检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：段超谷文萍郝跃张进城西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

主要研究了0.2 MradCoγ辐照前后AlGaN/GaN HEMT器件电学特性的变化,器件电学参数的退化主要表现为输出电流下降、栅泄漏电流增加、栅漏二极管的正/反向电流增大,而阈值电压几乎没有变化。这些变化是由于辐照产生的缺陷和陷阱使得2DEG... 详细信息

主要研究了0.2 MradCoγ辐照前后AlGaN/GaN HEMT器件电学特性的变化,器件电学参数的退化主要表现为输出电流下降、栅泄漏电流增加、栅漏二极管的正/反向电流增大,而阈值电压几乎没有变化。这些变化是由于辐照产生的缺陷和陷阱使得2DEG浓度和迁移率下降,进而造成了器件的退化。

关键词： AlGaN/GaN HEMT器件 γ射线辐照退化

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不同高场应力下SiN钝化的AlGaN/GaN HEMT器件的性能退化

不同高场应力下SiN钝化的AlGaN/GaN HEMT器件的性能退化

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：谷文萍郝跃张进城马晓华西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

采用不同的高场应力对SiN钝化前后的AlGaN/GaN HEMT器件进行直流应力测试,实验发现:应力后器件主要参数如饱和漏电流I,跨导峰值g和阈值电压V等均发生了明显退化,而且这些退化还是可以完全恢复的。分析表明:高场应力后,在栅漏区高场作用... 详细信息

采用不同的高场应力对SiN钝化前后的AlGaN/GaN HEMT器件进行直流应力测试,实验发现:应力后器件主要参数如饱和漏电流I,跨导峰值g和阈值电压V等均发生了明显退化,而且这些退化还是可以完全恢复的。分析表明:高场应力后,在栅漏区高场作用下,表面和AlGaN势垒层的陷阱俘效应增加,使得器件参数漂移,从而导致器件电特性退化。偏置应力V=20 V,V=0 V后发现SiN钝化使得应力产生的I、退化从36%减少到了30%。这说明高场应力下,虽然SiN钝化一定程度上有助于阻挡电子陷落表面态和2DEG耗尽,但是它不能从根本上解决AlGaN/GaN HEM的高场退化问题。作者认为在钝化的基础上应当结合其他工艺方法例如帽层结构或者场板结构来改善高场下器件的退化问题。

关键词： AlGaN/GaN HEMT器件表面态势垒层陷阱高场应力

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GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研究进展

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研究进展

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：郝跃张金风宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院西安 710071

在化合物半导体电子器件中,高电子迁移率晶体管(HEMT)是应用于高频大功率场合最主要的器件形式。基于GaN及相关Ⅲ族氮化物材料(AlN、InN)的HEMT则是目前研究最火热的化合物半导体电子器件,是第三代半导体技术领域发展和竞争的焦点。从... 详细信息

在化合物半导体电子器件中,高电子迁移率晶体管(HEMT)是应用于高频大功率场合最主要的器件形式。基于GaN及相关Ⅲ族氮化物材料(AlN、InN)的HEMT则是目前研究最火热的化合物半导体电子器件,是第三代半导体技术领域发展和竞争的焦点。从输出功率和频率的角度,GaN HEMT非常适合无线通信基站、雷达、汽车电子等高频大功率应用;在航空航天、核工业、军用电子等对化学稳定性和热稳定性要求很高的应用场合,GaN HEMT也是理想的候选器件之一。自问世到现在GaN HEMT器件经历了十几年的研究,进展迅速、成果丰富,但即便是已有初步商用器件的今天,该领域仍有大量的科学问题,表现出“需求超前于技术,技术超前于科研”的特点。进入本世纪以后,GaN HEMT的材料结构以AlGaN/GaN异质结为主,器件工艺和热处理手段基本成熟。

关键词：迁移率晶体管电子迁移率化合物半导体电子器件异质结氮化镓

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4H-SiC MESFET DIBL效应的新型解析模型

4H-SiC MESFET DIBL效应的新型解析模型

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第六届西北地区计算物理学术会议

作者：曹全君张义门张玉明西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室 710071

由于具有高功率密度、高温、耐辐射等优良特性,射频4H-SiC MESFET受到大家的日益关注.为了提高器件的高频特性,必须减少SiC MESFET器件特征尺寸(沟道长度).随着器件沟道长度的减少,4H-SiCMESFET会出现明显的短沟道效应,DIBL效应(Drain I... 详细信息

由于具有高功率密度、高温、耐辐射等优良特性,射频4H-SiC MESFET受到大家的日益关注.为了提高器件的高频特性,必须减少SiC MESFET器件特征尺寸(沟道长度).随着器件沟道长度的减少,4H-SiCMESFET会出现明显的短沟道效应,DIBL效应(Drain Induced Barrier Lowing Effect,漏致势垒降低效应)或者叫短沟穿通效应(Short Channel Punch-Through Effect)[1-3]是短沟道效应的重要方面.

关键词：高频特性器件特征特征尺寸器件沟道沟道效应

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钒注入制备半绝缘SiC的退火效应(英文)

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电子器件 2008年第3期31卷 770-775页

作者：王超张义门张玉明谢昭熙郭辉徐大庆西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 深圳市科技和信息局广东深圳518027

对钒离子注入p型和n型4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性进行了研究。注入层电阻率随退火温度的升高而增加,经过1650℃退火后,钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.6×1010Ω·cm和7.6×106Ω·cm。借助原子力显微镜对样品... 详细信息

对钒离子注入p型和n型4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性进行了研究。注入层电阻率随退火温度的升高而增加,经过1650℃退火后,钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.6×1010Ω·cm和7.6×106Ω·cm。借助原子力显微镜对样品表面形貌进行分析,发现碳保护膜可以有效减小高温退火产生的表面粗糙,抑制沟槽的形成。二次离子质谱分析结果表明退火没有导致明显的钒在SiC中的再扩散。即使经过1650℃高温退火,也没有发现钒离子向SiC表面外扩散的现象。

关键词：半绝缘碳化硅钒离子注入退火碳保护膜扩散

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CVD法外延生长SiC薄膜的模拟研究

CVD法外延生长SiC薄膜的模拟研究

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第六届西北地区计算物理学术会议

作者：贾威张玉明张义门西安电子科技大学微电子学院西安 710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071

针对水平热壁式反应室,采用数值模拟的方法分析了SiC生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布、反应气体浓度分布以及生长率沿基座的分布情况.仿真分析了初始碳硅比变化对薄膜生长速率的影响.模拟结果表明,C2H4,C2H2,CH3SiH2SiH,Si和S... 详细信息

针对水平热壁式反应室,采用数值模拟的方法分析了SiC生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布、反应气体浓度分布以及生长率沿基座的分布情况.仿真分析了初始碳硅比变化对薄膜生长速率的影响.模拟结果表明,C2H4,C2H2,CH3SiH2SiH,Si和SiH2的浓度对SiC的生长起决定性作用;固定硅烷流量为20 sccm的定值时,生长过程为碳控制的质量输运生长,当碳硅比达到2.5左右时生长率接近饱和.

关键词：碳化硅化学气相淀积生长率数值模拟薄膜生长

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60Coγ射线辐照对AlGaN/GaN HEMT器件直流特性的影响

60Coγ射线辐照对AlGaN/GaN HEMT器件直流特性的影响

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：段超谷文萍郝跃张进城西安电子科技大学微电子学院西安 710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071

主要研究了0.2Mrad 60Coγ辐照前后AlGaN/GaNHEMT器件电学特性的变化,器件电学参数的退化主要表现为输出电流下降,栅泄漏电流增加,栅漏二极管的正反向电流增大,而阈值电压几乎没有变化。这些变化是由于辐照产生的缺陷和陷阱使得2DEG浓... 详细信息

主要研究了0.2Mrad 60Coγ辐照前后AlGaN/GaNHEMT器件电学特性的变化,器件电学参数的退化主要表现为输出电流下降,栅泄漏电流增加,栅漏二极管的正反向电流增大,而阈值电压几乎没有变化。这些变化是由于辐照产生的缺陷和陷阱使得2DEG浓度和迁移率下降,进而造成器件退化。

关键词： AlGaN GaN HEMT器件 γ射线辐照电学参数退化直流特性栅泄漏电流

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不同高场应力下SiN钝化的AlGaN/GaN HEMT器件的性能退化

不同高场应力下SiN钝化的AlGaN/GaN HEMT器件的性能退化

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：谷文萍郝跃张进城马晓华西安电子科技大学微电子学院西安 710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071

采用不同的高场应力对SiN钝化前后的AlGaN,GaN HEMT器件进行直流应力测试,实验发现：应力后器件主要参数如饱和漏电流IDsat, 跨导峰值gm和阈值电压VTH等均发生了明显退化,而且这些退化还是可以完全恢复的。分析表明：高场应力后,在栅漏... 详细信息

采用不同的高场应力对SiN钝化前后的AlGaN,GaN HEMT器件进行直流应力测试,实验发现：应力后器件主要参数如饱和漏电流IDsat, 跨导峰值gm和阈值电压VTH等均发生了明显退化,而且这些退化还是可以完全恢复的。分析表明：高场应力后,在栅漏区高场作用下,表面和AlGaN势垒层的陷阱俘效应增加,使得器件参数漂移,从而导致器件电特性退化。偏置应力VDS=20V,VGS=0V后发现SiN钝化使得应力产生的IDsat退化从36％减少到了30％。这说明高场应力下,虽然SiN钝化一定程度上有助于阻挡电子陷落表面态和2DEG耗尽,但是它不能从根本上解决AlGaN/GaN HEMT的岛场退化问题。我们认为在钝化的基础上应当结合其他工艺方法例如帽层结构或者场板结构来改善高场下器件的退化问题。

关键词：势垒层陷阱高场应力迁移率晶体管器件参数偏置应力帽层结构岛场退化场板结构

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快速稳定的CMOS电荷泵电路的设计(英文)

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电子器件 2008年第5期31卷 1475-1478页

作者：曹寒梅杨银堂陆铁军王宗民蔡伟西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 北京微电子技术研究所北京100076

基于交叉耦合NMOS单元,提出了一种低压、快速稳定的CMOS电荷泵电路。一个二极管连接的NMOS管与自举电容相并联,对电路进行预充电,从而改善了电荷泵电路的稳定建立特性。PMOS串联开关用于将信号传输到下一级。仿真结果表明,4级电荷泵的... 详细信息

基于交叉耦合NMOS单元,提出了一种低压、快速稳定的CMOS电荷泵电路。一个二极管连接的NMOS管与自举电容相并联,对电路进行预充电,从而改善了电荷泵电路的稳定建立特性。PMOS串联开关用于将信号传输到下一级。仿真结果表明,4级电荷泵的最大输出电压为7.41V,建立时间为0.85μs。

关键词：电荷泵快速建立 CMOS

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16-bit 100Ksps sigma-delta ADC中CIC滤波器设计

16-bit 100Ksps sigma-delta ADC中CIC滤波器设计

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2008年(第十届)中国科协年会

作者：丁晓燕张义门张耀辉西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州 215125 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州 215125

CIC数字滤波器的主要特点是仅利用加法器、减法器和寄存器(无需乘法器),占用资源少、实现简单且速度高、可以减少动态功耗、在功耗与面积上占很大的优势针对这个特点本文主要论述了16-bit100Ksps sigma-deltaADC中CIC梳状滤波器的设计,... 详细信息

CIC数字滤波器的主要特点是仅利用加法器、减法器和寄存器(无需乘法器),占用资源少、实现简单且速度高、可以减少动态功耗、在功耗与面积上占很大的优势针对这个特点本文主要论述了16-bit100Ksps sigma-deltaADC中CIC梳状滤波器的设计,并在FPGA上进行了仿真、综合.

关键词： CIC梳状滤波器积分器微分器产品设计数字滤波器

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