检索结果-内蒙古大学图书馆

中国科学：信息科学 2012年第6期42卷 770-777页

作者：段宝兴杨银堂西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

本文首先从器件有源区耗尽过程分析表明AlGaN/GaN HEMTs器件具有与传统Si功率器件不同的耗尽过程,针对AlGaN/GaN HEMTs器件特殊的耐压机理,提出了一种降低表面电场,提高击穿电压的新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs结构.新结构通过在极化的Al... 详细信息

本文首先从器件有源区耗尽过程分析表明AlGaN/GaN HEMTs器件具有与传统Si功率器件不同的耗尽过程,针对AlGaN/GaN HEMTs器件特殊的耐压机理,提出了一种降低表面电场,提高击穿电压的新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs结构.新结构通过在极化的AlGaN层中引入分区负电荷,辅助耗尽二维电子气,有效降低了引起器件击穿的栅极边缘高电场,并首次在漏极附近引入正电荷使漏端高电场峰降低.利用仿真软件ISE分析验证了AlGaN/GaN HEMTs器件具有的"虚栅"效应,通过电场和击穿特性分析获得,新结构使器件击穿电压从传统结构的257V提高到550V.

关键词： AlGaN/GaN HEMTs 击穿电压电场 RESURF 二维电子气

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一种3．1-10．6GHz超宽带低噪声放大器设计

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微波学报 2012年第1期28卷 49-52,61页

作者：张滨杨银堂李跃进西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

设计了一种基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,用于3.1～10.6GHz带宽的CMOS低噪声放大器。输入级采用共栅极结构,在宽频带内能较好地完成输入匹配。放大级采用共源共栅结构,为整个电路提供合适的增益。输出则采用源极输出器来进行输出匹配。使... 详细信息

设计了一种基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,用于3.1～10.6GHz带宽的CMOS低噪声放大器。输入级采用共栅极结构,在宽频带内能较好地完成输入匹配。放大级采用共源共栅结构,为整个电路提供合适的增益。输出则采用源极输出器来进行输出匹配。使用ADS2006软件进行设计、优化和仿真。仿真结果显示,在3.1GHz～10.6GHz带宽内,放大器的电源电压在1.2V时,噪声系数低于2.5dB,增益为20.5dB,整个电路功耗为8mW。

关键词：低噪声放大器超宽带增益噪声系数共源共栅

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SiGe HBT超宽带低噪声放大器设计

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微波学报 2012年第4期28卷 76-80页

作者：张滨杨银堂李跃进西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

采用ADS软件设计并仿真了一种应用于UWB标准的低噪声放大器。该低噪声放大器基于JAZZ 0.35μmSiGe工艺,工作带宽为3.1～10.6GHz。电路的输入极采用共发射极结构,利用反馈电感来进行输入匹配,第二级采用达林顿结构对信号提供合适的增益... 详细信息

采用ADS软件设计并仿真了一种应用于UWB标准的低噪声放大器。该低噪声放大器基于JAZZ 0.35μmSiGe工艺,工作带宽为3.1～10.6GHz。电路的输入极采用共发射极结构,利用反馈电感来进行输入匹配,第二级采用达林顿结构对信号提供合适的增益。使用ADS2006软件进行设计、优化和仿真。仿真结果显示,在3.1～10.6GHz带宽内,放大器的电源电压在3.3V时,噪声系数低于2.5dB,增益大于24dB,功耗为28mV,输出三阶交调为17dBm。

关键词：锗硅异质结晶体管低噪声放大器增益噪声系数

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高k栅栈MOSFET共振隧穿模型

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中国科学：物理学、力学、天文学 2012年第10期42卷 1040-1047页

作者：刘宇安庄奕琪杜磊李聪陈华曲成立西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 西安电子科技大学技术物理学院西安710071

针对高介电常数(k)栅堆栈金属氧化物场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)实际结构,建立了入射电子与界面缺陷共振高k栅栈结构共振隧穿模型.通过薛定谔方程和泊松方程求SiO2和高k界面束缚态波函数,... 详细信息

针对高介电常数(k)栅堆栈金属氧化物场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)实际结构,建立了入射电子与界面缺陷共振高k栅栈结构共振隧穿模型.通过薛定谔方程和泊松方程求SiO2和高k界面束缚态波函数,利用横向共振法到共振本征态,采用量子力转移矩阵法求共振隧穿系数,模拟到栅隧穿电流密度与文献中实验结果一致.讨论了高k栅几种介质材料和栅电极材料及其界面层(IL)厚度、高k层(HK)厚度对共振隧穿系数影响.结果表明,随着HfO2和Al2O3厚度减小,栅栈结构共振隧穿系数减小,共振峰减少.随着La2O3厚度减小,共振峰减少,共振隧穿系数却增大.随着SiO2厚度增大,HfO2,Al2O3和La2O3基栅栈结构共振隧穿系数都减小,共振峰都减少.TiN栅电极HfO2,Al2O3和La2O3基栅栈比相应多晶硅栅电极栅栈结构共振隧穿系数小很多,共振峰少.

关键词：高k堆栈栅 MOSFET 共振隧穿

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新型Si_3N_4层部分固定正电荷AlGaN/GaNHEMTs器件耐压分析

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物理学报 2012年第24期61卷 464-469页

作者：段宝兴杨银堂 Kevin J.Chen 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 Department of Electronic and Computer Engineering Hong Kong University of Science and TechnologyClear Water BayHong KongChina

为了优化传统AlGaN/GaN high electron mobility transistors结构表面电场分布,提高器件击穿电压和可靠性,本文利用不影响AlGaN/GaN异质结极化效应的Si3N4钝化层电荷分布,提出了一种Si3N4钝化层部分固定正电荷AlGaN/GaN high electron m... 详细信息

为了优化传统AlGaN/GaN high electron mobility transistors结构表面电场分布,提高器件击穿电压和可靠性,本文利用不影响AlGaN/GaN异质结极化效应的Si3N4钝化层电荷分布,提出了一种Si3N4钝化层部分固定正电荷AlGaN/GaN high electron mobility transistors新结构.Si3N4钝化层中部分固定正电荷通过电场调制效应使表面电场分布中产生新的电场峰而趋于均匀.新电场峰使得新结构栅边缘和漏端高电场有效降低,器件击穿电压从传统结构的296V提高到新结构的650V,而且可靠性改善.通过Si3N4与AlGaN界面横、纵向电场分布,说明了产生表面电场峰的电场调制效应,为设计Si3N4层部分固定正电荷新结构提供了科学依据.Si3N4钝化层部分固定正电荷的补偿作用,使沟道二维电子气浓度增加,导通电阻减小,输出电流提高.

关键词： AlGaN GaN high electron mobility transistors 固定电荷电场调制

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反位缺陷对碳化硅纳米管电子结构和光学性质影响研究

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物理学报 2012年第23期61卷 446-451页

作者：宋久旭杨银堂郭立新王平张志勇西安电子科技大学理学院西安710071 西安石油大学电子工程学院西安710065 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院西安710071 西北大学信息科学与技术学院西安710127

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算对含有反位缺陷(5,5)单壁碳化硅纳米管的电子结构和光学性质进行了研究.纳米管进行结构优化的结果显示,C_(Si)缺陷在纳米管表面形成了凹陷,Si_C缺陷形成了凸起;反位缺陷在纳米管的导带底附近形成... 详细信息

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算对含有反位缺陷(5,5)单壁碳化硅纳米管的电子结构和光学性质进行了研究.纳米管进行结构优化的结果显示,C_(Si)缺陷在纳米管表面形成了凹陷,Si_C缺陷形成了凸起;反位缺陷在纳米管的导带底附近形成了缺陷能级,使纳米管表现出n型导电的特点,由价带顶到缺陷能级的跃迁,在垂直和平行于纳米管管轴方向上形成了新的介电峰.

关键词：碳化硅纳米管反位缺陷电子结构光学性质

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(001)面任意方向单轴应变硅材料能带结构

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物理学报 2011年第2期60卷 552-557页

作者：马建立张鹤鸣宋建军王冠宇王晓艳西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

首先计算了(001)晶面单轴应变张量,在此基础上采用结合形变势理论的K·P微扰法建立了在(001)晶面内受任意方向的单轴压/张应力作用时,应变硅材料的能带结构与应力(类型、大小)及晶向的关系模型,进而分析了不同单轴应力(类型、大小)... 详细信息

首先计算了(001)晶面单轴应变张量,在此基础上采用结合形变势理论的K·P微扰法建立了在(001)晶面内受任意方向的单轴压/张应力作用时,应变硅材料的能带结构与应力(类型、大小)及晶向的关系模型,进而分析了不同单轴应力(类型、大小)及晶向对应变硅材料导带带边、价带带边、导带分裂能、价带分裂能、禁带宽度的影响.研究结果可为单轴应变硅器件应力及晶向的选择设计提供理论依据.

关键词：单轴应变硅 K·P法能带结构

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应变Si全耗尽SOI MOSFET二维亚阈电流模型

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物理学报 2011年第5期60卷 784-788页

作者：秦珊珊张鹤鸣胡辉勇屈江涛王冠宇肖庆舒钰西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

本文通过求解二维泊松方程,为应变Si全耗SOI MOSFET建立了全耗尽条件下表面势模型,利用传统的漂移-扩散理论.在表面势模型的基础上,得到了应变Si全耗SOI MOSFET的亚阈电流模型,并通过与二维器件数值模拟工具ISE的结果做比较,证明了所建... 详细信息

本文通过求解二维泊松方程,为应变Si全耗SOI MOSFET建立了全耗尽条件下表面势模型,利用传统的漂移-扩散理论.在表面势模型的基础上,得到了应变Si全耗SOI MOSFET的亚阈电流模型,并通过与二维器件数值模拟工具ISE的结果做比较,证明了所建立的模型的正确性.根据所建立的模型,分析了亚阈电流跟应变Si应变度的大小,应变Si膜的厚度和掺杂浓度的关系,为应变Si全耗SOIMOSFET物理参数设计提供了重要参考.

关键词：应变硅 FD-SOI MOSFET 表面势亚阈电流

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锗硅/硅异质结材料的化学气相淀积生长动力学模型

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物理学报 2011年第6期60卷 440-446页

作者：戴显英金国强董洁琼王船宝赵娴楚亚萍奚鹏程邓文洪张鹤鸣郝跃西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

基于化学气相淀积(CVD)的Grove理论和Fick第一定律,提出并建立了锗硅(SiGe)/硅(Si)异质结材料减压化学气相淀积(RPCVD)生长动力学模型.与以前锗硅/硅异质结材料生长动力学模型仅考虑表面反应控制不同,本模型同时考虑了表面反应和气相传... 详细信息

基于化学气相淀积(CVD)的Grove理论和Fick第一定律,提出并建立了锗硅(SiGe)/硅(Si)异质结材料减压化学气相淀积(RPCVD)生长动力学模型.与以前锗硅/硅异质结材料生长动力学模型仅考虑表面反应控制不同,本模型同时考虑了表面反应和气相传输两种控制机理,并给出了两种控制机理极限情况下的模型.本模型不仅适用于低温锗硅/硅应变异质结材料生长的表征,也适用于表征高温锗硅/硅弛豫异质结材料生长的表征.将模型计算值与实验结果进行了对比,无论是625℃低温下的应变SiGe的生长,还是900℃高温下的弛豫SiGe的生长,其模型误差均小于10%.

关键词： SiGe/Si异质结材料化学气相淀积生长动力学模型 Grove理论 Fick第一定律

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一种低功耗抗串扰的自适应时空总线编码方法

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电子与信息学报 2011年第4期33卷 945-950页

作者：刘毅钟广德杨银堂西安电子科技大学微电子学院西安710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

深亚微米片上总线的功耗、布线面积约束和线间串扰是限制总线数据吞吐率的关键因素,为此该文提出一种自适应时空编码方法以降低总线的串扰延迟和功耗。该方法首先采用空间编码将总线分割为两个子总线,从而减小了恶性串扰发生几率;然后... 详细信息

深亚微米片上总线的功耗、布线面积约束和线间串扰是限制总线数据吞吐率的关键因素,为此该文提出一种自适应时空编码方法以降低总线的串扰延迟和功耗。该方法首先采用空间编码将总线分割为两个子总线,从而减小了恶性串扰发生几率;然后通过恶性串扰判决器分别判断子总线的原码数据及反码数据是否存在恶性串扰：对于任意子总线的原码数据与反码数据均存在恶性串扰的情况,传送屏蔽字;否则,选取无恶性串扰且动态功耗小的总线数据形式并传送。采用SPEC标准数据源对算法进行了评估,该方法在消除恶性串扰的同时使总线数据吞吐率提高了62.59%~81.62%,功耗比同类方法降低14.63%~54.67%,对于32位数据总线,仅需7根冗余线,在动态功耗、布线资源和性能方面获得了有效的优化。

关键词：总线编码时空编码串扰延迟吞吐率低功耗

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