检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体学报 2008年第5期29卷 988-992页

作者：刘帘曦朱樟明杨银堂过伟史斌西安电子科技大学微电子学院西安710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 西安电子科技大学微电子学院西安710071

基于0.8μm BCD工艺完成了一种具有高转换效率的20W×2立体声集成音频功率放大器.该放大器可在18V电源电压下以全桥输出的方式向8Ω负载提供超过20W的功率,其转换效率可达85%以上.介绍了功率输出级、过流保护电路以及高性能轨-轨比... 详细信息

基于0.8μm BCD工艺完成了一种具有高转换效率的20W×2立体声集成音频功率放大器.该放大器可在18V电源电压下以全桥输出的方式向8Ω负载提供超过20W的功率,其转换效率可达85%以上.介绍了功率输出级、过流保护电路以及高性能轨-轨比较器的设计,并基于横向双扩散MOSFET器件结构讨论了功率输出器件寄生效应对输出电压波形失真的影响.最后给出了所设计的D类音频功率放大器的测试结果.

关键词： D类功率放大器全桥过流保护轨-轨比较器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

模式可选的新型能量回收电路

引用

微电子学 2008年第1期38卷 148-152页

作者：潘浩郝跃朱志炜西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

基于绝热计算原理的能量回收电路是克服数字电路功耗CV2壁垒的有效途径。提出了一种MOCAL(Mode Optional CAL)电路,在CAL的基础上增加了对电路工作模式的控制,从而弥补了大部分传统绝热电路的缺陷,可以直接用来替换CMOS电路中的相应部分... 详细信息

基于绝热计算原理的能量回收电路是克服数字电路功耗CV2壁垒的有效途径。提出了一种MOCAL(Mode Optional CAL)电路,在CAL的基础上增加了对电路工作模式的控制,从而弥补了大部分传统绝热电路的缺陷,可以直接用来替换CMOS电路中的相应部分,降低了功耗,并节省了芯片面积。采用MOCAL结构,经过HSPICE验证,并且与CAL反相器链的功耗进行了比较。结果显示,在20 MHz频率下,MOCAL反相器链的功耗损失仅为CAL的23%,证明了设计的有效性。

关键词：低功耗设计 CMOS逻辑能量回收绝热电路模式选择

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

应变Si沟道NMOSFET阈值电压特性研究

引用

半导体技术 2008年第S1期33卷 250-251,255页

作者：张志锋张鹤鸣胡辉勇宣荣喜宋建军西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si沟道NMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si NMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压、阈值电压偏移量与Si Ge层中Ge组分的关系。分析结果表明,阈值电压随S... 详细信息

在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si沟道NMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si NMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压、阈值电压偏移量与Si Ge层中Ge组分的关系。分析结果表明,阈值电压随SiGe层中Ge组分的提高而降低。该模型为应变Si器件阈值电压设计提供了重要参考。

关键词：应变硅阈值电压反型层弛豫衬底

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

^(60)Co γ射线辐照对AlGaN/GaN HEMT器件直流特性的影响

引用

半导体技术 2008年第S1期33卷 102-104页

作者：段超谷文萍郝跃张进城西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

主要研究了0.2Mrad60Coγ辐照前后AlGaN/GaN HEMT器件电学特性的变化,器件电学参数的退化主要表现为输出电流下降、栅泄漏电流增加、栅漏二极管的正/反向电流增大,而阈值电压几乎没有变化。这些变化是由于辐照产生的缺陷和陷阱使得2DEG... 详细信息

主要研究了0.2Mrad60Coγ辐照前后AlGaN/GaN HEMT器件电学特性的变化,器件电学参数的退化主要表现为输出电流下降、栅泄漏电流增加、栅漏二极管的正/反向电流增大,而阈值电压几乎没有变化。这些变化是由于辐照产生的缺陷和陷阱使得2DEG浓度和迁移率下降,进而造成了器件的退化。

关键词： AlGaN/GaN HEMT器件 γ射线辐照退化

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

不同高场应力下SiN钝化的AlGaN/GaN HEMT器件的性能退化

引用

半导体技术 2008年第S1期33卷 94-97页

作者：谷文萍郝跃张进城马晓华西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

采用不同的高场应力对Si N钝化前后的Al GaN/GaN HEMT器件进行直流应力测试,实验发现:应力后器件主要参数如饱和漏电流IDS,跨导峰值gm和阈值电压VTH等均发生了明显退化,而且这些退化还是可以完全恢复的。分析表明:高场应力后,在栅漏区... 详细信息

采用不同的高场应力对Si N钝化前后的Al GaN/GaN HEMT器件进行直流应力测试,实验发现:应力后器件主要参数如饱和漏电流IDS,跨导峰值gm和阈值电压VTH等均发生了明显退化,而且这些退化还是可以完全恢复的。分析表明:高场应力后,在栅漏区高场作用下,表面和Al GaN势垒层的陷阱俘效应增加,使得器件参数漂移,从而导致器件电特性退化。偏置应力VDS=20V,VGS=0V后发现Si N钝化使得应力产生的IDS、退化从36%减少到了30%。这说明高场应力下,虽然Si N钝化一定程度上有助于阻挡电子陷落表面态和2DEG耗尽,但是它不能从根本上解决Al GaN/GaN HEMT的高场退化问题。作者认为在钝化的基础上应当结合其他工艺方法例如帽层结构或者场板结构来改善高场下器件的退化问题。

关键词： AlGaN/GaN HEMT器件表面态势垒层陷阱高场应力

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型

引用

半导体技术 2008年第2期33卷 129-132页

作者：任学峰杨银堂贾护军西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

提出了一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,基于栅下电荷的二维分布,对该模型进行了分析,采用多参数迁移率模型描述速场关系。在分析了电流速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立了基于物理的沟道长... 详细信息

提出了一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,基于栅下电荷的二维分布,对该模型进行了分析,采用多参数迁移率模型描述速场关系。在分析了电流速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立了基于物理的沟道长度调制效应模型,模拟结果符合高场下漏极的MC(蒙特卡罗)计算的结果。与以前的研究模型相比较,结果说明了该研究的有效性,饱和电流的结果与实测的I-V特性更加吻合。

关键词： 4H-碳化硅射频功率金属半导体场效应晶体管 Ⅰ-Ⅴ特性解析模型

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

SiC VDMoS特性的影响因素分析

引用

微电子学 2008年第2期38卷 211-214页

作者：张娟柴常春杨银堂徐俊平宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院西安710071

研究了材料、栅氧化层厚度和沟道长度对SiC VDMOS结构特性的影响。结果表明,4H-SiC器件具有更高的电流密度,因此,4H-SiC比6H-SiC更适合用于功率器件。对阈值电压和漏极电流的分析表明,在Vds=0.1 V、Vgs=15 V时,阈值电压随栅氧化层厚度... 详细信息

研究了材料、栅氧化层厚度和沟道长度对SiC VDMOS结构特性的影响。结果表明,4H-SiC器件具有更高的电流密度,因此,4H-SiC比6H-SiC更适合用于功率器件。对阈值电压和漏极电流的分析表明,在Vds=0.1 V、Vgs=15 V时,阈值电压随栅氧化层厚度的增大而线性增大,随沟道长度的增加而增大;而漏极电流密度则随栅氧化层厚度的增加而减小,随沟道长度的增加而减小。

关键词： SiC VDMOS 栅氧化层沟道长度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

短沟道SiC MESFET亚阈值特性

引用

功能材料与器件学报 2008年第4期14卷 810-814页

作者：韩茹杨银堂贾护军西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及亚阈值电流的影响,并研究了其温度特性。研究表明DIBL效应的存在使SiC MESFET的沟道势垒最... 详细信息

基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及亚阈值电流的影响,并研究了其温度特性。研究表明DIBL效应的存在使SiC MESFET的沟道势垒最小值随栅长及温度发生变化,并带来阈值电压及亚阈值电流的变化。栅长越大,温度越高,亚阈值倾斜因子Ns越小,栅压对沟道电流的控制能力增强,最终造成亚阈值电流随栅压的变化越快。

关键词：碳化硅MESFET 沟道电势漏极引致势垒降低效应阈值电压

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种12位125MS/s的SiGe BiCMOS采样保持放大器

引用

电路与系统学报 2008年第4期13卷 55-58页

作者：潘杰杨海钢杨银堂朱樟明中国科学院电子学研究所西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071 西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

提出了基于TSMC0.35μm锗硅(SiGe)BiCMOS工艺的全差分跨导运算放大器(OTA),充分利用了异质结晶体管(HBT)共射共基结构的大跨导、小寄生效应、低噪声等特性。采用共源共栅以及增益倍增技术的负载管,在3.3V单电源下,开环增益为92.2dB,单... 详细信息

提出了基于TSMC0.35μm锗硅(SiGe)BiCMOS工艺的全差分跨导运算放大器(OTA),充分利用了异质结晶体管(HBT)共射共基结构的大跨导、小寄生效应、低噪声等特性。采用共源共栅以及增益倍增技术的负载管,在3.3V单电源下,开环增益为92.2dB,单位增益频率为1.26GHz,相位裕度为61.1o(负载为550fF时),差分输出摆幅为3V,以此OTA为核心的采样保持放大器(SHA)的最大采样频率为125MHz。

关键词：锗硅异质结晶体管增益倍增技术跨导运算放大器采样保持放大器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

An Ultra-Low Specific On-Resistance VDMOS with a Step Oxide-Bypassed Trench Structure

引用

Journal of Semiconductors 2008年第4期29卷 677-681页

作者：段宝兴杨银堂张波李肇基西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

A novel Step Oxide-Bypassed （SOB） trench VDMOS structure is designed based on the Oxide-Bypassed concept proposed by Liang Y C. This structure is suitable for breakdown voltage below 300V to obtain ultra-low specific on-resistance. The main feature of this structure is the various thicknesses of sidewall oxide,which modulate electric field distribution in the drift region and the charge compensation effect. As a result, the breakdown voltage is increased no less than 20% due to the more uniform electric field of the drift region,while the specific on-resistance was reduced by 40%-60% for the step oxide bypassed compared with the oxide-bypassed structure.

关键词： step oxide-bypassed VDMOS breakdown voltage specific on-resistance

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：