检索结果-内蒙古大学图书馆

计算机辅助设计与图形学学报 2010年第2期22卷 226-233页

作者：潘伟涛郝跃谢元斌史江一西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

针对数字IC规律性提取算法复杂度过高的问题,提出一种逐级对根节点进行分类的算法.通过对频繁边的直接扩展,实现了小规模频繁子电路的快速提取;利用门级电路中小规模频繁子电路与大规模频繁子电路间的结构依赖性,解决了候选子电路生成... 详细信息

针对数字IC规律性提取算法复杂度过高的问题,提出一种逐级对根节点进行分类的算法.通过对频繁边的直接扩展,实现了小规模频繁子电路的快速提取;利用门级电路中小规模频繁子电路与大规模频繁子电路间的结构依赖性,解决了候选子电路生成时根节点组合爆炸的问题.实验结果表明,该算法能够降低根节点的数量,使支持度高的候选子电路得到优先提取,并显著地减少了规律性提取的时间.

关键词：子电路同构候选子电路频繁子电路规则性指数

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应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管的阈值电压解析模型

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物理学报 2010年第12期59卷 8877-8882页

作者：刘红侠尹湘坤刘冰洁郝跃西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

分析研究了应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管(SGOI pMOSFET)的阈值电压模型,修正了应变作用下SGOI pMOSFET的能带模型,并提取了主要的物理参量.这些典型的参量包括禁带宽度、电子亲和能、内建势等.给出了应变硅SGOI pMOSFET... 详细信息

分析研究了应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管(SGOI pMOSFET)的阈值电压模型,修正了应变作用下SGOI pMOSFET的能带模型,并提取了主要的物理参量.这些典型的参量包括禁带宽度、电子亲和能、内建势等.给出了应变硅SGOI pMOSFET内部电势分布的二维泊松方程,通过边界条件求解方程,得出了准确的阈值电压模型,并且验证了该模型的正确性.

关键词：应变硅绝缘层上硅锗 p型金属氧化物场效应晶体管阈值电压解析模型

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立式MOCVD反应室中一种刻槽基座的热分析

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人工晶体学报 2010年第4期39卷 1072-1077页

作者：李志明郝跃张进成陈炽薛军帅常永明许晟瑞毕志伟西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

在立式感应加热的氮化物MOCVD反应室中,提出了一种刻槽结构的基座;利用有限元法,给出了使衬底温度分布最均匀的槽的位置和大小。与传统的基座相比,这种刻槽优化后的基座,使衬底温度分布的均匀性显著提高。另外,通过对基座温度随加热时... 详细信息

在立式感应加热的氮化物MOCVD反应室中,提出了一种刻槽结构的基座;利用有限元法,给出了使衬底温度分布最均匀的槽的位置和大小。与传统的基座相比,这种刻槽优化后的基座,使衬底温度分布的均匀性显著提高。另外,通过对基座温度随加热时间变化的分析,发现刻槽基座的热传导规律,即刻的槽改变了基座中感应产生热量的热传导方向,衬底中的热量是由槽上下基座部分传递而来的,且随时间的增大,基座的温度趋于恒定,衬底的温度趋于均匀,均匀的衬底温度有利于提高生长薄膜的质量。

关键词： MOCVD 感应加热热分析基座

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高k栅介质应变Si SOI MOSFET的阈值电压解析模型

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物理学报 2010年第11期59卷 8131-8136页

作者：李劲刘红侠李斌曹磊袁博西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

在结合应变Si,高k栅和SOI结构三者的优点的基础上,提出了一种新型的高k栅介质应变Si全耗尽SOIMOSFET结构.通过求解二维泊松方程建立了该新结构的二维阈值电压模型,在该模型中考虑了影响阈值电压的主要参数.分析了阈值电压与弛豫层中的G... 详细信息

在结合应变Si,高k栅和SOI结构三者的优点的基础上,提出了一种新型的高k栅介质应变Si全耗尽SOIMOSFET结构.通过求解二维泊松方程建立了该新结构的二维阈值电压模型,在该模型中考虑了影响阈值电压的主要参数.分析了阈值电压与弛豫层中的Ge组分、应变Si层厚度的关系.研究结果表明阈值电压随弛豫层中Ge组分的提高和应变Si层的厚度增加而降低.此外,还分析了阈值电压与高k栅介质的介电常数和应变Si层的掺杂浓度的关系.研究结果表明阈值电压随高k介质的介电常数的增加而增大,随应变Si层的掺杂浓度的提高而增大.研究了该结构的短沟道效应SCE(short channel effect)和漏致势垒降低DIBL(drain induced barrier lowering)效应,结果表明该结构能够很好地抑制SCE和DIBL效应.

关键词：应变Si 高k栅短沟道效应漏致势垒降低

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双极晶体管在强电磁脉冲作用下的损伤效应与机理

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物理学报 2010年第11期59卷 8118-8124页

作者：柴常春席晓文任兴荣杨银堂马振洋西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

针对典型n+-p-n-n+结构的双极晶体管,从器件内部电场强度、电流密度和温度分布变化的分析出发,研究了在强电磁脉冲(electromagnetic pulse,EMP)作用下其内在损伤过程与机理.研究表明,双极晶体管损伤部位在不同幅度的注入电压作用下是不... 详细信息

针对典型n+-p-n-n+结构的双极晶体管,从器件内部电场强度、电流密度和温度分布变化的分析出发,研究了在强电磁脉冲(electromagnetic pulse,EMP)作用下其内在损伤过程与机理.研究表明,双极晶体管损伤部位在不同幅度的注入电压作用下是不同的,注入电压幅度较低时,发射区中心下方的集电区附近首先烧毁,而在高幅度注入电压作用下,由于基区-外延层-衬底构成的PIN结构发生击穿,导致靠近发射极一侧的基极边缘处首先发生烧毁.利用数据分析软件,对不同注入电压下的器件损伤功率P和脉宽T进行拟合得出了P与T之间的关系式,结果表明由于双极晶体管损伤能量的不确定性,强电磁脉冲损伤的经验公式P=AT-1(A为常数)对于双极晶体管应修正为P=AT-1.4.

关键词：双极晶体管强电磁脉冲器件损伤损伤功率

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非故意掺杂4H-SiC外延材料本征缺陷的热稳定性

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物理学报 2010年第5期59卷 3542-3546页

作者：程萍张玉明张义门王悦湖郭辉西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

采用电子顺磁共振(ESR)和低温光致发光(PL)技术,研究了退火温度对低压化学气相沉积法(LPCVD)制备的非故意掺杂4H-SiC材料中本征缺陷稳定性的影响.结果发现,当退火时间为10min和30min时,本征缺陷浓度均随着退火温度的升高而增大,当退火... 详细信息

采用电子顺磁共振(ESR)和低温光致发光(PL)技术,研究了退火温度对低压化学气相沉积法(LPCVD)制备的非故意掺杂4H-SiC材料中本征缺陷稳定性的影响.结果发现,当退火时间为10min和30min时,本征缺陷浓度均随着退火温度的升高而增大,当退火温度达到1573K时材料中本征缺陷浓度达到最大,继续升高退火温度将使材料中本征缺陷浓度迅速降低.退火温度对材料中本征缺陷的影响主要是由于退火中本征缺陷的稳定化过程及本征缺陷之间发生强烈的相互作用引起的.

关键词：高温退火本征缺陷电子顺磁共振谱光致发光

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等离子体天线表面电流分布与辐射特性研究

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物理学报 2010年第3期59卷 1890-1894页

作者：吴振宇杨银堂汪家友西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

建立了表面波驱动等离子体天线装置,提出了一种等离子体天线表面电流指数分布模型,并利用该表面电流分布模型计算了天线的辐射方向图.研究结果表明,等离子体密度随轴向距离的增大呈指数衰减趋势.正常工作状态下表面波波矢虚部随等离子... 详细信息

建立了表面波驱动等离子体天线装置,提出了一种等离子体天线表面电流指数分布模型,并利用该表面电流分布模型计算了天线的辐射方向图.研究结果表明,等离子体密度随轴向距离的增大呈指数衰减趋势.正常工作状态下表面波波矢虚部随等离子体密度的增大而下降,遵循与等离子体密度类似的指数衰减规律,但其实部则基本保持不变.等离子体天线的表面电流呈振幅指数衰减行波模式.利用该表面电流分布模型计算得到的辐射方向图呈现典型的8字形分布,与实验测量结果良好符合.当射频功率减小,等离子体天线辐射方向图宽化.

关键词：等离子体天线表面电流分布方向图

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新型NO_2化学传感器:碳化硅纳米管(英文)

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计算物理 2010年第5期27卷 779-784页

作者：丁瑞雪杨银堂刘帘曦宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室微电子学院西安电子科技大学陕西西安710071

气体吸附对碳化硅纳米管的电子结构的影响是理解碳化硅纳米管气敏传感器工作机理的基础.基于密度泛函理论,利用CASTEP软件包计算NO2气体吸附前后的碳化硅纳米管的结构及其电子结构.结果表明,NO2气体与碳化硅纳米管间形成了稳定的吸附,... 详细信息

气体吸附对碳化硅纳米管的电子结构的影响是理解碳化硅纳米管气敏传感器工作机理的基础.基于密度泛函理论,利用CASTEP软件包计算NO2气体吸附前后的碳化硅纳米管的结构及其电子结构.结果表明,NO2气体与碳化硅纳米管间形成了稳定的吸附,并明显的增强了碳化硅纳米管的导电特性.碳化硅纳米管是制备气体传感器的理想材料之一,为开发应用于NO2气体检测的碳化硅纳米管提供必要的理论支持.

关键词：碳化硅纳米管 NO2气敏传感器密度泛函理论

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基于扇形模板的数字集成电路规律性提取算法

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电子学报 2010年第1期38卷 199-203页

作者：潘伟涛谢元斌郝跃史江义西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

将数据挖掘方法用于数字集成电路规律性提取,提出了一种扇形结构模板的规律性提取算法.采用压缩式存储及删除缓冲器结构等方法,降低了电路的存储空间.通过边权值编码,实现了逐级产生扇形频繁子电路的算法,解决了传统算法对大规模数字集... 详细信息

将数据挖掘方法用于数字集成电路规律性提取,提出了一种扇形结构模板的规律性提取算法.采用压缩式存储及删除缓冲器结构等方法,降低了电路的存储空间.通过边权值编码,实现了逐级产生扇形频繁子电路的算法,解决了传统算法对大规模数字集成电路规律性提取时间复杂度过高的问题.实验结果表明该算法比SPOG与TREE算法更能充分提取电路的规律性,规律性提取时间更短.

关键词：频繁子电路数据挖掘规律性提取规则性系数

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一种面向彩色CIS数据接口的低功耗编码方法

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西南交通大学学报 2010年第4期45卷 568-573页

作者：刘毅杨银堂文博西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

为有效降低彩色CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器数据输出接口的动态功耗,对输出接口信号的活动性进行了分析.根据同色像素信号高六位相关性高、活动性低的特点,提出了一种编码方法.该方法通过比较当前与前一同色像素信号,决定是... 详细信息

为有效降低彩色CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器数据输出接口的动态功耗,对输出接口信号的活动性进行了分析.根据同色像素信号高六位相关性高、活动性低的特点,提出了一种编码方法.该方法通过比较当前与前一同色像素信号,决定是否保持当前接口信号的高六位,从而显著降低接口信号的活动性.仿真结果表明,用该方法,接口的动态功耗降低了24.2%.

关键词： CMOS图像传感器数据接口总线编码

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