检索结果-内蒙古大学图书馆

第十六届全国半导体物理学术会议

作者：王悦湖张玉明张义门贾仁需张书霞西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

4H-SiC(Eg=3.26ev)作为宽禁带半导体材料的代表之一,具有高击穿电场(3 MV/cm),,高热导率 (4.9 W/cm K),,高载流子饱和漂移速度等优良特性,因此 SiC 电子器件在高温,高频,高功率等极端环境条件下使用具有很大的优势,是未来电子器件的理... 详细信息

4H-SiC(Eg=3.26ev)作为宽禁带半导体材料的代表之一,具有高击穿电场(3 MV/cm),,高热导率 (4.9 W/cm K),,高载流子饱和漂移速度等优良特性,因此 SiC 电子器件在高温,高频,高功率等极端环境条件下使用具有很大的优势,是未来电子器件的理想材料之一。

关键词：同质外延外延膜 SIC SiC

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K-H共掺p-ZnO薄膜的制备及其特征(英文)

K-H共掺p-ZnO薄膜的制备及其特征(英文)

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第五届国际材料与热加工物理模拟及数值模拟学术会议

作者：武军杨银堂西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室

为研究掺入I族元素制备p-ZnO的可行性,本文选用钾元素为掺杂剂,通过射频磁控溅射技术在Si(100)上沉积ZnO薄膜。利用霍尔、XRD、AFM和XPS等测试手段对样品的结构和电性能进行了分析。结果表明,典型K-H(H为非故意掺杂)共掺的ZnO薄膜呈现p... 详细信息

为研究掺入I族元素制备p-ZnO的可行性,本文选用钾元素为掺杂剂,通过射频磁控溅射技术在Si(100)上沉积ZnO薄膜。利用霍尔、XRD、AFM和XPS等测试手段对样品的结构和电性能进行了分析。结果表明,典型K-H(H为非故意掺杂)共掺的ZnO薄膜呈现p型导电,载流子浓度、电阻率和迁移率分别为5.45×1017cm-3,5.9?.cm和1.96cm2/V.s;结晶的薄膜表面均匀、致密,并可观察到明显的(002)择优生长特性,晶粒大小为纳米级,平均粒径15.30nm。最后对K-H共掺的ZnO薄膜呈p型电导的原因进行了讨论。

关键词： zinc oxide, p type, doping, potassium, RF magnetron sputtering.

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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管解析模型

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管解析模型

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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：张志锋张鹤呜刘青鬲鹏飞西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071

在考虑极化效应、源漏寄生电阻、沟道扩散电流和饱和区沟道长度调制效应基础上，建立了AIGaN/GaN高电子迁移率晶体管I-V特性的解析模型，分析了其线性区和饱和区跨导，理论分析结果与实验结果符合得较好。该模型考虑全面、算法简单、结... 详细信息

在考虑极化效应、源漏寄生电阻、沟道扩散电流和饱和区沟道长度调制效应基础上，建立了AIGaN/GaN高电子迁移率晶体管I-V特性的解析模型，分析了其线性区和饱和区跨导，理论分析结果与实验结果符合得较好。该模型考虑全面、算法简单、结果精确，适于对器件性能进行分析和结构优化。

关键词：高电子迁移率晶体管电学性能仿真分析结构优化

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铁磁金属-半导体接触的自旋极化电子直接隧穿模型

铁磁金属-半导体接触的自旋极化电子直接隧穿模型

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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：徐大庆张义门张玉明汤晓燕吕红亮王超宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院西安 710071

利用精确求解一维定态薛定谔方程，得到自旋极化电子通过三角形势垒的隧穿几率，对自旋极化电子从铁磁金属通过肖特基势垒注入半导体时的自旋极化电流与表面层掺杂浓度以及所加偏压的关系等做了计算。计算表明，通过提高表面层掺杂浓度... 详细信息

利用精确求解一维定态薛定谔方程，得到自旋极化电子通过三角形势垒的隧穿几率，对自旋极化电子从铁磁金属通过肖特基势垒注入半导体时的自旋极化电流与表面层掺杂浓度以及所加偏压的关系等做了计算。计算表明，通过提高表面层掺杂浓度，可以有效地增大自旋极化电流的注入。这一结果对提高自旋极化电流的注入和设计半导体自旋电子器件具有重要意义。

关键词：自旋电子器件肖特基接触复合材料电子效应

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应变Si能带结构模型

应变Si能带结构模型

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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：宋建军张鹤鸣戴显英胡辉勇宣荣喜西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071

应变Si CMOS技术是当前研究发展的重点，其材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。本文采用结合形变势理论的KP微扰法，建立了(001)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的能带结构模型。结果表明：[00±1]方向... 详细信息

应变Si CMOS技术是当前研究发展的重点，其材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。本文采用结合形变势理论的KP微扰法，建立了(001)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的能带结构模型。结果表明：[00±1]方向能谷构成了张应变Si导带带边，其能量值随Ge组分的增加而变小;导带劈裂能与Ge组分成线性关系。价带三个带边能级都随Ge组分的增加而增加，而且Ge组分越高价带带边劈裂能值越大，禁带宽度随着Ge组分的增加而变小。该模型可获得量化的数据，对器件研究设计可提供有价值的参考。

关键词：硅材料力学性能能带结构数值分析

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工序能力分析中的Pearson分布拟合

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电子质量 2007年第2期 31-34页

作者：张宝军王少熙贾新章西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

为满足现代微电路生产工艺线工艺水平评价需要,在对三类典型皮尔逊分布的中心矩与原点矩进行分析研究的基础上,推导了针对该分布的拟合表达式,得到了相应分布类型的参数,并给出分布拟合算法。并且对实际微电路工艺的应用结果表明,拟合... 详细信息

为满足现代微电路生产工艺线工艺水平评价需要,在对三类典型皮尔逊分布的中心矩与原点矩进行分析研究的基础上,推导了针对该分布的拟合表达式,得到了相应分布类型的参数,并给出分布拟合算法。并且对实际微电路工艺的应用结果表明,拟合结果令人满意。

关键词：皮尔逊分布拟合中心矩原点矩工序能力

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用于PWM芯片内部的基准电压电路

用于PWM芯片内部的基准电压电路

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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：李敏张鹤鸣宋建军胡辉勇宣荣喜西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071

为确保芯片的稳定工作,许多集成电路都需要有高质量的内部稳定电压源,为芯片内部其他电路提供稳定的电压.本文设计了一款适用于芯片内部的具有温度系数低,电源抑制比高,带负载能力强的双极基准电路,其温度系数达到0.073mV/℃,电源电压... 详细信息

为确保芯片的稳定工作,许多集成电路都需要有高质量的内部稳定电压源,为芯片内部其他电路提供稳定的电压.本文设计了一款适用于芯片内部的具有温度系数低,电源抑制比高,带负载能力强的双极基准电路,其温度系数达到0.073mV/℃,电源电压抑制比为77.54dB,负载调整率为0.084mV/mA。对于—般的集成电路应用,这样的基准精度已经完全能够满足要求.

关键词：基准电压源电路设计温度控制电压稳定

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埋栅-埋沟4H-SiC MESFET特性模拟研究

埋栅-埋沟4H-SiC MESFET特性模拟研究

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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：陈亮张义门张玉明吕红亮西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071

埋栅-埋沟4H-SiC MESFET新型结构器件是利用工艺手段将栅极底部埋入导电沟道内部中，并在其导电沟道上部加入一层缓冲层。利用ISE软件，建立了埋栅-埋沟4H-SiC MESFET模型，并对其电学特性进行了模拟仿真。结果表明，埋栅-埋沟4H-SiCMES... 详细信息

埋栅-埋沟4H-SiC MESFET新型结构器件是利用工艺手段将栅极底部埋入导电沟道内部中，并在其导电沟道上部加入一层缓冲层。利用ISE软件，建立了埋栅-埋沟4H-SiC MESFET模型，并对其电学特性进行了模拟仿真。结果表明，埋栅-埋沟4H-SiCMESFET器件结构的最大饱和漏电流密度迭410μA/μm、源-漏击穿电压132V、最大输出功率密度6.1W/mm。与传统器件结构相比，它还具有瞬态特性好、工艺相对简单等诸多优越性。采用埋栅-埋沟4H-SiC MESFET器件结构，可以减小或消除器件表面和衬底的表面态和界面态影响，改善器件直流和射频功率稳定性，从而提高器件的直流和频率特性。

关键词：金属-半导体-场效应晶体管电学性能仿真分析结构参数

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4H-SiC MESFET的非线性大信号模型

4H-SiC MESFET的非线性大信号模型

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中国电子学会第十三届青年学术年会

作者：任学峰杨银堂贾护军西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071

基于大信号建模的方法和理论，分析了各种建模方法，为研究MESFET大信号建模提供了方法上的比较。在4H-SiC MESFET建模过程中，基于器件物理机制和物理结构考虑的物理模型已成为当前大信号特性建模的首选模型，这种模型反映了器件的实... 详细信息

基于大信号建模的方法和理论，分析了各种建模方法，为研究MESFET大信号建模提供了方法上的比较。在4H-SiC MESFET建模过程中，基于器件物理机制和物理结构考虑的物理模型已成为当前大信号特性建模的首选模型，这种模型反映了器件的实际工作状态，能够准确预测器件在不同工作条件下的物理特性，有助于优化器件的设计。

关键词： 4H-SiC MESFET 非线性大信号模型大信号建模器件优化物理模型

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应变Si N-MOSFET电流特性研究

应变Si N-MOSFET电流特性研究

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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：傅强张鹤鸣胡辉勇戴显英宣荣喜西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071

生长在驰豫SiGe层上的Si产生张应变，使载流子的迁移率显著提高，因此应变Si NMOSTET可以得到非常好的性能。本文在讨论分析了应变SiNMOSFET的结构特性和器件物理的基础上，推导泊松方程求出解析的阈值电压模型和迁移率模型，并用Matla... 详细信息

生长在驰豫SiGe层上的Si产生张应变，使载流子的迁移率显著提高，因此应变Si NMOSTET可以得到非常好的性能。本文在讨论分析了应变SiNMOSFET的结构特性和器件物理的基础上，推导泊松方程求出解析的阈值电压模型和迁移率模型，并用Matlab模拟了迁移率和锗组分之间的关系，与参考文献取得了一致的结果。此模型作为对NMOSFET进行模拟是非常有用的工具。

关键词：金属-氧化物半导体电子传递材料性能数值模拟

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