
  • 2 篇 zhong xiang-li
  • 2 篇 欧阳晓平

语言

  • 28 篇 中文
检索条件"机构=西安电子科技大学宽带隙半导体材料与器件国家重点实验室"
28 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
化学气相沉积法生长石墨烯的研究
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人工晶体学报 2014年 第7期43卷 1620-1625页
作者: 史永贵 王东 张进成 张鹏 史学芳 郝跃 西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体材料与器件国家重点实验室 西安710071
以甲烷为碳源,原铜箔和用过硫酸铵清洗过的铜箔为衬底,对比研究了铜的表面结构、生长温度及冷却速率对石墨烯CVD法生长的影响。研究发现经过处理的铜箔表面粗糙度小,显微结构精细,化学活性高,更有利于石墨烯的快速形核与生长。而原铜箔... 详细信息
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SRAM的高成品率优化设计技术
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固体电子学研究与进展 2008年 第3期28卷 449-454页
作者: 周清军 刘红侠 吴笑峰 陈炽 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室 西安710071
提出了一种嵌入式SRAM的高成品率优化方法:通过增加冗余逻辑和电熔丝盒来代替SRAM中的错误单元。利用二项分布计算最大概率缺陷字数,从而求出最佳冗余逻辑。将优化的SR SRAM64 K×32应用到SoC中,并对SR SRAM64K×32的测试方法... 详细信息
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外界条件在电磁脉冲对GaAs赝高电子迁移率晶体管损伤过程中的影响
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物理学报 2017年 第7期66卷 389-395页
作者: 席晓文 柴常春 刘阳 杨银堂 樊庆扬 西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室 西安710071
结合器件仿真软件Sentaurus TCAD,建立了GaAs赝高电子迁移率晶体管器件的电磁脉冲损伤模型.基于此模型,从信号参数和外接电阻两个方面出发讨论了外界条件对器件电磁脉冲损伤效应的影响.结果表明,信号参数的改变能够显著影响器件的损伤时... 详细信息
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定点小数乘法器的低功耗算法与实现技术
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中南大学学报(自然科学版) 2014年 第1期45卷 132-141页
作者: 袁博 刘红侠 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室 陕西西安710071
针对集成电路前端设计中的定点小数乘法器,提出一种既能够优化其内部加法器数量又能优化各级加法结果位宽的低功耗算法,而且在算法的实现技术上,解决目前低功耗设计中算法自身逻辑单元引入被优化系统从而降低系统优化效果的问题。在介... 详细信息
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一种改进的M元扩频通信算法
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上海交通大学学报 2010年 第7期44卷 1010-1013,1018页
作者: 曾志斌 庄奕琪 向新 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 西安电子科技大学ISN国家重点实验室 西安710071
针对采用码相位循环移位获得的M元扩频需要额外同步信息的问题,提出一种改进型扩频通信算法.该算法采用m序列及其倒序序列构成系统扩频码集;在同相支路上利用扩频码的码极性调制进行传输,同时在正交支路利用扩频码码相位调制,实现M元扩... 详细信息
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小数乘法器的低功耗设计与实现
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数据采集与处理 2013年 第3期28卷 376-381页
作者: 袁博 刘红侠 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室 西安710071
提出一种针对小数乘法器的低功耗设计算法,其优化指标为综合后小数乘法器内部寄存中间运算结果的寄存器位宽,解决了目前低功耗设计中算法自身逻辑单元被引入系统从而降低系统优化效果的问题。该算法能够在不降低系统工作效率、不损失系... 详细信息
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一种数字集成电路链状频繁子电路提取算法(英文)
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计算物理 2011年 第1期28卷 138-144页
作者: 潘伟涛 谢元斌 郝跃 西安电子科技大学ISN国家重点实验室 陕西西安710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 陕西西安710071
基于数据挖掘思想,提出一种链状结构模板的规律性提取算法,解决集成电路规律性提取算法复杂度过高的问题.通过对边权值进行编码,将复杂子电路的同构搜索转化为边权值序列的匹配问题.模板扩展过程利用剪枝策略删除非频繁子电路,提高了规... 详细信息
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基于正交信道的双CPSK扩频通信系统
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四川大学学报(工程科学版) 2009年 第5期41卷 206-210页
作者: 曾志斌 庄奕琪 向新 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室 陕西西安710071 西安电子科技大学ISN国家重点实验室 陕西西安710071
针对常规扩频通信系统PN码资源受限的局限性,给出一种基于特定相位的同步码实现系统同步的双CPSK扩频传输方案。该方案采用正交两路CPSK扩频传递信息,采用的扩频码是由一条扩频码进行循环移位而获得的子码集合构成,同步由两路相同的扩... 详细信息
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Optimization and Application of SRAM in 90nm CMOS Technology
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Journal of Semiconductors 2008年 第5期29卷 883-888页
作者: 周清军 刘红侠 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室 西安710071
This paper presents an optimized SRAM that is repairable and dissipates less power. To improve the yield of SRAMs per wafer,redundancy logic and an E-FUSE box are added to the SRAM and an SR SRAM is set up. In order t... 详细信息
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面向移动图形顶点处理器的高性能低功耗定点特殊函数运算单元设计
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电子与信息学报 2011年 第11期33卷 2764-2770页
作者: 焦继业 穆荣 郝跃 刘有耀 西安电子科技大学宽带隙半导体材料与器件国家重点实验室 西安710071 西安科技大学网络中心 西安710054 西安邮电学院专用集成电路设计中心 西安710061
该文提出了一种应用于移动顶点处理器的高性能低功耗定点特殊函数运算单元电路。该运算单元支持嵌入式图形标准OpenGL ES 1.X的定点数据格式,并支持小数点后16位精度的倒数、均方根、倒数均方根、对数和指数等初等函数运算。初等函数采... 详细信息
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