检索结果-内蒙古大学图书馆

第十届中国科协年会

作者：丁晓燕张义门张耀辉西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

CIC数字滤波器的主要特点是仅利用加法器、减法器和寄存器(无需乘法器),占用资源少、实现简单且速度高,可以减少动态功耗,在功耗与面积上占很大的优势.针对这个特点本文主要论述了16-bit 100Ksps sigma-delta ADC中CIC梳状滤波器的设计... 详细信息

CIC数字滤波器的主要特点是仅利用加法器、减法器和寄存器(无需乘法器),占用资源少、实现简单且速度高,可以减少动态功耗,在功耗与面积上占很大的优势.针对这个特点本文主要论述了16-bit 100Ksps sigma-delta ADC中CIC梳状滤波器的设计,并在FPGA上进行了仿真、综合。

关键词： CIC梳状滤波器 16bits sigmadelta ADC 积分器微分器

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基于智能剥离技术的SOI材料制备

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物理学报 2007年第3期56卷 1668-1673页

作者：舒斌张鹤鸣朱国良樊敏宣荣喜西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

优化了硅片低温直接键合与智能剥离技术的工艺流程,在550℃,2.1×10-2Pa条件下制备了SOI材料,其顶层单晶Si膜的表面粗糙度为8.5nm,缺陷密度为90cm-2,键合强度达到153.7kg/cm2,形成的SOI结构除了可以形成三维集成电路中有源层间良好... 详细信息

优化了硅片低温直接键合与智能剥离技术的工艺流程,在550℃,2.1×10-2Pa条件下制备了SOI材料,其顶层单晶Si膜的表面粗糙度为8.5nm,缺陷密度为90cm-2,键合强度达到153.7kg/cm2,形成的SOI结构除了可以形成三维集成电路中有源层间良好的绝缘层,避免了高温过程对有源层器件结构、材料及性能的影响,还能为三维集成电路后续有源层的制造提供高质量的单晶硅材料.

关键词：绝缘体上硅智能剥离低温直接键合 SOI

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基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究

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物理学报 2007年第6期56卷 3483-3487页

作者：刘杰郝跃冯倩王冲张进城郭亮良西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

基于对制作在n-GaN上的肖特基二极管的变温I-V测试和C-V测试,采用表面势垒减薄模型对肖特基二极管的电流输运特性进行了研究.试验结果表明,肖特基接触的电流输运机理非常复杂,在不同的温度条件和偏压条件下有着不同的电流输运机理.在此... 详细信息

基于对制作在n-GaN上的肖特基二极管的变温I-V测试和C-V测试,采用表面势垒减薄模型对肖特基二极管的电流输运特性进行了研究.试验结果表明,肖特基接触的电流输运机理非常复杂,在不同的温度条件和偏压条件下有着不同的电流输运机理.在此基础上对肖特基接触I-V特性方程进行了修正,得到了很好的拟合曲线.试验表明,高温I-V法提取的势垒高度与常温C-V法提取的势垒高度接近于根据金属功函数得出的理论势垒高度值.

关键词：氮化镓肖特基二极管表面势垒减薄模型热电子场发射

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AlGaN/GaN异质结载流子面密度测量的比较与分析

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物理学报 2007年第11期56卷 6629-6633页

作者：倪金玉张进成郝跃杨燕陈海峰高志远西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

对MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长的不同Al组分AlGaN/GaN异质结进行了范德堡法Hall测量和电容-电压(C-V)测量,发现Hall测量载流子面密度值大于C-V测量值,并且随着AlGaN层Al组分的增加,两种测量值都在增加,同时它们的差值也在增加.认为产... 详细信息

对MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长的不同Al组分AlGaN/GaN异质结进行了范德堡法Hall测量和电容-电压(C-V)测量,发现Hall测量载流子面密度值大于C-V测量值,并且随着AlGaN层Al组分的增加,两种测量值都在增加,同时它们的差值也在增加.认为产生这一结果的原因有两方面.一方面,Ni/Au肖特基金属淀积在AlGaN/GaN异质结上,改变了AlGaN势垒层的表面状态,使得一部分二维电子气(2DEG)电子被抽取到空的施主表面态中,从而减小了AlGaN/GaN异质结界面势阱中的2DEG浓度.随着势垒层Al组分的增加,AlGaN层产生了更多的表面态,从而使得更多的电子被抽取到了空的表面态中.另一方面,由于C-V测量本身精确度受到串联电阻的影响,使得测量电容小于实际电容,从而低估了载流子浓度.

关键词： AlGaN/GaN异质结电容-电压测量载流子面密度串联电阻效应

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基于平均迁移率模型的SiC埋沟MOSFET Ⅰ-Ⅴ特性

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固体电子学研究与进展 2007年第2期27卷 170-175页

作者：郜锦侠张义门张玉明夏杰西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

提出了一种SiC隐埋沟道MOSFET平均迁移率模型,并在此基础上对器件I-V特性进行了研究。采用一个随栅压变化的平均电容公式,并用一个简单的解析表达式来描述沟道平均迁移率随栅压的变化关系。计算漏电流时考虑了埋沟器件的三种工作模式,... 详细信息

提出了一种SiC隐埋沟道MOSFET平均迁移率模型,并在此基础上对器件I-V特性进行了研究。采用一个随栅压变化的平均电容公式,并用一个简单的解析表达式来描述沟道平均迁移率随栅压的变化关系。计算漏电流时考虑了埋沟器件的三种工作模式,推出了各种工作模式下的漏电流表达式,并用实验值对模型进行了验证。

关键词：碳化硅隐埋沟道金属氧化物半导体场效应晶体管平均迁移率模型伏安特性

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带温度补偿的6H-SiC PMOS模拟与分析

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固体电子学研究与进展 2007年第1期27卷 7-12页

作者：韩茹杨银堂西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

提出了一个在较宽温度范围内能精确描述6H-SiC PMOS性能的器件模型。该模型将阈值电压、沟道迁移率、体漏电流、源漏薄层电阻的温度效应等效为相应的补偿电流源,并计入界面态电荷高斯分布模型及体内Poole-Frenkel效应。模拟结果表明,阈... 详细信息

提出了一个在较宽温度范围内能精确描述6H-SiC PMOS性能的器件模型。该模型将阈值电压、沟道迁移率、体漏电流、源漏薄层电阻的温度效应等效为相应的补偿电流源,并计入界面态电荷高斯分布模型及体内Poole-Frenkel效应。模拟结果表明,阈值电压是引起高温条件下输出电流变化的主要因素,同时随着温度的升高,由于体内缺陷的存在导致体漏电流所占比例不断增大,逐渐成为Ids的重要组成部分。

关键词：碳化硅补偿电流源体漏电流普尔-弗兰克效应

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基于成品率的多变量工序能力指数模型

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固体电子学研究与进展 2007年第1期27卷 134-137页

作者：王少熙贾新章西安电子科技大学微电子学院西安710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

在*** et al.(2003)和*** et al.(2005)研究理论的基础上,改变他们使用的单变量工序能力指数表达式,建立了基于成品率的多变量工序能力指数计算模型。该模型不要求工序的单个质量特性数据分布必须满足正态分布,并在一定程度上简化了计... 详细信息

在*** et al.(2003)和*** et al.(2005)研究理论的基础上,改变他们使用的单变量工序能力指数表达式,建立了基于成品率的多变量工序能力指数计算模型。该模型不要求工序的单个质量特性数据分布必须满足正态分布,并在一定程度上简化了计算过程,其理论基础对应用人员更容易被理解。同时,指出并改正当前对工序能力指数和成品率关系的错误应用,最后给出该多变量工序能力指数的应用分析。

关键词：成品率多变量工序能力指数质量特性

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基于遗传算法的Kriging模型构造与优化

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计算机辅助设计与图形学学报 2007年第1期19卷 64-68页

作者：游海龙贾新章西安电子科技大学微电子学院西安710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

相关模型参数的确定是Kriging模型构造的关键,讨论了利用传统数值优化方法,如模式搜索方法,确定相关参数存在依赖搜索起始点等缺点;利用遗传算法获得满足目标函数全局最小情况下的相关模型参数,解决了模型的构造对起始点依赖的问题;将... 详细信息

相关模型参数的确定是Kriging模型构造的关键,讨论了利用传统数值优化方法,如模式搜索方法,确定相关参数存在依赖搜索起始点等缺点;利用遗传算法获得满足目标函数全局最小情况下的相关模型参数,解决了模型的构造对起始点依赖的问题;将遗传算法与改进后的Kriging模型结合,基于近似模型对系统进行全局最优化.

关键词： Kriging元模型相关模型参数遗传算法全局最优值

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应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究

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物理学报 2007年第6期56卷 3504-3508页

作者：张鹤鸣崔晓英胡辉勇戴显英宣荣喜西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 中国电子科技集团第五研究所分析中心

在绝缘层附着硅(SOI)结构的Si膜上生长SiGe合金制作具有SiGe量子阱沟道的SOIp型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET),该器件不仅具有SOI结构的优点,而且因量子阱中载流子迁移率高,所以进一步提高了器件的性能.在分析常规的SiSOI MOS... 详细信息

在绝缘层附着硅(SOI)结构的Si膜上生长SiGe合金制作具有SiGe量子阱沟道的SOIp型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET),该器件不仅具有SOI结构的优点,而且因量子阱中载流子迁移率高,所以进一步提高了器件的性能.在分析常规的SiSOI MOSFET基础上,建立了应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET的阈值电压模型和电流-电压(I-V)特性模型,利用Matlab对该结构器件的I-V特性、跨导及漏导特性进行了模拟分析,且与常规结构的器件作了对比.模拟结果表明,应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET的性能均比常规结构的器件有大幅度提高.

关键词：应变SiGe SOI MOSFET 阈值电压模型

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SiC外延工艺中的气体流体模型

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Journal of Semiconductors 2007年第z1期28卷 541-544页

作者：贾仁需张义门张玉明郭辉西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

构建了热壁CVD法生长α-SiC外延的气体流体力学模型,并通过COMSOL模拟软件计算对基座的几何形状进行设计.结果表明基座的几何形状改变,影响衬底表面的气流分布;基座有一定的倾斜角度,可以使其表面气流分布均匀,有利于得到高质量的α-Si... 详细信息

构建了热壁CVD法生长α-SiC外延的气体流体力学模型,并通过COMSOL模拟软件计算对基座的几何形状进行设计.结果表明基座的几何形状改变,影响衬底表面的气流分布;基座有一定的倾斜角度,可以使其表面气流分布均匀,有利于得到高质量的α-SiC外延片.

关键词： SiC 基座流体模型 COMSOL

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