检索结果-内蒙古大学图书馆

西安电子科技大学学报 2009年第3期36卷 458-462页

作者：游海龙贾新章西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

由于仿真不收敛等问题,仅依靠EDA仿真很难实现集成电路(IC)稳健性设计.提出了利用响应曲面(RSM)与电路仿真相结合对集成电路进行稳健性优化设计的方法.并将该方法应用于带隙基准电路稳健优化设计.通过Hspice电路仿真与统计试验设计(DOE)... 详细信息

由于仿真不收敛等问题,仅依靠EDA仿真很难实现集成电路(IC)稳健性设计.提出了利用响应曲面(RSM)与电路仿真相结合对集成电路进行稳健性优化设计的方法.并将该方法应用于带隙基准电路稳健优化设计.通过Hspice电路仿真与统计试验设计(DOE),仅利用27组试验建立了3目标值、4参数电路的响应曲面模型.并基于该模型对电路进行稳健性设计,优化确定的参数组合满足电路指标,同时对温度的变化更加不敏感.

关键词：稳健优化设计响应曲面法(RSM) 试验设计(DOE)

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Cu互连应力迁移温度特性研究

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物理学报 2009年第4期58卷 2625-2630页

作者：吴振宇杨银堂柴常春李跃进汪家友刘静西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室湘潭411105

提出了一种基于扩散-蠕变机制的空洞生长模型,结合应力模拟计算和聚焦离子束分析技术研究了Cu互连应力诱生空洞失效现象,探讨了应力诱生空洞的形成机制并分析了空洞生长速率与温度、应力梯度和扩散路径的关系.研究结果表明,在CuM1互连... 详细信息

提出了一种基于扩散-蠕变机制的空洞生长模型,结合应力模拟计算和聚焦离子束分析技术研究了Cu互连应力诱生空洞失效现象,探讨了应力诱生空洞的形成机制并分析了空洞生长速率与温度、应力梯度和扩散路径的关系.研究结果表明,在CuM1互连顶端通孔拐角底部处应力和应力梯度达到极大值并观察到空洞出现.应力梯度是决定空洞成核位置及空洞生长速率的关键因素.应力迁移是空位在应力梯度作用下沿主导扩散路径进行的空位积聚与成核现象,应力梯度的作用与扩散作用随温度变化方向相反,并存在一个中值温度使得应力诱生空洞速率达到极大值.

关键词： Cu互连应力迁移应力诱生空洞失效

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应变Si／(001)Si1-xGex能带结构模型

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固体电子学研究与进展 2009年第1期29卷 14-17页

作者：宋建军张鹤鸣戴显英胡辉勇宣荣喜西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

应变Si材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了(001)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的能带结构模型。结果表明:[001]、[001]方向能谷构成了张应变Si导带带边,其能量值随G... 详细信息

应变Si材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了(001)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的能带结构模型。结果表明:[001]、[001]方向能谷构成了张应变Si导带带边,其能量值随Ge组分的增加而变小;导带劈裂能与Ge组分成线性关系;价带三个带边能级都随Ge组分的增加而增加,而且Ge组分越高价带带边劈裂能值越大;禁带宽度随着Ge组分的增加而变小。该模型可获得量化的数据,对器件研究设计可提供有价值的参考。

关键词：应变硅 K.P法能带结构

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Al掺杂4H-SiC同质外延的缓冲层

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固体电子学研究与进展 2009年第2期29卷 306-309页

作者：贾仁需张义门张玉明王悦湖栾苏珍西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线双晶衍射谱(XRD)和光致发光谱(PL)对在4H-SiC单晶衬底上采用CVD同质外延的4H-SiC单晶薄膜的特性进行研究,发现外延层有很好的晶格结构和完整性。由于Al原位掺杂引起的晶格失配和衬底和外延的晶向偏离,在... 详细信息

利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线双晶衍射谱(XRD)和光致发光谱(PL)对在4H-SiC单晶衬底上采用CVD同质外延的4H-SiC单晶薄膜的特性进行研究,发现外延层有很好的晶格结构和完整性。由于Al原位掺杂引起的晶格失配和衬底和外延的晶向偏离,在样品的衬底和外延的界面出现了约1μm的缓冲层,使得XRD摇摆曲线距主峰左侧约41arcs出现了强衍射峰。缓冲层中存在大量的堆垛缺陷和位错,引入缺陷能级,使室温PL测试为"绿带"发光。通过PL全片扫描发现缓冲层在整个样品中普遍存在且分布均匀。

关键词： 4H碳化硅同质外延缓冲层扫描电子显微镜 X射线双晶衍射谱光致发光谱

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利用Keating模型计算Si(1-χ)Geχ及非晶硅的拉曼频移

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物理学报 2009年第10期58卷 7114-7118页

作者：段宝兴杨银堂西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

利用Keating模型计算了Si(1-χ)Geχ合金中Si-Si,Ge-Ge和Si-Ge三种振动模态的拉曼频移,计算分别获得Ge浓度为0.1,0.5和0.9时,Si-Ge的振动拉曼频移分别为402.75,413.39和388.15 cm-1,这些结果与文献的实验结果符合,证明了Keating模型建... 详细信息

利用Keating模型计算了Si(1-χ)Geχ合金中Si-Si,Ge-Ge和Si-Ge三种振动模态的拉曼频移,计算分别获得Ge浓度为0.1,0.5和0.9时,Si-Ge的振动拉曼频移分别为402.75,413.39和388.15 cm-1,这些结果与文献的实验结果符合,证明了Keating模型建立的关于原子振动模型是有效的,并可以利用拉伸压缩和相邻原子键之间弹性系数变化获得处于应变状态的拉曼光谱频率.利用Keating模型首次计算得到了非晶硅材料的单声子散射峰为477.029 cm-1,与文献实验结果480.0 cm-1相近,说明了非晶硅中原子的总体效果与晶体硅相比处于拉伸状态.

关键词： Keating模型拉曼光谱 Si(1-χ)Geχ 非晶硅

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异质外延GaN薄膜中缺陷对表面形貌的影响

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材料导报 2009年第4期23卷 1-5页

作者：高志远郝跃张金凤西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

通过对异质外延GaN薄膜中各类结构缺陷进行系统的研究,发现材料内部的各种体、面和线缺陷,包括沉淀物、裂纹、反向边界、局部立方相、小角晶界和位错,都会对表面形貌产生影响,并具有对应的特征形貌。GaN薄膜中缺陷与表面形貌的这种对应... 详细信息

通过对异质外延GaN薄膜中各类结构缺陷进行系统的研究,发现材料内部的各种体、面和线缺陷,包括沉淀物、裂纹、反向边界、局部立方相、小角晶界和位错,都会对表面形貌产生影响,并具有对应的特征形貌。GaN薄膜中缺陷与表面形貌的这种对应关系,可以通过MOCVD生长机理和缺陷间相互作用机制加以解释,同时也提供了一种简单而有效的研究与检测GaN材料内部缺陷的方法。

关键词： GaN 缺陷结构表面形貌生长机理

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高温层的横向生长对异质外延GaN结构性质的影响

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中国科学（E辑） 2009年第1期39卷 124-128页

作者：高志远郝跃李培咸张进城西安电子科技大学微电子学院、宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

通过改变MOCVD生长GaN反应的V/III比来改变横/纵向生长速度比,以此来研究两步法中高温GaN层的横向生长对材料结构性质的影响.透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)实验的研究表明,高温GaN层的横向生长速度越快,位错的传播方向更易于偏离... 详细信息

通过改变MOCVD生长GaN反应的V/III比来改变横/纵向生长速度比,以此来研究两步法中高温GaN层的横向生长对材料结构性质的影响.透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)实验的研究表明,高温GaN层的横向生长速度越快,位错的传播方向更易于偏离c轴,弯向晶粒内部,且弯曲的位置越靠近缓冲层,但位错密度并不随横向生长的加速而单调变化.提出了一个关于GaN生长动力学过程和位错弯曲机制的模型以解释横向生长与GaN结构的对应关系.

关键词： GaN 横向生长位错 V/III

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低功耗测试向量产生技术的研究

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微电子学与计算机 2009年第1期26卷 213-216页

作者：高海霞张弘西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

测试功耗问题是当今深亚微米芯片设计领域研究的热点,低功耗测试向量产生技术能够产生低功耗测试向量,且不需要对设计进行内在修改.文中分析了低功耗测试的重要性及现有低功耗测试向量产生方法,从外部测试、内建自测试和测试数据压缩技... 详细信息

测试功耗问题是当今深亚微米芯片设计领域研究的热点,低功耗测试向量产生技术能够产生低功耗测试向量,且不需要对设计进行内在修改.文中分析了低功耗测试的重要性及现有低功耗测试向量产生方法,从外部测试、内建自测试和测试数据压缩技术三方面分析了低功耗测试向量产生技术的基本思路、研究现状及其优缺点,提出连续测试向量间的相关性是低功耗测试向量产生技术的关键问题.

关键词：低功耗测试测试向量产生

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利用分步试验设计表征/优化工艺空间均匀性

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微电子学 2009年第2期39卷 285-288页

作者：游海龙贾新章徐岚陈亚兰西安电子科技大学微电子学院西安710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

半导体制造工艺成品率对空间差异越来越敏感,需要表征与优化工艺空间均匀性。利用两步试验设计方法,针对六输入变量的热氧化工艺,仅需31次试验,便建立了表征工艺目标和空间均匀性响应曲面模型。利用该模型优化工艺,得到了满足其他工艺... 详细信息

半导体制造工艺成品率对空间差异越来越敏感,需要表征与优化工艺空间均匀性。利用两步试验设计方法,针对六输入变量的热氧化工艺,仅需31次试验,便建立了表征工艺目标和空间均匀性响应曲面模型。利用该模型优化工艺,得到了满足其他工艺指标下工艺空间均匀性最优的工艺设置。片间非均匀性从1.44%减小到0.77%,片内非均匀性从0.2%减小到0.12%。

关键词：半导体工艺工艺空间均匀性分步试验设计响应曲面模型

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一种基于PWM的新型误差放大器的设计

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电子器件 2009年第3期32卷 583-585,591页

作者：王斌张鹤鸣胡辉勇刘宁宁西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

设计了一款高增益、宽带宽、输出摆幅可控制的新型误差放大器。通过新增A2、A3两个比较器器模块,误差放大器的输出摆幅可以随着控制端输入电压Vr的不同进行调整,增加了电路应用的灵活性。经过CHMC SB45工艺验证,所设计的误差放大器输出... 详细信息

设计了一款高增益、宽带宽、输出摆幅可控制的新型误差放大器。通过新增A2、A3两个比较器器模块,误差放大器的输出摆幅可以随着控制端输入电压Vr的不同进行调整,增加了电路应用的灵活性。经过CHMC SB45工艺验证,所设计的误差放大器输出低电平为Vr,高电平为Vr+2v,开环增益为80dB,单位增益带宽为11.9MHz。该误差放大器已经应用到了PWM芯片中,使得PWM最大、最小占空比可调,大幅提升了芯片系统的整体性能。

关键词： PWM 误差放大器输出摆幅宽带宽占空比

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