检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体光电 2014年第1期35卷 39-42页

作者：王志燕贾护军毛周李泳锦成涛裴晓延孙哲霖西安电子科技大学微电子学院、宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室.西安710071

设计了一种基于InP衬底的1.55μm短腔垂直腔面发射激光器(VCSEL),先从结构上对上下反射镜进行了优化设计,然后重点对谐振腔的腔长进行了优化,采用1λ短腔结构,用Matlab软件进行了仿真,结果表明:优化后的VCSEL器件的输出功率为2.22mW,饱... 详细信息

设计了一种基于InP衬底的1.55μm短腔垂直腔面发射激光器(VCSEL),先从结构上对上下反射镜进行了优化设计,然后重点对谐振腔的腔长进行了优化,采用1λ短腔结构,用Matlab软件进行了仿真,结果表明:优化后的VCSEL器件的输出功率为2.22mW,饱和松弛响应频率fR,sat为34.5GHz,最大-3dB带宽为30.5GHz,与目前此波段的最大带宽(19GHz)相比,提高了约60%。

关键词：垂直腔面发射激光器分布布拉格反射镜谐振腔 -3 dB带宽

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基于动态衬底电阻的自衬底触发ESD保护器件

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西北大学学报（自然科学版） 2014年第1期44卷 41-45页

作者：吴晓鹏杨银堂董刚西安电子科技大学微电子学院/宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

利用版图设计方法对衬底触发多叉指GGNMOS器件进行了改进设计,优化了多叉指保护器件的触发均匀性。同时通过在保护器件源极扩散区周围增加N阱环来增大等效衬底电阻,以提高其触发性能。器件仿真结果表明,与传统GGNMOS器件和普通衬底触发G... 详细信息

利用版图设计方法对衬底触发多叉指GGNMOS器件进行了改进设计,优化了多叉指保护器件的触发均匀性。同时通过在保护器件源极扩散区周围增加N阱环来增大等效衬底电阻,以提高其触发性能。器件仿真结果表明,与传统GGNMOS器件和普通衬底触发GGNMOS器件相比,所提出的基于动态衬底电阻的自衬底触发GGNMOS结构的ESD鲁棒性达到了9.7 mA/μm,同时触发电压也降低了约32%,达到了提高保护器件ESD鲁棒性和降低触发电压的目的。

关键词：静电放电多叉指GGNMOS 自衬底触发动态衬底电阻

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(101)单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响

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电子器件 2014年第1期37卷 9-12页

作者：乔丽萍王聪华李淑萍李丽俞丽娟何磊西藏民族学院信息工程学院陕西咸阳712082 西安电子科技大学微电子学院、宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

由Schrdinger方程出发,基于(101)单轴应力下Si材料导带E-k解析模型,重点研究沿任意晶向(101)单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响。结果表明:(101)单轴应力沿0°和45°晶向均导致导带底附近的六度简并能谷分裂成两组分... 详细信息

由Schrdinger方程出发,基于(101)单轴应力下Si材料导带E-k解析模型,重点研究沿任意晶向(101)单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响。结果表明:(101)单轴应力沿0°和45°晶向均导致导带底附近的六度简并能谷分裂成两组分立的能谷;(101)单轴张应力下,沿45°晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显减小,沿0°和90°晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显增大;(101)单轴压应力下,Si材料沿高对称晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显增大或几乎不变。

关键词：应变张量简并度晶向张应力

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基于改善InGaP/GaAs自热效应的复合管设计

基于改善InGaP/GaAs自热效应的复合管设计

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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：禹雷吕红亮张玉明张义门张金灿刘敏西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

文中根据负反馈补偿原理,针对InGaP/GaAs HBT的自热效应,设计了改善其自热效应的复合管结构.仿真结果表明,InGaP/GaAs HBT复合管的自热效应得到了有效的抑制,改善了晶体管输出的非线性,稳定了直流工作点,简化了RF和微波电路的直流偏置设计.

关键词：异质结双极型晶体管磷化铟镓砷化镓结构设计自热效应

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总剂量辐照条件下部分耗尽半导体氧化物绝缘层N沟道金属氧化物半导体器件的三种kink效应

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物理学报 2013年第3期62卷 244-249页

作者：卓青青刘红侠彭里杨兆年蔡惠民西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

研究了0.8μm SOINMOS晶体管,经过剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照后的输出特性曲线的变化趋势.研究结果表明,经过制造工艺和版图的优化设计,在不同剂量条件下,该样品均不产生线性区kink效应.由碰撞电离引起的kink效应,出现显著变... 详细信息

研究了0.8μm SOINMOS晶体管,经过剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照后的输出特性曲线的变化趋势.研究结果表明,经过制造工艺和版图的优化设计,在不同剂量条件下,该样品均不产生线性区kink效应.由碰撞电离引起的kink效应,出现显著变化的漏极电压随总剂量水平的提高不断增大.在高剂量辐照条件下,背栅ID-VSUB曲线中出现异常的"kink"现象,这是由辐照诱生的顶层硅膜/埋氧层之间的界面陷阱电荷导致的.

关键词：总剂量效应 kink效应碰撞电离背栅异常跨导

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中子和γ综合辐照在Si中产生初级辐照损伤的模拟研究

中子和γ综合辐照在Si中产生初级辐照损伤的模拟研究

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第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)

作者：赵东东刘红侠西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

应用Geant4对具有一定能量分布的中子和γ射线在硅材料中的输运过程进行了模拟分析.通过提取初级离位原子的能量和坐标,得到其能量分布和空间分布.根据得到的能量分布和空间分布,计算了具有特定能量值的初级离位原子在级联碰撞过程中产... 详细信息

应用Geant4对具有一定能量分布的中子和γ射线在硅材料中的输运过程进行了模拟分析.通过提取初级离位原子的能量和坐标,得到其能量分布和空间分布.根据得到的能量分布和空间分布,计算了具有特定能量值的初级离位原子在级联碰撞过程中产生的次级离位原子数目,获得了离位原子总数的空间分布情况.这些结果对后续的辐照损伤研究具有重要意义.

关键词：硅材料辐照损伤中子 γ射线

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19.4-GHz InGaP/GaAs HBT推推式结构VCO设计

19.4-GHz InGaP/GaAs HBT推推式结构VCO设计

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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：禹雷吕红亮张玉明张义门叶桂平张金灿西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

文章基于InGaP/GaAs HBT设计了一款输出信号为2次谐波的负阻推推式VCO.由于基极-发射极电流-电压非线性,显著的电压限幅和核心晶体管在工作模式转换期间不同的上升和下降时间,导致了2次谐波的产生.经测试,在5V电压供电下,此MMIC VCO直... 详细信息

文章基于InGaP/GaAs HBT设计了一款输出信号为2次谐波的负阻推推式VCO.由于基极-发射极电流-电压非线性,显著的电压限幅和核心晶体管在工作模式转换期间不同的上升和下降时间,导致了2次谐波的产生.经测试,在5V电压供电下,此MMIC VCO直流电流为21mA,输出功率为-14.46dBm,19.4GHz振荡频率下的调谐范围为1.03％,1MHz频偏处相位噪声为-80.67dBc/Hz.

关键词：压控振荡器电路设计推推结构异质结双极晶体管

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基于AlGaN/GaN共振隧穿二极管的退化现象的研究

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物理学报 2013年第21期62卷 332-337页

作者：陈浩然杨林安朱樟明林志宇张进成西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

文章研究了GaN基共振隧穿二极管(RTD)的退化现象.通过向AlGaN/GaN/AlGaN量子阱中引入三个实测的深能级陷阱中心并自洽求解薛定谔方程和泊松方程,计算并且讨论了陷阱中心对GaN基RTD的影响.结果表明,GaN基RTD的退化现象是由陷阱中心的缺... 详细信息

文章研究了GaN基共振隧穿二极管(RTD)的退化现象.通过向AlGaN/GaN/AlGaN量子阱中引入三个实测的深能级陷阱中心并自洽求解薛定谔方程和泊松方程,计算并且讨论了陷阱中心对GaN基RTD的影响.结果表明,GaN基RTD的退化现象是由陷阱中心的缺陷密度和激活能的共同作用引起.由于陷阱中心的电离率和激活能的指数呈正相关关系,因此具有高激活能的陷阱中心俘获更多电子,对负微分电阻(NDR)特性的退化起主导作用.

关键词：共振隧穿二极管 GaN 陷阱中心电离率

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不同样式的高功率微波对双极晶体管的损伤效应和机理

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物理学报 2013年第12期62卷 495-501页

作者：马振洋柴常春任兴荣杨银堂乔丽萍史春蕾西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

结合Si基n+-p-n-n+外延平面双极晶体管,通过分析器件内部的温度分布变化以及电流密度和烧毁时间随信号幅值的变化关系,研究了其在三角波信号、正弦波信号和方波脉冲信号等三种样式的高功率微波信号作用下的损伤效应和机理.研究表明,三... 详细信息

结合Si基n+-p-n-n+外延平面双极晶体管,通过分析器件内部的温度分布变化以及电流密度和烧毁时间随信号幅值的变化关系,研究了其在三角波信号、正弦波信号和方波脉冲信号等三种样式的高功率微波信号作用下的损伤效应和机理.研究表明,三种高功率微波信号注入下器件的损伤部位都是发射结,在频率和信号幅值相同的情况下方波脉冲信号更容易使器件损伤;位移电流密度和烧毁时间随信号幅值的增大而增大,而位移电流在总电流所占的比例随信号幅值的增大而减小;相比于因信号变化率而引起的位移电流,信号注入功率在高幅值信号注入损伤过程中占主要作用.利用数据分析软件,分别得到了三种信号作用下器件烧毁时间和信号频率的变化关系式.结果表明,器件烧毁时间随信号频率的增加而增加,烧毁时间和频率都符合t=afb的关系式.

关键词：双极晶体管高功率微波损伤机理信号样式

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非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET的二维解析模型

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物理学报 2013年第15期62卷 520-526页

作者：辛艳辉刘红侠范小娇卓青青西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

为了进一步提高深亚微米SOI(Silicon-On-Insulator)MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的电流驱动能力,抑制短沟道效应和漏致势垒降低效应,提出了非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET.在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构,栅极由不同功函数的两种材料组成.考虑新器件结构特点和应变的影响,修正了平带电压和内建电势.为新结构器件建立了全耗尽条件下的表面势和阈值电压二维解析模型.模型详细分析了应变对表面势、表面场强、阈值电压的影响,考虑了金属栅长度及功函数差变化的影响.研究结果表明,提出的新器件结构能进一步提高电流驱动能力,抑制短沟道效应和抑制漏致势垒降低效应,为新器件物理参数设计提供了重要参考.

关键词：非对称Halo 异质栅应变Si 短沟道效应

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